用于BTI效应的存储器单元筛选制造技术

提供了一种存储器以及用于操作该存储器的方法。该存储器包括多个存储器单元和配置成输出字线的字线驱动器。诸存储器单元耦合至该字线。控制电路被配置成将工作电压提供给诸存储器单元和该字线驱动器。电压调整电路被配置成在控制电路将工作电压提供给诸存储器单元和字线驱动器期间调整提供给诸存储器单元的工作电压。该方法包括将工作电压提供给至少一个存储器单元和耦合至该至少一个存储器单元的字线，以及在将工作电压提供给该至少一个存储器单元和字线期间调整提供给该至少一个存储器单元的工作电压。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于BTI效应的存储器单元筛选相关申请的交叉引用本申请要求于2016年1月29日提交的题为“MEMORYCELLSCREENFORBTIEFFECT(用于BTI效应的存储器单元筛选)”的美国专利申请No.15/010,385的权益，其通过援引整体明确纳入于此。背景领域本公开一般涉及存储器，且更具体地涉及操作用于BTI效应的存储器单元筛选的存储器。
技术介绍
现代电子设备(诸如蜂窝电话、智能手表，等等)严重依赖从场效应晶体管(FET)构建的电子电路。此类FET可包括p沟道晶体管(例如，p型金属氧化物半导体(或即PMOS)晶体管)和n沟道晶体管(例如，n型金属氧化物半导体(或即NMOS)晶体管)。从这些p沟道晶体管和n沟道晶体管构建的电子电路易于经受负偏压温度不稳定性(NBTI或更一般而言BTI)效应的影响。BTI使得p沟道晶体管和n沟道晶体管的阈值电压(VTH)随时间偏移。例如，经受BTI效应的p沟道晶体管的VTH可随时间上升至50mV。随着p沟道晶体管的VTH偏移并上升，从这些器件构建的存储器可体验到随机故障。相应地，存在对存储器筛除尤其易于受BTI效应的影响的较弱存储器单元的压迫模式的需本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器，包括：多个存储器单元；配置成输出字线的字线驱动器，所述多个存储器单元被耦合至所述字线；控制电路，其被配置成将工作电压提供给所述多个存储器单元和所述字线驱动器；以及电压调整电路，其被配置成在所述控制电路将所述工作电压提供给所述多个存储器单元和所述字线驱动器期间调整提供给所述多个存储器单元的工作电压。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.01.29 US 15/010,3851.一种存储器，包括：多个存储器单元；配置成输出字线的字线驱动器，所述多个存储器单元被耦合至所述字线；控制电路，其被配置成将工作电压提供给所述多个存储器单元和所述字线驱动器；以及电压调整电路，其被配置成在所述控制电路将所述工作电压提供给所述多个存储器单元和所述字线驱动器期间调整提供给所述多个存储器单元的工作电压。2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述电压调整电路被进一步配置成独立于提供给所述字线驱动器的工作电压来调整提供给所述多个存储器单元的工作电压。3.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述电压调整电路被进一步配置成独立于所述控制电路来调整提供给所述多个存储器单元的工作电压。4.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述电压调整电路包括配置成下拉提供给所述多个存储器单元的工作电压的一个或多个下拉器件。5.如权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述电压调整电路被进一步配置成选择性地激活所述一个或多个下拉器件以改变对提供给所述多个存储器单元的工作电压的调整。6.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述控制电路被进一步配置成提供用于所述工作电压的电压范围。7.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，进一步包括存储器存取电路，所述存储器存取电路被配置成：以其中所述控制电路将所述工作电压提供给所述多个存储器单元和所述字线驱动器的第一模式来对所述多个存储器单元中的至少一者进行存取；以及以其中提供给所述多个存储器单元的工作电压被调整为低于提供给所述字线驱动器的工作电压的第二模式来对所述多个存储器单元中的所述至少一者进行存取。8.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述电压调整电路被进一步配置成通过与目标阈值电压偏移相对应的电压调整来调整所述工作电压。9.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述电压调整电路是基于操作模式来选择性地启用的。10.一种用于操作存储器的方法，包括：将工作电压提供给至少一个存储器单元和耦合至所述至少一个存储器单元的字线；以及在将所述工作电压提供给所述至少一个存储器单元和所述字线期间调整提供给所述至少一个存储器单元的工作电压。11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，调整提供给所述至少一个存储器单元的工作电压包括独立于将所述工作电压提供给所述至少一个存储器单元和所述字线来调整所述工作电压。12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，调整提供给所述至少一个存储器单元的工作电压包括下拉提供给所述至少一个存储器单元的工作电压。13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，进一步包括提供用于所述工作电压的电压范围。14.如权利要求10所述的方法，其特征在于，进一步包括：以其中将所述工作电压提供给所述至少一个存储器单元和所述字线的第一模式来对所述至少一个存储器单元进行存取；以及以其中调整提供给所述至少一个存储器单元的工作电压的第二模式来对所述至少一个存储器单元进行存取。15.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述调整提供给所述至少一个存储器单元的工作电压包括通过与目标阈值电压偏移相对应的电压调整来调整所述工作电压。16.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述调整提供给所述至少一...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·郑，F·阿迈德，S·S·尹，K·金，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US