封装件及其形成方法技术

一种方法包括：形成多个介电层；在所述多个介电层中形成多个再分布线；蚀刻所述多个介电层以形成开口；填充所述开口以形成穿透所述多个介电层的介电通孔；在所述介电通孔和所述多个介电层上方形成介电层；在所述介电层中形成多个接合焊盘；通过混合接合将第一器件管芯接合至所述介电层和所述多个接合焊盘的第一部分；以及将管芯叠层接合至所述第一器件管芯中的硅通孔。本发明专利技术的实施例还涉及封装件及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】
封装件及其形成方法
本专利技术的实施例涉及封装件及其形成方法。
技术介绍
集成电路的封装件变得越来越复杂，更多的器件管芯封装在同一封装件中以实现更多的功能。例如，封装件可以包括接合至同一中介层的多个器件管芯(诸如处理器和存储数据集)。中介层可以基于半导体衬底形成，硅通孔形成在半导体衬底中以互连形成在中介层的相对侧上的部件。模塑料封装其中的器件管芯。包括中介层和器件管芯的封装件进一步接合至封装衬底。此外，表面贴装器件也可以接合至该衬底。散热器可以附接至器件管芯的顶面，以便消散器件管芯中产生的热量。散热器可以具有固定到封装衬底上的裙部(skirtportion)。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种形成封装件的方法，包括：形成多个介电层；在所述多个介电层中形成多个再分布线；蚀刻所述多个介电层以形成开口；填充所述开口以形成穿透所述多个介电层的介电通孔；在所述介电通孔和所述多个介电层上方形成介电层；在所述介电层中形成多个接合焊盘；通过混合接合将第一器件管芯接合至所述介电层和所述多个接合焊盘的第一部分；以及将管芯叠层接合至所述第一器件管芯的硅通孔。本专利技术的另一实施例提供了一种形成封装件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成封装件的方法，包括：形成多个介电层；在所述多个介电层中形成多个再分布线；蚀刻所述多个介电层以形成开口；填充所述开口以形成穿透所述多个介电层的介电通孔；在所述介电通孔和所述多个介电层上方形成介电层；在所述介电层中形成多个接合焊盘；通过混合接合将第一器件管芯接合至所述介电层和所述多个接合焊盘的第一部分；以及将管芯叠层接合至所述第一器件管芯的硅通孔。

【技术特征摘要】
2017.04.10 US 62/483,813;2017.07.03 US 15/640,9871.一种形成封装件的方法，包括：形成多个介电层；在所述多个介电层中形成多个再分布线；蚀刻所述多个介电层以形成开口；填充所述开口以形成穿透所述多个介电层的介电通孔；在所述介电通孔和所述多个介电层上方形成介电层；在所述介电层中形成多个接合焊盘；通过混合接合将第一器件管芯接合至所述介电层和所述多个接合焊盘的第一部分；以及将管芯叠层接合至所述第一器件管芯的硅通孔。2.根据权利要求1所述的方法，还包括通过混合接合将第二器件管芯接合至所述介电层和所述多个接合焊盘的第二部分，其中，所述多个再分布线将所述第一器件管芯连接至所述第二器件管芯。3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述多个再分布线包括镶嵌工艺。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述介电通孔不延伸至任一个半导体衬底内。5.根据权利要求1所述的方法，还包括：将附加器件管芯接合至所述第一器件管芯，其中，所述附加器件管芯直接接合至所述第一器件管芯中的硅通孔；形成氧化物层，所述氧化物层位于所述附加器件管芯的半导体衬底上方并且接触所述附加器件管芯的半导体衬底；形成接合焊盘，所述接合焊盘延伸到所述氧化物层内；以及通过混合接合将空白管芯接合至所述氧化物层...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈明发，余振华，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71