晶圆级芯片封装结构及封装方法技术

本发明专利技术涉及晶圆级芯片封装结构及制造方法，包括芯片单元，其具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面布置至少一个用于电联接的焊窗；所述第二表面设置与焊窗连接的TSV结构，所述TSV结构包括贯穿第一表面和第二表面的通孔和在第二表面设置的开槽，开槽的边界距离第二表面的边缘大于10um。相对现有技术获得的进步是提高了芯片的结构强度。

【技术实现步骤摘要】
晶圆级芯片封装结构及封装方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种晶圆级芯片封装结构及其封装方法。
技术介绍
TSV(ThroughSiliconVias通过硅片通道)封装结构是IC封装方式的一种，可分为用于memory封装和用于贴片器件晶圆级封装。晶圆级封装应用在光学图像传感器上(请参照图1)，这种情形下光学图像传感器2有玻璃基板3支撑TSV结构4维持结构强度，TSV的开孔41、开槽22、布线23和焊窗24等Z轴连接结构设置在图像传感器芯片的边缘21以方便制造。而某些芯片(例如电容式指纹传感器芯片)为了减薄封装厚度，需要TSV封装但又没有玻璃板作为撑，如果继续延用光学图像传感器TSV封装工艺(例如专利CN201510305840.3中揭示的TSV封装结构)，将产生芯片边缘强度不够的技术缺陷，从而使得在后续加工时会带来风险。例如在对晶片进行切割时增大了因应力导致芯片碎裂的风险，也会在后期贴片和组装阶段带来风险。因此需要改进TSV结构和制造方法提高芯片的结构强度解决上述问题。
技术实现思路
本技术方案的目的是保证芯片芯片的整体厚度从而提高芯片结构强度，为此将TSV的开槽设置在芯片的内本文档来自技高网...

【技术保护点】
晶圆级芯片封装结构，其特征在于，包括芯片单元，其具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面布置至少一个用于电连接的焊窗；所述第二表面设置与焊窗连接的TSV结构，所述TSV结构包括贯穿第一表面和第二表面的通孔和在第二表面设置的开槽，开槽的边界距离第二表面的边缘大于10um。

【技术特征摘要】
1.晶圆级芯片封装结构，其特征在于，包括芯片单元，其具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面布置至少一个用于电连接的焊窗；所述第二表面设置与焊窗连接的TSV结构，所述TSV结构包括贯穿第一表面和第二表面的通孔和在第二表面设置的开槽，开槽的边界距离第二表面的边缘大于10um。2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述焊窗的边界与第一表面边缘的距离L满足关系式3.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述芯片单元的第二表面上设有至少一个焊盘，焊窗和焊盘通过形成在所述通孔壁、开槽底壁、开槽侧壁和第二表面的布线电性导通。4.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述开槽为一级或多级...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋舟，李扬渊，
申请(专利权)人：苏州迈瑞微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32