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本发明涉及用于具有多电轨及冗余的半导体装置的互连结构，其中，一种用于半导体装置的互连结构包括各具有电轨的第一及第二(或更多)金属化层，以及在垂直毗邻电轨之间的直接电连接。...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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