TFT阵列基板的制作方法及TFT阵列基板技术

本发明专利技术提供一种TFT阵列基板的制作方法及TFT阵列基板。该TFT阵列基板的制作方法在形成位于栅极上方的有源层后，在栅极绝缘层与有源层上依次沉积电极材料层与金属材料层，并在金属材料层上制作光阻图案，光阻图案包括厚度不同的第一、第二光阻块，利用光阻图案对金属材料层、电极材料层进行刻蚀，形成分别与有源层两端连接的接触电极及像素电极以及位于接触电极上的源/漏极，制程简单，能够有效降低源/漏极与有源层间的接触电阻，提升产品的品质。

【技术实现步骤摘要】
TFT阵列基板的制作方法及TFT阵列基板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT阵列基板的制作方法及TFT阵列基板。
技术介绍
在显示
，液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)等平板显示装置已经逐步取代阴极射线管(CathodeRayTube，CRT)显示装置。液晶显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示装置，其包括液晶显示面板及背光模组(backlightmodule)。通常液晶显示面板由彩膜(ColorFilter，CF)基板、薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)阵列基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管阵列基板之间的液晶(LiquidCrystal，LC)及密封胶框(Sealant)组成。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。现有的液晶显示装置的TFT阵列基板中，TFT器件的有源层的材料常使用非晶硅(a-Si)材料或低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon，LTPS)材料。相较于采用低温多晶硅材料制作的TFT阵列基板，采用非晶硅材料制作的TFT阵列基板的分辨率低、功耗高，但其同时具有制作周期短的特点，因此非晶硅材料制作的TFT阵列基板及低温多晶硅材料制作的TFT阵列基板在现有的市场中均具有一定的市场占有率。在采用非晶硅材料制作的TFT阵列基板中，一般是在衬底基板上制作栅极，并在栅极上方制作与栅极绝缘的非晶硅层，而后设置分别与非晶硅层两端连接的金属的源级及漏极，该种结构的TFT阵列基板由于源级与漏极直接与非晶硅层接触，非晶硅层与源级及漏极之间的接触电阻较大，影响了产品的品质。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种TFT阵列基板的制作方法，能够降低源/漏极与有源层之间的接触电阻，提升产品的品质。本专利技术的另一目的在于提供一种TFT阵列基板，能够降低源/漏极与有源层之间的接触电阻，产品品质高。为实现上述目的，本专利技术首先提供一种TFT阵列基板的制作方法，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底，在所述衬底上形成栅极及覆盖栅极的栅极绝缘层；步骤S2、形成位于栅极绝缘层之上的有源层；步骤S3、在栅极绝缘层与有源层上依次沉积电极材料层及金属材料层；在金属材料层上形成光阻图案，所述光阻图案包括间隔的第一光阻块与第二光阻块，第一光阻块的部分在竖直方向的投影与有源层的一端重叠，第二光阻块的部分在竖直方向的投影与有源层的另一端重叠；所述第一光阻块的厚度大于第二光阻块的厚度；步骤S4、以光阻图案为遮挡对金属材料层、电极材料层进行刻蚀，去除金属材料层、电极材料层未被光阻图案遮挡的部分，对光阻图案进行灰化将第二光阻块去除，以灰化后的光阻图案为遮挡对金属材料层进行刻蚀，去除金属材料层未被灰化后的光阻图案遮挡的部分，形成分别与有源层两端连接的接触电极及像素电极以及位于接触电极上的源/漏极。所述步骤S4还包括将灰化后的光阻图案进行去除的步骤。所述TFT阵列基板的制作方法还包括：步骤S5、在栅极绝缘层、有源层、像素电极及源/漏极上沉积钝化层；在钝化层上形成公共电极。所述步骤S1中，在所述衬底上形成栅极的具体过程为：在衬底上沉积栅极金属层，对所述栅极金属层进行曝光显影制程，形成栅极；所述步骤S2包括：步骤S21、在栅极绝缘层上沉积非晶硅材料，对所述非晶硅材料进行曝光显影制程，形成非晶硅岛；步骤S22、对所述非晶硅岛进行离子掺杂，形成有源层；所述有源层包括非晶硅材料层及位于非晶硅材料层上的掺杂非晶硅层；所述步骤S3中，在金属材料层上形成光阻图案的具体过程为：在金属材料层上形成光阻材料层，利用一半色调光罩对光阻材料层进行图案化，得到光阻图案。所述步骤S4中，以光阻图案为遮挡对金属材料层、电极材料层进行刻蚀，去除金属材料层、电极材料层未被光阻图案遮挡的部分时，还将掺杂非晶硅层未被光阻图案遮挡的部分去除，形成分别位于非晶硅材料层两端上的第一接触层及第二接触层，所述接触电极与第一接触层连接，所述像素电极与第二接触层连接。所述步骤S4中，以光阻图案为遮挡对金属材料层进行干刻蚀，去除金属材料层未被光阻图案遮挡的部分，以光阻图案为遮挡对电极材料层及掺杂非晶硅层进行湿刻蚀，去除电极材料层及掺杂非晶硅层未被光阻图案遮挡的部分；所述步骤S4中，以灰化后的光阻图案为遮挡对金属材料层进行干刻蚀，去除金属材料层未被灰化后的光阻图案遮挡的部分。所述栅极的材料为Mo；所述栅极绝缘层的材料为SiNx；所述电极材料层的材料为氧化铟锡。所述步骤S22中，对所述非晶硅岛进行N型离子掺杂。所述步骤S22中，利用磷离子对所述非晶硅岛进行N型离子掺杂。本专利技术还提供一种TFT阵列基板，包括衬底、设于衬底上的栅极、设于衬底及栅极上的栅极绝缘层、设于栅极绝缘层上且位于栅极上方的有源层、分别与有源层两端连接的接触电极及像素电极以及位于接触电极上的源/漏极。本专利技术的有益效果：本专利技术提供的一种TFT阵列基板的制作方法在形成位于栅极上方的有源层后，在栅极绝缘层与有源层上依次沉积电极材料层与金属材料层，并在金属材料层上制作光阻图案，光阻图案包括厚度不同的第一、第二光阻块，利用光阻图案对金属材料层、电极材料层进行刻蚀，形成分别与有源层两端连接的接触电极及像素电极以及位于接触电极上的源/漏极，制程简单，能够有效降低源/漏极与有源层间的接触电阻，提升产品的品质。本专利技术提供的一种TFT阵列基板能够降低源/漏极与有源层之间的接触电阻，产品品质高。附图说明为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图中，图1为本专利技术的TFT阵列基板的制作方法的流程图；图2为本专利技术的TFT阵列基板的制作方法的步骤S1的示意图；图3及图4为本专利技术的TFT阵列基板的制作方法的步骤S2的示意图；图5为本专利技术的TFT阵列基板的制作方法的步骤S3的示意图；图6至图8为本专利技术的TFT阵列基板的制作方法的步骤S4的示意图；图9为本专利技术的TFT阵列基板的制作方法的步骤S5的示意图暨本专利技术的TFT阵列基板的结构示意图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图1，本专利技术提供一种TFT阵列基板的制作方法，包括如下步骤：步骤S1、请参阅图2，提供衬底10，在所述衬底10上形成栅极20及覆盖栅极20的栅极绝缘层30。具体地，所述步骤S1中，在所述衬底10上形成栅极20的具体过程为：在衬底10上沉积栅极金属层，对所述栅极金属层进行曝光显影制程，形成栅极20。具体地，所述栅极20的材料可以为钼(Mo)。具体地，所述栅极绝缘层30的材料可以为氮化硅(SiNx)。步骤S2、请参阅图4，形成位于栅极绝缘层30之上的有源层40。具体地，所述步骤S2包括：步骤S21，请参阅图3，在栅极绝缘层30上沉积非晶硅材料，对所述非晶硅材料进行曝光显影制程，形成非晶硅岛49。步骤S22，请参阅图4，对所述非晶硅岛49进行离子掺杂，形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底(10)，在所述衬底(10)上形成栅极(20)及覆盖栅极(20)的栅极绝缘层(30)；步骤S2、形成位于栅极绝缘层(30)之上的有源层(40)；步骤S3、在栅极绝缘层(30)与有源层(40)上依次沉积电极材料层(50)及金属材料层(60)；在金属材料层(60)上形成光阻图案(70)，所述光阻图案(70)包括间隔的第一光阻块(71)与第二光阻块(72)，第一光阻块(71)的部分在竖直方向的投影与有源层(40)的一端重叠，第二光阻块(72)的部分在竖直方向的投影与有源层(40)的另一端重叠；所述第一光阻块(71)的厚度大于第二光阻块(72)的厚度；步骤S4、以光阻图案(70)为遮挡对金属材料层(60)、电极材料层(50)进行刻蚀，去除金属材料层(60)、电极材料层(50)未被光阻图案(70)遮挡的部分，对光阻图案(70)进行灰化将第二光阻块(72)去除，以灰化后的光阻图案(70)为遮挡对金属材料层(60)进行刻蚀，去除金属材料层(60)未被灰化后的光阻图案(70)遮挡的部分，形成分别与有源层(40)两端连接的接触电极(51)及像素电极(52)以及位于接触电极(51)上的源/漏极(61)。...

【技术特征摘要】
1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底(10)，在所述衬底(10)上形成栅极(20)及覆盖栅极(20)的栅极绝缘层(30)；步骤S2、形成位于栅极绝缘层(30)之上的有源层(40)；步骤S3、在栅极绝缘层(30)与有源层(40)上依次沉积电极材料层(50)及金属材料层(60)；在金属材料层(60)上形成光阻图案(70)，所述光阻图案(70)包括间隔的第一光阻块(71)与第二光阻块(72)，第一光阻块(71)的部分在竖直方向的投影与有源层(40)的一端重叠，第二光阻块(72)的部分在竖直方向的投影与有源层(40)的另一端重叠；所述第一光阻块(71)的厚度大于第二光阻块(72)的厚度；步骤S4、以光阻图案(70)为遮挡对金属材料层(60)、电极材料层(50)进行刻蚀，去除金属材料层(60)、电极材料层(50)未被光阻图案(70)遮挡的部分，对光阻图案(70)进行灰化将第二光阻块(72)去除，以灰化后的光阻图案(70)为遮挡对金属材料层(60)进行刻蚀，去除金属材料层(60)未被灰化后的光阻图案(70)遮挡的部分，形成分别与有源层(40)两端连接的接触电极(51)及像素电极(52)以及位于接触电极(51)上的源/漏极(61)。2.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S4还包括将灰化后的光阻图案(70)进行去除的步骤。3.如权利要求2所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括：步骤S5、在栅极绝缘层(30)、有源层(40)、像素电极(52)及源/漏极(61)上沉积钝化层(80)；在钝化层(80)上形成公共电极(90)。4.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中，在所述衬底(10)上形成栅极(20)的具体过程为：在衬底(10)上沉积栅极金属层，对所述栅极金属层进行曝光显影制程，形成栅极(20)；所述步骤S2包括：步骤S21、在栅极绝缘层(30)上沉积非晶硅材料，对所述非晶硅材料进行曝光显影制程，形成非晶硅岛(49)；步骤S22、对所述非晶硅岛(49)进行离子掺杂，形成有源层(40)；所述有源层(40)包括非晶硅材料层(41)及位于非晶硅材料层(41)...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘广辉，何鹏，许勇，艾飞，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42