半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

半导体装置及其制造方法。一种半导体装置，包括：第一信号分布结构，具有信号分布结构顶侧、信号分布结构底侧和多个信号分布结构横向侧，其中所述第一信号分布结构包括第一介电层和第一导电层；第一电子组件，耦合到所述信号分布结构顶侧；第一囊封材料，覆盖所述信号分布结构顶侧的至少一部分和所述第一电子组件的至少一部分；半导体晶粒，耦合到所述信号分布结构底侧并且位于所述第一电子组件正下方；多个导电柱，耦合到所述信号分布结构底侧并且在所述半导体晶粒周围横向地定位；以及第二囊封材料，覆盖所述信号分布结构底侧的至少一部分、所述半导体晶粒的至少一部分以及所述导电柱的至少一部分。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本专利技术涉及半导体装置及其制造方法。
技术介绍
现有的半导体装置和用于制造半导体装置的方法是不充分的，例如导致制造过程太耗时及/或太昂贵，导致具有不可靠连接及/或具有次优尺寸的互连结构的半导体封装等。透过将常规和传统方法与本申请案参考附图的其余部分中提出的本案公开内容进行比较，常规和传统方法的进一步的限制和缺点将对本领域技术人员而言变得显而易见。
技术实现思路
本专利技术所公开的各个态样提供半导体装置和制造半导体装置的方法。作为非限制性示例，本专利技术所公开的各个态样提供了包括多个囊封层和多个信号分布结构的半导体装置及其制造方法。本专利技术的一态样为一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一信号分布结构，具有信号分布结构顶侧、信号分布结构底侧和多个信号分布结构横向侧，其中所述第一信号分布结构包括第一介电层和第一导电层；第一电子组件，耦合到所述信号分布结构顶侧；第一囊封材料，覆盖所述信号分布结构顶侧的至少一部分和所述第一电子组件的至少一部分；半导体晶粒，耦合到所述信号分布结构底侧并且位于所述第一电子组件正下方；多个导电柱，耦合到所述信号分布结构底侧并且在所述半导体晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一信号分布结构，具有信号分布结构顶侧、信号分布结构底侧和多个信号分布结构横向侧，其中所述第一信号分布结构包括第一介电层和第一导电层；第一电子组件，耦合到所述信号分布结构顶侧；第一囊封材料，覆盖所述信号分布结构顶侧的至少一部分和所述第一电子组件的至少一部分；半导体晶粒，耦合到所述信号分布结构底侧并且位于所述第一电子组件正下方；多个导电柱，耦合到所述信号分布结构底侧并且在所述半导体晶粒周围横向地定位；以及第二囊封材料，覆盖所述信号分布结构底侧的至少一部分、所述半导体晶粒的至少一部分以及所述导电柱的至少一部分。

【技术特征摘要】
2017.03.21 US 15/465,3071.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一信号分布结构，具有信号分布结构顶侧、信号分布结构底侧和多个信号分布结构横向侧，其中所述第一信号分布结构包括第一介电层和第一导电层；第一电子组件，耦合到所述信号分布结构顶侧；第一囊封材料，覆盖所述信号分布结构顶侧的至少一部分和所述第一电子组件的至少一部分；半导体晶粒，耦合到所述信号分布结构底侧并且位于所述第一电子组件正下方；多个导电柱，耦合到所述信号分布结构底侧并且在所述半导体晶粒周围横向地定位；以及第二囊封材料，覆盖所述信号分布结构底侧的至少一部分、所述半导体晶粒的至少一部分以及所述导电柱的至少一部分。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述多个导电柱中的每个导电柱的底侧和所述半导体晶粒的底侧在所述第二囊封材料的底侧处从所述第二囊封材料露出。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述多个导电柱中的每个导电柱的所述底侧、所述半导体晶粒的所述底侧和所述第二囊封材料的所述底侧是共平面的。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，包括在所述第二囊封材料的底侧上的下方介电层，其中所述下方介电层包括多个孔，所述多个孔中的每个孔透过所述下方介电层露出所述多个导电柱中相应的导电柱。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，包括多个导电球，其中所述多个导电球中的每个导电球透过所述多个孔中相应的孔而电连接到所述多个导电柱中相应的导电柱。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一电子组件的顶侧被所述第一囊封材料覆盖，并且所述半导体晶粒的底侧从所述第二囊封材料露出。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，包括在所述第二囊封材料的底侧上的第二信号分布结构。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，包括耦合到所述第二信号分布结构的底侧并且定位在所述半导体晶粒的正下方的多个导电球，并且其中所述第二信号分布结构将所述多个导电球中的每个导电球电连接到所述多个导电柱中相应的导电柱。9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述多个信号分布结构横向侧中的一个信号分布结构横向侧与所述第一囊封材料的相应横向侧、所述第二囊封材料的相应横向侧和所述第二信号分布结构的相应横向侧共平面。10.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一信号分布结构，具有第一信号分布结构顶侧、第一信号分布结构底侧和在所述第一信号分布结构顶侧与所述第一信号分布结构底侧之间延伸的多个第一信号分布结构横向侧；第一电子组件，耦合到所述第一信号分布结构顶侧；第一囊封材料，覆盖所述第一信号分布结构顶侧的至少一部分和所述第一电子组件的至少一部分；第二电子组件，耦合到所述第一信号分布结构底侧并且位于所述第一电子组件下方；导电柱，耦合到所述第一信号分布结构底侧；第二囊封材料，覆盖所述第一信号分布结构底侧的至少一部分、所述第二电子组件的至少一部分以及所述导电柱的至少一部分；以及第二信号分布结构，具有第二信号分布结构顶侧、第二信号分布结构底侧和在所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩意书，李泰勇，柳智妍，
申请(专利权)人：艾马克科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US