具有衬底和导电柱的装置制造方法及图纸

一种装置包括衬底，所述衬底包括导电结构并且具有与第二表面相反的第一表面。导电柱构建在所述导电结构中的至少一个之上并且与该至少一个电耦合。集成电路设置在所述第一表面之上并且电耦合到所述导电结构。模制化合物形成在所述衬底的所述第一表面之上。

【技术实现步骤摘要】
具有衬底和导电柱的装置
本申请涉及一种互连衬底，尤其是一种包括导电柱的互连衬底。
技术介绍
对诸如汽车、智能电话和物联网(IoT：InternetofThings)的应用领域的电子装置的需求不断增长，导致了对高性能和高可靠性集成电路的需求增加。这些应用领域的电子装置不断向更高的功能和尺寸的小型化方向发展。因此，对于更小、更紧凑和更可靠的集成电路封装方法的需求正在增加。已经开发的一种方法是模制互连衬底(MIS：MoldedInterconnectSubstrate)。MIS是采用嵌入式铜迹线技术以满足高I/O数量和较小尺寸或外形尺寸的要求的衬底解决方案。MIS使用的材料与诸如硅的集成电路材料的热机械性能更兼容。对于使用MIS的典型封装应用，集成电路裸片使用焊线或倒装芯片工艺附接到衬底。衬底的顶部被模制化合物覆盖，并且集成电路的外部触点设置在衬底的底部处。
技术实现思路
根据装置的一个实施例，所述装置包括具有导电结构并且具有与第二表面相反的第一表面的衬底。导电柱构建在所述导电结构中的至少一个之上并且与该至少一个电耦合。集成电路设置在第一表面之上并且电耦合到导电结构。模制化合物形成在衬底的第一表面之上。根据进一步的实施例，所述导电柱中的一个或两个以上与所述衬底的第一表面的一个或两个以上边缘邻近，并且被配置为在所述模制化合物与所述衬底之间形成互锁关系。根据进一步的实施例，所述导电柱中的一个或两个以上与所述衬底的第一表面的一个或两个以上边缘邻近，并且所述导电柱中的所述一个或两个以上中的每一个的一部分暴露在所述模制化合物的侧外表面处。根据进一步的实施例，所述装置进一步包括至少位于所述模制化合物的外表面的一部分之上的金属电磁干扰屏蔽物，所述金属电磁干扰屏蔽物与所述导电柱中的所述一个或两个以上的所述部分导电接触。根据进一步的实施例，所述装置进一步包括至少位于所述模制化合物的外表面的一部分之上的金属天线，所述金属天线与所述导电柱中的所述一个或两个以上的所述部分导电接触。根据进一步的实施例，所述导电柱中的一个或两个以上与所述衬底的第一表面的一个或两个以上边缘邻近，所述导电柱中的所述一个或两个以上中的每一个的顶表面暴露在所述模制化合物的外顶表面处，所述导电结构包括将所述集成电路电耦合到所述导电柱中的所述一个或两个以上的一个或两个以上导电层。根据进一步的实施例，所述导电结构中的一个嵌入在所述衬底中，并且包括暴露在所述衬底的第一表面处且基本平行于所述第一表面的第一表面和暴露在所述衬底的第二表面处且基本平行于所述第二表面的第二表面，所述集成电路安装到并热接触所述导电结构中的所述一个的第一表面。根据进一步的实施例，所述导电结构中的另一个嵌入在所述衬底中，并且包括暴露在所述衬底的第一表面处的第一表面和暴露在所述衬底的第二表面处且基本平行于所述第二表面的第二表面，所述导电柱中的一个构建在所述导电结构中的所述另一个的第一表面之上且与所述导电结构中的所述另一个的第一表面电耦合，而且包括暴露在所述模制化合物的所述外顶表面处的顶表面。根据进一步的实施例，所述集成电路安装在并电耦合到所述导电柱中的三个或更多个上。根据封装体的一个实施例，封装体包括具有导电层并且具有与第二表面相反的第一表面的衬底。导电柱构建在所述导电层中的至少一个之上并且与该至少一个电耦合。导电柱与衬底的第一表面的一个或两个以上边缘邻近。所述导电柱中的每一个均包括靠近第一表面的外边缘的一部分。根据进一步的实施例，所述封装体进一步包括：位于所述衬底的第一表面之上的模制化合物；和至少形成在所述模制化合物的外表面的一部分之上并且与所述导电柱的所述部分导电接触的金属镀覆物。根据进一步的实施例，所述金属镀覆物包括电磁干扰屏蔽物。根据进一步的实施例，所述金属镀覆物包括天线。根据进一步的实施例，至少在所述模制化合物的所述外表面的一部分之上形成的所述金属镀覆物包括形成在所述导电柱中的一个或两个以上的所述部分之上且靠近所述第一表面的一个或两个以上边缘的金属镀覆物。根据形成装置的方法的一个实施例，所述方法包括提供包括导电结构并且具有与第二表面相反的第一表面的衬底。所述方法包括在所述导电结构中的至少一个之上构建导电柱。导电柱电耦合到所述导电结构中的所述至少一个。所述方法包括将集成电路附连到第一表面。集成电路电耦合到导电结构。所述方法包括在衬底的第一表面之上形成模制化合物。根据进一步的实施例，构建所述导电柱包括：将所述导电柱中的一个或两个以上构建成与所述衬底的第一表面的一个或两个以上边缘邻近，其中，所述导电柱中的所述一个或两个以上形成模制化合物与衬底之间的互锁关系。根据进一步的实施例，形成所述模制化合物包括：在所述模制化合物的外表面处暴露所述导电柱中的一个或两个以上中的每一个的一部分。根据进一步的实施例，所述方法进一步包括至少在所述模制化合物的外表面的一部分之上形成与所述导电柱中的所述一个或两个以上的所述部分导电接触的金属镀覆物。根据进一步的实施例，形成所述金属镀覆物包括：在所述导电柱中的所述一个或两个以上的所述部分之上并且靠近所述第一表面的一个或两个以上边缘处形成金属镀覆物。根据进一步的实施例，形成模制化合物包括：在所述模制化合物的外顶表面处暴露所述导电柱中的一个或两个以上的顶表面。阅读以下详细描述以及查看附图时，本领域技术人员将认识到附加的特征和优点。附图说明附图的元件不一定相对于彼此成比例。相同的附图标记指代相应的相似的部分。各种所示实施例的特征可以组合，除非它们彼此排斥。多个实施例在附图中示出，并且在下面的描述中详细说明。图1A-1B示出了装置的一个实施例的透视图和侧视图。图2A-2B示出了装置的一个实施例的透视图和细节视图。图3A-3C示出了装置的一个实施例的透视图、细节视图和剖视图。图4A-4B示出了装置的一个实施例的透视图和剖视图。图5A-5E示出了装置的一个实施例的透视图。图6A-6D示出了装置的一个实施例的透视图。图7A-7C示出了图6D所示的装置的剖视图。图8A-8D示出了装置的一个实施例的透视图和侧视图。图9示出了形成装置的方法的一个实施例的流程图。具体实施方式图1A-1B示出了装置的一个实施例的透视图和侧视图。图1A以附图标记100示出了封装体的透视图。封装体100包括衬底102。衬底102包括导电结构或层108并且具有与第二表面106相反的第一表面104。衬底102包括构建在导电结构108中的至少一个之上并且与导电结构108中的所述至少一个电耦合的导电柱110。在多种实施例中，可以使用诸如电解镀覆工艺或非电式镀覆工艺的合适的工艺来构建导电柱110。在所示实施例中，导电柱110与衬底102的第一表面104的一个或两个以上边缘112邻近。导电柱110中的每一个包括靠近第一表面104的外边缘112的部分114。图1B以附图标记120示出了封装体的侧视图。导电柱110形成在导电结构108之上。在所示实施例中，导电柱110构建在导电结构108之上并且与导电结构108电耦合。在其它实施例中，导电柱110电耦合到位于衬底102的表面104内部或之内的导电结构或层108。图2A-2B以附图标记200示出了装置的一个实施例的透视图和细节视图。图2A示出了形成在衬底102的第一表面104本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：衬底，其包括导电结构并且具有与第二表面相反的第一表面；在所述导电结构中的至少一个之上构建并且与其电耦合的导电柱；设置在所述第一表面之上并且电耦合到所述导电结构的集成电路；和位于所述衬底的所述第一表面之上的模制化合物。

【技术特征摘要】
2016.10.19 US 15/297,7441.一种装置，包括：衬底，其包括导电结构并且具有与第二表面相反的第一表面；在所述导电结构中的至少一个之上构建并且与其电耦合的导电柱；设置在所述第一表面之上并且电耦合到所述导电结构的集成电路；和位于所述衬底的所述第一表面之上的模制化合物。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述导电柱中的一个或两个以上与所述衬底的第一表面的一个或两个以上边缘邻近，并且被配置为在所述模制化合物与所述衬底之间形成互锁关系。3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述导电柱中的一个或两个以上与所述衬底的第一表面的一个或两个以上边缘邻近，并且所述导电柱中的所述一个或两个以上中的每一个的一部分暴露在所述模制化合物的侧外表面处。4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述装置进一步包括至少位于所述模制化合物的外表面的一部分之上的金属电磁干扰屏蔽物，所述金属电磁干扰屏蔽物与所述导电柱中的所述一个或两个以上的所述部分导电接触。5.根据权利要求3所述的装置，其中，所述装置进一步包括至少位于所述模制化合物的外表面的一部分之上的金属天线，所述金属天线与所述导电柱中的所述一个或两个以上的所述部分导电接触。6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述导电柱中的一个或两个以上与所述衬底的第一表面的一个或两个以上边缘邻近，所述导电柱中的所述一个或两个以上中的每一个的顶表面暴露在所述模制化合物的外顶表面处，所述导电结构包括将所述集成电路电耦合到所述导电柱中的所述一个或两个以上的一个或两个以上导电层。7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述导电结构中的一个嵌入在所述衬底中，并且包括暴露在所述衬底的第一表面处且基本平行于所述第一表面的第一表面和暴露在所述衬底的第二表面处且基本平行于所述第二表面的第二表面，所述集成电路安装到并热接触所述导电结构中的所述一个的第一表面。8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述导电结构中的另一个嵌入在所述衬底中，并且包括暴露在所述衬底的第一表面处的第一表面和暴露在所述衬底的第二表面处且基本平行于所述第二表面的第二表面，所述导电柱中的一个构建在所述导电结构中的所述另一个的第一表面之上且与所述导电结构中的所述另一个的第一表面电耦合，而且包括暴露在所述模制化合物的所述外顶表面处的顶表面。9.根据权利要求1所述的装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张超发，蔡国耀，李瑞家，黄志洋，V·索洛姆科，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE