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一种三维存储器的制备方法，包括在衬底上形成由第一层和第二层交替堆叠形成的第一叠层；形成垂直贯穿该第一叠层且到达该衬底的第一沟道孔；在该第一沟道孔内形成牺牲部，并使该牺牲部与该第一沟道孔的侧壁和底部之间形成空腔；在该第一叠层上形成由第三层和第...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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