用于具有多电轨及冗余的半导体装置的互连结构制造方法及图纸

本发明专利技术涉及用于具有多电轨及冗余的半导体装置的互连结构，其中，一种用于半导体装置的互连结构包括各具有电轨的第一及第二(或更多)金属化层，以及在垂直毗邻电轨之间的直接电连接。

Interconnect structure for semiconductor devices with multi electric rail and redundancy

The present invention relates to a semiconductor device with multiple interconnection structure, and the redundant electric rail, an interconnect structure for a semiconductor device includes first and two with electric rail (or more) of the metal layer, a direct electrical connection between the vertical and adjacent power rail.

【技术实现步骤摘要】
用于具有多电轨及冗余的半导体装置的互连结构
本专利技术大体有关于用于半导体装置的互连结构。更特别的是，本专利技术有关于具有多电轨及冗余的互连结构。
技术介绍
当前，用于半导体装置的互连结构通常包括具有少数连接(以及较高的电阻路径)的单一电轨。此设计有许多缺点，包括例如，无电轨冗余。如果电轨失效，则装置失效。因此，亟须一种改良的互连结构设计。
技术实现思路
在一态样中，克服先前技术的缺点以及提供额外优点，提供一种形成互连结构的方法。该方法包括：提供用于一或更多半导体装置的起始互连结构，该起始互连结构包括具有第一电轨的第一金属化层。该方法更包括：在该第一金属化层之上形成具有第二电轨的第二金属化层，以及直接电连接该第一电轨与该第二电轨。根据另一态样，提供一种用于一或更多半导体装置的互连结构。该互连结构包括有至少一第一电轨的第一金属化层，有至少一电轨的第二金属化层，以及在该第一金属化层的各电轨与该第二金属化层的对应电轨之间的直接电连接。根据又一态样，提供一种半导体结构。该半导体结构包括互连结构的第一金属化层，该第一金属化层具有一或更多电轨，在该第一金属化层上方的电介质堆栈，多个沟槽间隔体，只在该本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包含：提供用于一或更多半导体装置的起始互连结构，该起始互连结构包含具有第一电轨的第一金属化层；在该第一金属化层之上形成具有第二电轨的第二金属化层；以及直接电连接该第一电轨与该第二电轨。

【技术特征摘要】
2016.06.07 US 15/175,4951.一种方法，包含：提供用于一或更多半导体装置的起始互连结构，该起始互连结构包含具有第一电轨的第一金属化层；在该第一金属化层之上形成具有第二电轨的第二金属化层；以及直接电连接该第一电轨与该第二电轨。2.如权利要求1所述的方法，其中，该直接电连接步骤包含：在该第一电轨与该第二电轨之间形成多个金属填充通孔。3.如权利要求1所述的方法，还包含：在该第二金属化层之上形成具有至少一附加电轨的至少一附加金属化层；以及直接电连接各电轨至在正下方的金属化层的电轨。4.如权利要求1所述的方法，其中，形成该第二金属化层的步骤包含：形成硬掩模层；形成数个间隔体于该硬掩模层上；移除该硬掩模层中未被该间隔体覆盖的部分；形成一或更多通孔；使用该间隔体形成多个沟槽；以及用金属填充该沟槽及通孔，各填充通孔电连接至该多个填充沟槽中的一者。5.如权利要求4所述的方法，其中，使用一或更多芯材线形成该间隔体，切割该一或更多芯材线中的一或更多。6.如权利要求5所述的方法，其中，该间隔体形成于该一或更多芯材线四周，以及其中，该通孔形成于该芯材下方。7.如权利要求6所述的方法，其中，形成该多个芯材线、切割该多个芯材线中的一或更多、形成该一或更多通孔以及形成该多个沟槽的步骤各自包含：使用光刻及蚀刻的步骤。8.如权利要求4所述的方法，还包含：在填充步骤之后的平坦化步骤。9.如权利要求4所述的方法，还包含...

【专利技术属性】
技术研发人员：杰森·伊葛尼·史蒂芬，古拉梅·伯奇，S·纳拉西姆哈，派翠克·贾斯丁尚，金炳烨，艾克·麦克·奇尔德·二世，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛,KY