光半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及光半导体装置的制造方法。光半导体装置(1)的制造方法具备：准备具有多个光电转换部的半导体基板、以将多个光电转换部的各个互相隔开的方式将沟槽形成于半导体基板、由气相生长法将硼层形成于沟槽的内面、通过对硼层施以热扩散处理从而沿着沟槽的内面将累积层形成于半导体基板。

【技术实现步骤摘要】
光半导体装置的制造方法
本专利技术涉及光半导体装置的制造方法。
技术介绍
众所周知有具备具有多个光电转换部的半导体基板并且以互相隔开各个光电转换部的方式将沟槽(trench)形成于该半导体基板的光半导体装置(例如，参照日本专利申请公开2003-86827号公报)。在如以上所述那样的光半导体装置中，为了将互相相邻的光电转换部的间隔较窄地维持且更加可靠地抑制在互相相邻的光电转换部之间的串扰的发生，会有优选形成开口的宽度窄而且深的沟槽的情况。但是，在形成这样的沟槽的时候，如果沿着沟槽的内面在半导体基板上产生缺陷的话，则恐怕该缺陷会成为产生暗电流的主要原因。因此，会有通过离子注入沿着沟槽的内面将累积(accumulation)层形成于半导体基板的情况。但是，在开口的宽度窄而且深的沟槽中，通过离子注入将累积层形成至沟槽的最深部是困难的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种即使是开口的宽度窄而且深的沟槽也能够将累积层可靠地形成至沟槽的最深部的光半导体装置的制造方法。一个方面的光半导体装置的制造方法具备：准备具有多个光电转换部的半导体基板、以互相隔开多个光电转换部的各个的方式将沟槽形成于半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光半导体装置的制造方法，其特征在于：具备：准备具有多个光电转换部的半导体基板；以将所述多个光电转换部的各个互相隔开的方式将沟槽形成于所述半导体基板；由气相生长法将硼层形成于所述沟槽的内面；和通过对所述硼层施以热扩散处理从而沿着所述沟槽的所述内面将累积层形成于所述半导体基板。

【技术特征摘要】
2017.04.04 JP 2017-0744991.一种光半导体装置的制造方法，其特征在于：具备：准备具有多个光电转换部的半导体基板；以将所述多个光电转换部的各个互相隔开的方式将沟槽形成于所述半导体基板；由气相生长法将硼层形成于所述沟槽的内面；和通过对所述硼层施...

【专利技术属性】
技术研发人员：村松雅治，宫﨑康人，高桥弘孝，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP