具有衬底和导电柱的装置制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
具有衬底和导电柱的装置
本申请涉及一种互连衬底，尤其是一种包括导电柱的互连衬底。
技术介绍
对诸如汽车、智能电话和物联网(IoT：InternetofThings)的应用领域的电子装置的需求不断增长，导致了对高性能和高可靠性集成电路的需求增加。这些应用领域的电子装置不断向更高的功能和尺寸的小型化方向发展。因此，对于更小、更紧凑和更可靠的集成电路封装方法的需求正在增加。已经开发的一种方法是模制互连衬底(MIS：MoldedInterconnectSubstrate)。MIS是采用嵌入式铜迹线技术以满足高I/O数量和较小尺寸或外形尺寸的要求的衬底解决方案。MIS使用的材料与诸如硅的集成电路材料的热机械性能更兼容。对于使用MIS的典型封装应用，集成电路裸片使用焊线或倒装芯片工艺附接到衬底。衬底的顶部被模制化合物覆盖，并且集成电路的外部触点设置在衬底的底部处。
技术实现思路
根据装置的一个实施例，所述装置包括具有导电结构并且具有与第二表面相反的第一表面的衬底。导电柱构建在所述导电结构中的至少一个之上并且与该至少一个电耦合。集成电路设置在第一表面之上并且电耦合到导电结构。模制化...
【技术保护点】
一种装置，包括：衬底，其包括导电结构并且具有与第二表面相反的第一表面；在所述导电结构中的至少一个之上构建并且与其电耦合的导电柱；设置在所述第一表面之上并且电耦合到所述导电结构的集成电路；和位于所述衬底的所述第一表面之上的模制化合物。
【技术特征摘要】
2016.10.19 US 15/297,7441.一种装置，包括：衬底，其包括导电结构并且具有与第二表面相反的第一表面；在所述导电结构中的至少一个之上构建并且与其电耦合的导电柱；设置在所述第一表面之上并且电耦合到所述导电结构的集成电路；和位于所述衬底的所述第一表面之上的模制化合物。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述导电柱中的一个或两个以上与所述衬底的第一表面的一个或两个以上边缘邻近，并且被配置为在所述模制化合物与所述衬底之间形成互锁关系。3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述导电柱中的一个或两个以上与所述衬底的第一表面的一个或两个以上边缘邻近，并且所述导电柱中的所述一个或两个以上中的每一个的一部分暴露在所述模制化合物的侧外表面处。4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述装置进一步包括至少位于所述模制化合物的外表面的一部分之上的金属电磁干扰屏蔽物，所述金属电磁干扰屏蔽物与所述导电柱中的所述一个或两个以上的所述部分导电接触。5.根据权利要求3所述的装置，其中，所述装置进一步包括至少位于所述模制化合物的外表面的一部分之上的金属天线，所述金属天线与所述导电柱中的所述一个或两个以上的所述部分导电接触。6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述导电柱中的一个或两个以上与所述衬底的第一表面的一个或两个以上边缘邻近，所述导电柱中的所述一个或两个以上中的每一个的顶表面暴露在所述模制化合物的外顶表面处，所述导电结构包括将所述集成电路电耦合到所述导电柱中的所述一个或两个以上的一个或两个以上导电层。7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述导电结构中的一个嵌入在所述衬底中，并且包括暴露在所述衬底的第一表面处且基本平行于所述第一表面的第一表面和暴露在所述衬底的第二表面处且基本平行于所述第二表面的第二表面，所述集成电路安装到并热接触所述导电结构中的所述一个的第一表面。8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述导电结构中的另一个嵌入在所述衬底中，并且包括暴露在所述衬底的第一表面处的第一表面和暴露在所述衬底的第二表面处且基本平行于所述第二表面的第二表面，所述导电柱中的一个构建在所述导电结构中的所述另一个的第一表面之上且与所述导电结构中的所述另一个的第一表面电耦合，而且包括暴露在所述模制化合物的所述外顶表面处的顶表面。9.根据权利要求1所述的装置，...
【专利技术属性】
技术研发人员：张超发，蔡国耀，李瑞家，黄志洋，V·索洛姆科，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE
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