衬底及其制造方法技术

衬底包括第一电介质层、布置在所述第一电介质层之上的第一和第二导电迹线以及布置在所述第一与第二导电迹线之间并且部分覆盖所述第一和第二导电迹线的第二电介质层，其中，第一和第二导电迹线的暴露部分在界面处从所述第二电介质层暴露，所述第一与第二导电迹线之间的界面形状包括角、棱、弯曲部分、凸出部分、台阶和凹口中的一种或两种以上。

【技术实现步骤摘要】
衬底及其制造方法
本公开涉及衬底和用于制造衬底的方法。特别地，本公开涉及用于电子装置的衬底。
技术介绍
电子装置或用于电子装置的衬底可以包括多个导电迹线，所述导电迹线被配置成将电子构件彼此连接。这种导电迹线可以至少部分地被电介质材料包围。在界面处，导电迹线可以从电介质材料暴露或两种电介质材料可以在界面处接触。这样的界面可以产生潜在的泄漏路径。例如，由于电化学迁移，沿着界面可以在两个邻近的导电迹线之间形成不希望的短路。电子装置的小型化的趋势可以加剧这一问题。因此，缓解或防止沿着界面形成泄漏路径的新方法是必要的。
技术实现思路
多个方面涉及一种衬底，所述衬底包括第一电介质层、布置在第一电介质层之上的第一和第二导电迹线以及布置在第一与第二导线迹线之间并且部分覆盖第一和第二导电迹线的第二电介质层，其中，第一和第二导电迹线的暴露部分在界面处从第二电介质层暴露，第一与第二导电迹线之间的界面形状包括角、棱、弯曲部分、凸出部分、台阶和凹口中的一种或两种以上。多个方面涉及一种用于制造衬底的方法，其中，所述方法包括：提供第一电介质层，提供布置在第一电介质层之上的第一和第二导电迹线，提供第二电介质层，所述第二电介质层布置在第一与第二导电迹线之间并且部分覆盖第一和第二导电迹线，使得第一和第二导电迹线的暴露部分在界面处从第二电介质层暴露，其中，第一与第二导电迹线之间的界面形状包括角、棱、弯曲部分、凸出部分、台阶和凹口中的一种或两种以上。附图说明附图示出了示例并且与说明书一起用于解释本公开的原理。本公开的其它示例和许多预期的优点将容易理解，这是因为通过参考下面的详细描述，它们变得更好理解。附图的元件不一定相对于彼此成比例。相同的附图标记表示相应的类似部分。图1A至1C示出了根据本公开的用于电子装置的衬底的一个示例，其中，图1A示出了衬底的俯视图，图1B示出了图1A的细节的分解图，图1C示出了图1B的细节的侧视图。图2A至2D示出了根据本公开的用于电子装置的衬底的细节的不同示例的俯视图，其中，衬底包括沿着具有不同形状的界面在开口处暴露的导电迹线。图3A至3C示出了根据本公开的衬底的不同示例的侧视图。图4示出了根据本公开的衬底的细节的俯视图，其中，在导电迹线与衬底的开口的特定形状的界面之间存在偏错。图5示出了根据本公开的用于制造用于电子装置的衬底的方法的流程图。具体实施方式在下面的详细描述中，参考了附图。然而，对于本领域的技术人员而言，可以显见，可以以较小程度的具体细节来实施本公开的一个或多个方面。在其它情况下，以示意形式示出了已知的结构和元件，以便于描述本公开的一个或多个方面。在这点上，参照所描述的附图的取向来使用诸如“顶”、“底”、“左”、“右”、“上”、“下”等方向性术语。因为本公开的构件可以以多个不同的取向定位，所以方向性术语用于说明的目的，而不是限制性的。应当理解，在不脱离本公开的概念的情况下，可以利用其它示例，并且可以进行结构或逻辑改变。因此，下面的详细描述不应被认为是限制性的。另外，尽管可以仅参照多个实施方式中的一个来公开一个示例的特定特征或方面，但是对于任何给定的或特定的应用可能期望和有利的是，这样的特征或方面可以与其它实施方式的一个或两个以上的其它特征或方面组合，除非明确指出不能如此或除非在技术上受到限制。此外，就在具体实施方式部分或权利要求书中使用术语“包含”、“具有”、“含有”或其它变体而言，这些术语旨在以类似于术语“包括”的方式为包含性的。可以使用术语“耦合”和“连接”以及其派生词。应当理解，这些术语可以用于指示两个元件彼此协作或相互作用，而不管它们是直接物理接触或电接触，还是它们彼此不直接接触；可以在“接合”、“附连”或“连接”元件之间提供居间元件或层。另外，术语“示例性”仅仅是作为示例，而不是最好的或最佳的。根据本公开，一个或两个以上半导体芯片可以被接合到用于电子装置的衬底。衬底可以是用于封装的(永久性的)装置载体。载体可以例如包括或由任何种类的材料，例如环氧树脂、塑料、层合材料、陶瓷或金属材料、铜或铜合金或铁/镍合金组成。载体可以与半导体芯片的接触元件机械连接和电连接。半导体芯片可以通过以下中的一种或两种以上连接到衬底：回流焊接、真空焊接、扩散焊接或借助于导电或非导电粘合剂粘附。如果使用扩散焊接作为半导体芯片与衬底之间的连接技术，则可以使用焊料，由于焊接过程之后的界面扩散过程，可在半导体与衬底之间的界面处产生金属间相。因此，在铜或铁/镍载体的情况下，期望使用包括或由AuSn、AgSn、CuSn、AgIn、AuIn或CuIn组成的焊料。替代性地，如果要将半导体芯片粘附到衬底，则可以使用导电粘合剂。例如，粘合剂可以基于环氧树脂，所述环氧树脂可富含金、银、镍或铜的颗粒，以增强它们的导电性。可以用包封材料覆盖半导体芯片。包封材料可以是电绝缘的。包封材料可以包括或可以由任何合适的塑料或聚合物材料，例如硬质塑料、热塑性或热固性材料或层合材料(预浸料坯)制成，并且可以例如包含填料。可以采用各种技术，例如模压成型、注射成型、粉末成型、液体成型、传递成型或层合来用包封材料包封半导体芯片。可以使用热量和/或压力来施加包封材料。在多个示例中，可以将多个层或层堆叠体施加到彼此上或可以将材料施加或沉积到层上。应当理解，任何诸如“施加”或“沉积”这样的术语旨在字面上涵盖将层施加到彼此上的所有种类和技术。特别地，它们旨在涵盖层作为一个整体一次施加的技术，例如层压技术以及以顺序方式沉积层的技术、例如溅射、镀覆、模制成型、CVD等。用于电子装置的衬底可以包括电介质材料和导电材料。用于电子装置的衬底(或简称“衬底”)可以包括一个或两个以上层。例如，衬底可以包括包括电介质材料的层和包括导电材料的层。导电材料可以以层的形式设置在电介质层之上或者它可以以既包括导电材料又包括电介质材料的层设置。衬底的导电材料可以包括导电迹线并且可以是电再分配层(RDL：ElectricalRedistributionLayer)的一部分。RDL可以例如包括用于将诸如半导体芯片或印刷电路板(PCB：PrintedCircuitBoard)的电子构件连接到衬底的接触焊盘。电子构件可以通过任何合适的手段，例如通过接合导线或焊料凸块连接到衬底。例如，电子构件可以是半导体芯片并且可以通过接合导线或以倒装芯片的方式连接到衬底的接触焊盘。根据一个示例，衬底可以是作为包括一个或两个以上半导体芯片的封装体的半导体封装体的一部分，其中，衬底可以充当芯片载体，所述芯片载体被配置成将所述一个或两个以上半导体芯片连接到例如PCB。根据另一个示例，衬底可以是PCB。衬底的导电材料(例如导电迹线)可以嵌入衬底的电介质材料中或被电介质材料覆盖。根据衬底的一个示例，导电迹线布置在第一电介质材料上并且被第二电介质材料覆盖。例如，第二电介质材料可以包括光致抗蚀剂和焊料止挡层中的一种或更多种。导电材料或导电迹线可以包括或由任何合适的导电材料，例如诸如Cu、Al、Ag、Au的金属或包括这些材料中的一种或两种以上的金属合金组成。可以在导电迹线之上布置镀覆物，例如包括Ni或Au的镀覆物。镀覆物可以被配置为保护层。替代性地或附加性地，可以在导电迹线之上布置另一个保护层，例如包括或由有机材料组成的层。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种衬底，包括：第一电介质层，布置在所述第一电介质层之上的第一和第二导电迹线，第二电介质层，其布置在所述第一与第二导电迹线之间并且部分覆盖所述第一和第二导电迹线，其中，所述第一和第二导电迹线的暴露部分在界面处从所述第二电介质层暴露，其中，所述第一与第二导电迹线之间的界面形状包括角、棱、弯曲部分、凸出部分、台阶和凹口中的一种或两种以上。

【技术特征摘要】
2017.04.26 DE 102017206992.91.一种衬底，包括：第一电介质层，布置在所述第一电介质层之上的第一和第二导电迹线，第二电介质层，其布置在所述第一与第二导电迹线之间并且部分覆盖所述第一和第二导电迹线，其中，所述第一和第二导电迹线的暴露部分在界面处从所述第二电介质层暴露，其中，所述第一与第二导电迹线之间的界面形状包括角、棱、弯曲部分、凸出部分、台阶和凹口中的一种或两种以上。2.根据权利要求1所述的衬底，其中，所述界面形状包括周期性的图案。3.根据权利要求2所述的衬底，其中，所述第一和第二导电迹线以特定间距布置，所述周期性的图案的周期长度等于所述特定间距。4.根据前述权利要求中任一项所述的衬底，其中，所述衬底还包括布置在所述第一电介质层之上的第三导电迹线，其中，所述第二电介质层布置在所述第三导电迹线与所述第二导电迹线之间并且部分覆盖所述第三导电迹线，其中，所述第三导电迹线的暴露部分在界面处从所述第二电介质层暴露，以及其中，所述第二与第三导电迹线之间的界面形状与所述第一与第二导电迹线之间的界面形状相同，或者所述第二与第三导电迹线之间的界面形状与所述第一与第二导电迹线之间的界面形状相反。5.根据前述权利要求中任一项所述的衬底，其中，导电迹线的所述暴露部分包括至少一个接合焊盘。6.根据前述权利要求中任一项所述的衬底，其中，所述衬底还包括布置在导电迹线之上的第三电介质层。7.根据权利要求6所述的衬底，其中，所述第三电介质层包括光致抗蚀剂、层合材料和焊料止挡层中的至少一种。8.根据前述权利要求中任一项所述的衬底，其中，所述第一电介质层与所述第二电介质层中的一个或更多个包括层合材料。9.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·迪特斯，C·马尔贝拉，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE