三维存储器的制备方法及半导体结构的制备方法技术

一种三维存储器的制备方法，包括在衬底上形成由第一层和第二层交替堆叠形成的第一叠层；形成垂直贯穿该第一叠层且到达该衬底的第一沟道孔；在该第一沟道孔内形成牺牲部，并使该牺牲部与该第一沟道孔的侧壁和底部之间形成空腔；在该第一叠层上形成由第三层和第四层交替堆叠形成的第二叠层；形成垂直贯穿该第二叠层且到达该牺牲部的第二沟道孔；去除该牺牲部。本发明专利技术提供的三维存储器的制备方法，由于设置了牺牲部，并使得牺牲部与沟道孔的侧壁和底部之间形成空腔，因而可以使得牺牲部的材料较少，使得牺牲部较易制作和去除，并缓解由牺牲部材料引气的污染和应力问题。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器的制备方法及半导体结构的制备方法
本专利技术主要涉及存储器
，尤其涉及一种三维存储器的制备方法及半导体结构的制备方法。
技术介绍
随着对高度集成电子装置的持续重视，对以更高的速度和更低的功率运行并具有增大的器件密度的半导体存储器件存在持续的需求。为达到这一目的，已经发展了具有更小尺寸的器件和具有以水平和垂直阵列布置的晶体管单元的多层器件。3DNAND等三维存储器是业界所研发的一种新兴的闪存类型，通过垂直堆叠多层数据存储单元来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制，其具备卓越的精度，支持在更小的空间内容纳更高的存储容量，可打造出存储容量比同类技术高达数倍的存储设备，进而有效降低成本和能耗，能全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。三维存储器在制造过程中，需要制作较深的沟道孔，然而刻蚀出较深的沟道孔不但容易导致沟道孔的整体形状不佳，还容易损失存储器的顶部。现有的以设置牺牲层来制作较深的沟道孔的方法存在界面金属污染、应力较大等问题。因此有必要提供一种新的三维存储器的制备方法及半导体结构的制备方法，使得能够在三维存储器等半导体结构上制作出深度较大且外形较好的沟本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上形成由第一层和第二层交替堆叠形成的第一叠层；形成垂直贯穿所述第一叠层且到达所述衬底的第一沟道孔；在所述第一沟道孔内形成牺牲部，并使所述牺牲部与所述第一沟道孔的侧壁和底部之间形成空腔；在所述第一叠层上形成由第三层和第四层交替堆叠形成的第二叠层；形成垂直贯穿所述第二叠层且到达所述牺牲部的第二沟道孔；去除所述牺牲部。

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上形成由第一层和第二层交替堆叠形成的第一叠层；形成垂直贯穿所述第一叠层且到达所述衬底的第一沟道孔；在所述第一沟道孔内形成牺牲部，并使所述牺牲部与所述第一沟道孔的侧壁和底部之间形成空腔；在所述第一叠层上形成由第三层和第四层交替堆叠形成的第二叠层；形成垂直贯穿所述第二叠层且到达所述牺牲部的第二沟道孔；去除所述牺牲部。2.根据权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于：在所述第一沟道孔内形成牺牲部时，使所述牺牲部的顶部位于所述第一沟道孔的顶部。3.根据权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于：以湿法刻蚀方式去除所述牺牲部。4.根据权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于：所述牺牲部的至少一部分的材料是多晶硅、氧化铝和钨中的至少一种。5.根据权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于：还形成覆盖所述第一沟道孔的内壁的牺牲材料膜。6.根据权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于：在所述第一沟道孔内形成覆盖所述第一沟道孔的内表面的第一沟道孔内层；在所述第一沟道孔内形成所述牺牲部时，在所述第一沟道孔内层的内部形成牺牲部，所述牺牲部与所述第一沟道孔内层的侧壁和底部之间形成所述空腔。7.根据权利要求6所述的三维存储器的制备方法，其特征在于：在所述第一沟道孔内以多晶硅、无定形硅或氧化铝形成所述第一沟道孔内层。8.根据权利要求6所述的三维存储器的制备方法，其特征在于：在所述第一沟道孔内以多晶硅或无定形硅形成所述第一沟道孔内层；在所述第一沟道孔内以炉管工艺形成所述第一沟道孔内层。9.根据权利要求6所述的三维存储器的制备方法，其特征在于：在所述第一沟道孔内以多晶硅或无定形硅形成所述第一沟道孔内层；以盐酸和四甲基氢氧化铵中的至少一种进行湿法刻蚀以去除所述第一沟道孔内层。10.根据权利要求6所述的三维存储器的制备方法，其特征在于：在所述第一沟道孔内以氧化铝形成所述第一沟道孔内层；在所述第一沟道孔内以化学气相沉积或原...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘峻，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42