具有电力网结构的半导体存储器件制造技术

一种具有电力网结构的半导体存储器件，其包括：外围电路，其包括分别设置第二区域和第三区域中的第一单元电路块和第二单元电路块，第二区域和第三区域在第一方向上彼此相邻且第一区域位于第二区域和第三区域之间；第一金属层，其设置在外围电路上方；第二金属层，其设置在第一金属层上方；第一电力线，其设置在第一金属层中并且适于将操作电压传送到第一单元电路块；第二电力线，其设置在第一金属层中并适于将操作电压传送到第二单元电路块；和桥接电力线，其设置在第一区域中的第二金属层中，并且沿与第一方向相交的第二方向延伸。

Semiconductor memory device with power network structure

A semiconductor memory device having an electric power network structure includes: peripheral circuits, including a first unit circuit block and a second unit circuit block in a second region and a third region, respectively, which are adjacent to each other in the first direction and the first region is located between the second region and the third region; The first metal layer is disposed above the peripheral circuit; the second metal layer is disposed above the first metal layer; the first power line is disposed in the first metal layer and is adapted to transmit the operating voltage to the first unit circuit block; and the second power line is disposed in the first metal layer and adapted to transmit the operating voltage to the first unit circuit block. A two-unit circuit block; and a bridge power line, which is arranged in a second metal layer in a first area and extends in a second direction intersecting the first direction.

【技术实现步骤摘要】
具有电力网结构的半导体存储器件
各实施方式通常涉及半导体存储器件，并且更具体地，涉及具有电力网结构(powermeshstructure)的半导体存储器件。
技术介绍
半导体存储器件需要诸如外部电源电压、内部电源电压、接地电压和基准电压的操作电压。操作电压经由电力线传输。
技术实现思路
在一个实施方式中，一种半导体存储器件可以包括：外围电路，所述外围电路包括分别设置第二区域和第三区域中的第一单元电路块和第二单元电路块，所述第二区域和所述第三区域在第一方向上彼此相邻且第一区域位于所述第二区域和第三区域之间；第一金属层，所述第一金属层设置在所述外围电路上方；第二金属层，所述第二金属层设置在所述第一金属层上方。第一电力线设置在所述第一金属层中并且适于将操作电压传送到所述第一单元电路块。第二电力线设置在所述第一金属层中并适于将所述操作电压传送到所述第二单元电路块。桥接电力线设置在所述第一区域中的所述第二金属层中，并且沿与所述第一方向相交的第二方向延伸。所述第一电力线具有从所述第二区域延伸到所述第一区域的长度，并且所述第二电力线具有从所述第三区域延伸到所述第一区域的长度。所述第一电力线和所述桥接电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括：外围电路，所述外围电路包括分别设置在第二区域和第三区域中的第一单元电路块和第二单元电路块，所述第二区域和所述第三区域在第一方向上彼此相邻且第一区域位于所述第二区域和所述第三区域之间；第一金属层，所述第一金属层设置在所述外围电路上方；第二金属层，所述第二金属层设置在所述第一金属层上方；第一电力线，所述第一电力线设置在所述第一金属层中并且适于将操作电压传送到所述第一单元电路块；第二电力线，所述第二电力线设置在所述第一金属层中并且适于将所述操作电压传送到所述第二单元电路块；以及桥接电力线，所述桥接电力线设置在所述第一区域中的所述第二金属层中，并且沿与所述...

【技术特征摘要】
2017.02.17 KR 10-2017-00213261.一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括：外围电路，所述外围电路包括分别设置在第二区域和第三区域中的第一单元电路块和第二单元电路块，所述第二区域和所述第三区域在第一方向上彼此相邻且第一区域位于所述第二区域和所述第三区域之间；第一金属层，所述第一金属层设置在所述外围电路上方；第二金属层，所述第二金属层设置在所述第一金属层上方；第一电力线，所述第一电力线设置在所述第一金属层中并且适于将操作电压传送到所述第一单元电路块；第二电力线，所述第二电力线设置在所述第一金属层中并且适于将所述操作电压传送到所述第二单元电路块；以及桥接电力线，所述桥接电力线设置在所述第一区域中的所述第二金属层中，并且沿与所述第一方向相交的第二方向延伸，其中，所述第一电力线具有从所述第二区域延伸到所述第一区域的长度，并且所述第二电力线具有从所述第三区域延伸到所述第一区域的长度，并且其中，所述第一电力线与所述桥接电力线接合，并且所述第二电力线与所述桥接电力线接合。2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，该半导体存储器件还包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列设置在所述第二金属层上方。3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第一单元电路块和所述第二单元电路块执行不同的功能。4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，通过经由通孔将所述第一电力线联接到具有相同电压电平的所述桥接电力线并且将所述第二电力线联接到具有相同电压电平的所述桥接电力线来形成网。5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第一电力线和所述第二电力线沿所述第一方向延伸。6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，该半导体存储器件还包括：第三电力线，所述第三电力线设置在所述第二区域中的所述第二金属层中，沿所述第二方向延伸，并且与所述第一电力线接合；以及第四电力线，所述第四电力线设置在所述第三区域中的所述第二金属层中，沿所述第二方向延伸，并且与所述第二电力线接合。7.根据权利要求6所述的半导体存储器件，该半导体存储器件还包括：电力传输线，所述电力传输线在所述第一单元电路块和所述第二单元电路块的两侧上与所述第三电力线、所述桥接电力线和所述第四电力线接合。8.根据权利要求7所述的半导体存储器件，其中，所述电力传输线设置在所述第一金属层中，并且沿所述第一方向延伸。9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第一单元电路块和所述第二单元电路块中的每一个包括用于接收所述操作电压的多个电力节点，并且其中，所述第一电力线设置在与所述第一单元电路块的所述电力节点交叠的位置处，并且所述第二电力线设置在与所述第二单元电路块的所述电力节点交叠的位置处。10.根据权利要求9所述的半导体存储器件，其中，所述第一电力线经由垂直设置在所述第一单元电路块的所述电力节点上的第一通孔电联接到所述第一单元电路块的所述电力节点，并且其中，所述第二电力线经由垂直设置在所述第二单元电路块的所述电力节点上的第二通孔电联接到所述第二单元电路块的所述电力节点。11.一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括：外围电路，所述外围电路包括沿第一方向彼此相邻地设置的第一单元电路块和第二单元电路块；存储单元阵列，所述存储单元阵列设置在所述外围电路上方；第一电力线，所述第一电力线设置在所述外围电路与所述存储单元阵列之间的第一金属层中，并且经由第一通孔联接至所述第一单元电路块；第二电力线，所述第二电力线设置在所述第一金属层中，并经由第二通孔联接到所述第二单元电路块；第三电力线，所述第三电力线设置在所述第一金属层和所述存储单元阵列之间的第二金属层中，在与所述第一方向相交的第二方向上与所述第一单元电路块交叉，并且与所述第一电力...

【专利技术属性】
技术研发人员：张南海，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR