液体供给装置以及液体供给方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供液体供给装置以及液体供给方法，该液体供给装置能够判断CLC是否能适当地使用。该液体供给装置用于将来自液体源的液体向清洗装置供给。该液体供给装置具有：流量控制装置，其测量来自所述液体源的液体的流量，并基于测量值控制流量；内侧压力计，其设置于所述液体源与所述流量控制装置之间；外侧压力计，其设置在所述流量控制装置与所述清洗装置之间。

【技术实现步骤摘要】
液体供给装置以及液体供给方法
本专利技术涉及液体供给装置以及液体供给方法。
技术介绍
CMP(ChemicalMechanicalPolishing：化学机械抛光)装置具有：抛光装置，其用于对形成有半导体芯片的半导体基板的表面进行抛光；和清洗装置，其用于一边对利用抛光装置抛光后的半导体基板供给清洗药液、一边进行清洗。该清洗装置通过对药液混合DIW(De-IonizedWater：去离子水)等稀释水而制成清洗药液(稀释的药液)，并使用清洗药液进行半导体基板的清洗(例如参照专利文献1)。在使用清洗药液的清洗装置中，以往使用测量液体的流量并基于测量值控制流量的CLC(ClosedLoopController：闭环控制器)。能够通过该CLC控制药液与DIW的流量，并以恒定比率将稀释的药液向清洗装置供给。作为CLC在内部具备的流量计，一般使用差压式流量计(孔板流量计)。差压式流量计是在流体通过的路径上配置孔板，并基于差压测定该流体的体积流量(流速)。差压式流量计的测定范围即通过CLC可控制的流量范围成为在构造上根据孔板的直径预先确定的范围，例如从30ml/min至300ml/min。另外，例如在具备超声波式流量计的CLC中，该可控制的流量范围也设定为规定的范围。在现有的清洗药液供给装置中，在因工序方法的变更等而变更清洗药液的稀释比率、或变更清洗药液的供给流量时，存在所需的药液以及DIW的流量偏离通过现已选定的CLC可控制的流量范围的情况。在该情况下，通过更换为具有可控制的流量范围的CLC，由此应对工序方法的变更。专利文献1：日本特开2009-54959号公报通过CLC可控制的流量范围成为上述那样确定的范围。然而，CLC实际能够向清洗装置供给的流量因CLC的内侧压力与外侧压力的差压而变化。即，CLC的上述可控制的流量范围是差压足够大时最大的流量范围，在差压不足的情况下，只能向清洗装置供给比最大流量少的流量。在现有的清洗药液供给装置中，在伴随工序方法的变更等而变更CLC时，基于可控制的流量范围选择出CLC。在CLC的内侧压力与外侧压力的差压足够大时，能够用所选择的CLC将预期的流量的清洗药液向清洗装置供给。然而，如上述那样，在差压不足的情况下，即便选择具有适当的流量范围的CLC，也无法将预期流量的清洗药液供给至清洗装置。作为CLC无法供给预期流量的原因，考虑也可能是CLC发生故障。因此在无法供给预期的流量的情况下，无法判断是CLC发生故障还是差压不足。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题所做出的。其目的之一在于提供能够判断CLC是否能适当使用的液体供给装置。根据本专利技术的一个方式，提供一种液体供给装置，用于将来自液体源的液体向清洗装置供给。该液体供给装置具有：流量控制装置，其测量来自所述液体源的液体的流量，并基于测量值控制流量；内侧压力计，其设置在所述液体源与所述流量控制装置之间；以及外侧压力计，其设置在所述流量控制装置与所述清洗装置之间。根据本专利技术的另一方式，提供一种液体供给方法，用于在液体供给装置中将来自液体源的液体向清洗装置供给，所述液体供给装置具备测量来自所述液体源的流量并基于测量值控制流量的流量控制装置。该液体供给方法具有以下工序：流量控制工序，测量来自所述液体源的流量，并基于测量值控制流量；第一测定工序，测定流入所述流量控制装置的液体的压力；以及第二测定工序，测定从所述流量控制装置流出的液体的压力。附图说明图1是表示第一实施方式的药液供给装置的简略主视图。图2是第一实施方式的药液供给装置的药液供给流程图。图3是表示第二实施方式的药液供给装置的简略主视图。图4是第二实施方式的药液供给装置的药液供给流程图。附图标记说明：10…DIW供给源；20…第一药液供给源；30…第二药液供给源；52…压力计；62…压力计；74…压力计；75…压力计；76…压力计；78…合流部；79…合流部；100…药液供给装置；111…CLC；121…CLC；131…CLC；200…清洗装置具体实施方式以下，参照附图说明本专利技术的实施方式。在以下说明的附图中，对相同或相当的构成要素标注相同的附图标记，并省略重复的说明。另外，以下作为液体供给装置的一个例子，对药液清洗装置进行说明，但不限定于此，本专利技术包含能够将液体向清洗装置供给的任意的液体供给装置。＜第一实施方式＞图1是表示第一实施方式的药液供给装置的简略主视图。本实施方式的药液供给装置构成为能够将酸性或者碱性的第一药液向清洗装置供给。如图1所示，药液供给装置100具有：壳体101、DIWCLC箱110、以及第一药液CLC箱120。DIWCLC箱110控制DIW(相当于稀释水的一个例子)的供给。第一药液CLC箱120控制第一药液的供给。药液供给装置100还具备药液实用箱50，用于将来自第一药液供给源20(参照图2)的第一药液导入药液供给装置100。在图示的例子中，六个药液实用箱50设置于药液供给装置100，这是一个例子，药液实用箱50的数量可根据清洗装置的规格适当变更。DIWCLC箱110、第一药液CLC箱120以及药液实用箱50收纳于壳体101内。DIWCLC箱110构成为将来自后述的DIW供给源10的DIW向后述的第一直通式(in-line)混合器72(参照图2)供给。另外，DIWCLC箱110能够将DIW的流量控制为通过反馈控制所设定的流量。第一药液CLC箱120构成为将来自第一药液供给源20的第一药液向后述第一直通式混合器72(参照图2)供给。另外，第一药液CLC箱120能够将第一药液的流量控制为通过反馈控制所设定的流量。药液供给装置100虽未图示，但具有用于输送DIW或第一药液的配管、阀以及压力计等。详细情况在图2中说明。图2是第一实施方式的药液供给装置100的药液供给流程图。如图示那样，药液供给装置100构成为：将用于供给DIW的DIW供给源10(相当于稀释水供给源的一个例子)以及用于供给第一药液的第一药液供给源20分别经由配管而进行流体连通。另外，药液供给装置100构成为与清洗装置200进行流体连通。具体而言，药液供给装置100将DIW以及稀释后的第一药液(第一清洗药液)向清洗装置200供给。清洗装置200具有：DIW清洗部210，其使用DIW对用抛光装置抛光后的半导体基板等清洗对象物进行清洗；药液清洗部220，其使用稀释后的第一药液(第一清洗药液)对用抛光装置抛光后的半导体基板等清洗对象物进行清洗。DIW清洗部210例如由超声波水清洗部或其他DIW清洗部等构成。药液清洗部220例如由辊式清洗部等构成。该DIW清洗部210与药液清洗部220共存于同一清洗槽230内。药液供给装置100具备：第一直通式混合器72、第一药液CLC箱120以及DIWCLC箱110。第一直通式混合器72将第一药液与DIW混合而生成第一清洗药液。第一药液CLC箱120控制从第一药液供给源20向第一直通式混合器72供给的第一药液的流量。DIWCLC箱110控制从DIW供给源10向第一直通式混合器72供给的DIW的流量。DIWCLC箱110具有第一DIW供给阀112和CLC111(相当于稀释水流量控制装置的一个例子)。第一DIW供给阀112切换从CLC111向第一直通式混合器72供给DIW的接通、断开本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种液体供给装置，用于将来自液体源的液体向清洗装置供给，其特征在于，具有：流量控制装置，其测量来自所述液体源的液体的流量，并基于测量值控制流量；内侧压力计，其设置在所述液体源与所述流量控制装置之间；以及外侧压力计，其设置在所述流量控制装置与所述清洗装置之间。

【技术特征摘要】
2017.04.03 JP 2017-0737911.一种液体供给装置，用于将来自液体源的液体向清洗装置供给，其特征在于，具有：流量控制装置，其测量来自所述液体源的液体的流量，并基于测量值控制流量；内侧压力计，其设置在所述液体源与所述流量控制装置之间；以及外侧压力计，其设置在所述流量控制装置与所述清洗装置之间。2.根据权利要求1所述的液体供给装置，其特征在于，所述液体源具有稀释水供给源和药液供给源，所述流量控制装置具有：稀释水流量控制装置，其测量来自所述稀释水供给源的稀释水的流量，并基于测量值控制流量；以及药液流量控制装置，其测量来自所述药液供给源的药液的流量，并基于测量值控制流量，所述液体供给装置还具有合流部，该合流部将来自所述稀释水流量控制装置的所述稀释水和来自所述药液流量控制装置的所述药液合流，所述内侧压力计具有设置在所述药液供给源与所述药液流量控制装置之间的药液内侧压力计，所述外侧压力计设置在所述药液流量控制装置与所述清洗装置之间或者所述稀释水流量控制装置与所述清洗装置之间。3.根据权利要求2所述的液体供给装置，其特征在于，所述内侧压力计还具有设置在所述稀释水供给源与所述稀释水流量控制装置之间的稀释水内侧压力计。4.一种液体供给方法，用于在液体供给装置中将来自液体源的液体向清洗装置供给，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：丰增富士彦，国泽淳次，
申请(专利权)人：株式会社荏原制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP