半导体结构的制造方法技术

本发明专利技术实施例提供一种半导体结构的制造方法包括将衬底贴合到载体；使第一半导体封装的第一表面上的外部连接件对准衬底的背对所述载体的第一表面上的第一导电接垫；以及执行回流工艺，其中衬底与载体之间的热膨胀系数(CTE)差异使得在回流工艺期间衬底的第一表面为第一形状，其中第一半导体封装的各材料的热膨胀系数差异使得在回流工艺期间第一半导体封装的第一表面为第二形状，且其中第一形状实质上匹配所述第二形状。所述方法进一步包括在回流工艺之后，从衬底移除载体。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造方法
本专利技术的实施例是有关于一种制造方法，且特别是有关于一种半导体结构的制造方法。
技术介绍
半导体行业已因各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度持续提高而经历快速增长。在很大程度上，集成密度的此种提高起因于最小特征大小的反复减小，此种反复减小使得能够将更多组件集成到给定区域中。随着使电子装置缩小这一需求的增长，出现了对用于半导体管芯的更小型且更具创造性的封装技术的需要。此类封装系统的实例是叠层封装(Package-on-Package，PoP)技术。在叠层封装装置中，将顶部半导体封装堆叠在底部半导体封装的顶部上，以提供高集成度及高组件密度。叠层封装技术通常使得能够制作具有增强的功能及小的占用面积(footprints)的半导体装置。另一实例是衬底芯片上芯片(Chip-On-Wafer-On-Substrate，CoWoS)结构，其中将半导体芯片贴合到芯片(例如中介层)以形成芯片上芯片(Chip-On-Wafer，CoW)结构。接着，将所述芯片上芯片结构贴合到衬底(例如印刷电路板)以形成衬底上芯片上芯片结构。
技术实现思路
本专利技术的实施例提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：将衬底贴合到载体；使第一半导体封装的第一表面上的外部连接件对准所述衬底的背对所述载体的第一表面上的第一导电接垫；执行回流工艺，其中所述衬底与所述载体之间的热膨胀系数差异使得在所述回流工艺期间所述衬底的所述第一表面为第一形状，其中所述第一半导体封装的各材料的热膨胀系数差异使得在所述回流工艺期间所述第一半导体封装的所述第一表面为第二形状，且其中所述第一形状实质上匹配所述第二形状；以及在所述回流工艺之后，从所述衬底移除所述载体。

【技术特征摘要】
2017.04.07 US 62/483,198;2017.08.10 US 15/674,3881.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：将衬底贴合到载体；使第一半导体封装的第一表面上的外部连接件对准所述衬底的背对所述载体的第一表面上的第一导电接垫；执行回流工艺，其中所述衬底与所述载体之间的热膨胀系数差异使得在所述回流工艺期间所述衬底的所述第一表面为第一形状，其中所述第一半导体封装的各材料的热膨胀系数差异使得在所述回流工艺期间所述第一半导体封装的所述第一表面为第二形状，且其中所述第一形状实质上匹配所述第二形状；以及在所述回流工艺之后，从所述衬底移除所述载体。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述衬底贴合到所述载体包括使用粘合层将所述衬底贴合到所述载体，或者对所述载体供应电压，其中所述载体是静电吸盘。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，执行所述回流工艺将所述第一半导体封装实体地及电性地耦合到所述衬底。4.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：对载体的热膨胀系数进行微调；将衬底的第一侧贴合到所述载体，所述衬底在所述衬底的与所述第一侧相对的第二侧上具有导电接垫；将半导体封装放置在所述衬底的所述第二侧上，其中位于所述半导体封装的与所述衬底面对的第一侧上的外部连接件对准所述衬底的各个所述导电接垫；以及加热所述衬底、所述载体及所述半导体封装，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：余振华，林咏淇，邱文智，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71