显示基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

技术编号:19025406 阅读:33 留言:0更新日期:2018-09-26 19:35
一种显示基板及其制备方法、显示装置。该显示基板包括:衬底基板、设置于所述衬底基板上的薄膜晶体管以及设置于所述衬底基板上的包含第一遮光层和第二遮光层的叠层,其中,所述薄膜晶体管的有源层的在所述衬底基板上的正投影位于所述叠层的在所述衬底基板上的正投影之内,所述第二遮光层包括纳米颗粒以吸收特定波长范围内的光。该纳米颗粒可以吸收透过第一遮光层的光以降低有源层因光照射导致的薄膜晶体管漏电流增大问题,还可以避免因遮挡该特定波长范围内的光而增加第一遮光层厚度造成的段差所引起的显示基板后续制备工艺不良。

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制备方法、显示装置
本公开的实施例涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管中的有源层在受到光照射后会使得光生载流子增加,造成显示器件的电压漂移、漏电流增加等不良。蓝光所对应的波段对有源层的影响最大,尤其是在导致显示器件的漏电流增加的方面有明显影响,通常为解决这一问题,可通过在薄膜晶体管所在的区域设置一遮光层以对有源层进行遮光。在例如以非晶硅作为遮光层的情况下,在有限的厚度下该遮光层不能将光全部遮挡,部分光例如对有源层影响最大的蓝光可能透过该遮光层。如此需要加厚遮光层的厚度才可以使得遮光层的对光的吸收峰蓝移,但是膜厚增加的同时也会导致较大段差,引起显示器件例如显示基板的后续制备工艺的不良。公开内容本公开至少一实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置以解决上述问题。本公开至少一实施例提供一种显示基板,包括:衬底基板;设置于所述衬底基板上的薄膜晶体管;设置于所述衬底基板上的包含第一遮光层和第二遮光层的叠层;其中,所述薄膜晶体管的有源层的在所述衬底基板上的正投影位于所述叠层的在所述衬底基板上的正投影之内,所述第二遮光层包括纳米颗粒以吸收特定波长范围内的光。例如,在本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述第一遮光层的材料包括单晶硅、多晶硅或非晶硅。例如,在本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述第二遮光层的材料还包括氮化硅或碳化硅。例如,在本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述第一遮光层的厚度范围包括所述第二遮光层的厚度范围包括例如,在本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述纳米颗粒可以为纳米硅颗粒。例如,在本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述纳米硅颗粒的粒径范围包括3~5纳米。例如,在本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述光可以为蓝光,所述蓝光的波长范围包括420~480纳米。例如,在本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述第一遮光层可以设置于所述第二遮光层的远离所述衬底基板的一侧;或者所述第二遮光层可以设置于所述第一遮光层的远离所述衬底基板的一侧。例如,在本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述薄膜晶体管可以包括顶栅型结构或底栅型结构的薄膜晶体管。例如,在本公开至少一实施例提供的显示基板中,在所述薄膜晶体管为底栅型结构时,所述第一遮光层和所述第二遮光层的叠层设置于所述有源层的远离所述衬底基板的一侧;或者在所述薄膜晶体管为顶栅型结构时,所述第一遮光层和所述第二遮光层的叠层设置于所述衬底基板和所述有源层之间。本公开至少一实施例提供一种显示装置,包括上述任一所述的显示基板。本公开至少一实施例提供一种显示基板的制备方法,包括:提供衬底基板;在所述衬底基板上形成薄膜晶体管;在所述衬底基板上形成包括第一遮光层和第二遮光层的叠层;其中,所述薄膜晶体管的有源层的在所述衬底基板上的正投影位于所述叠层的在所述衬底基板上的正投影之内,所述第二遮光层包括有纳米颗粒以吸收特定波长范围内的光。例如,在本公开至少一实施例提供的制备方法中,形成所述第二遮光层的方法可以包括螺旋波等离子体化学气相沉积。例如,在本公开至少一实施例提供的制备方法中,所述纳米颗粒为纳米硅颗粒,形成所述第二遮光层包括:通过至少包括氮气、硅烷和氢气的反应气体或者至少包括氮气、甲烷、硅烷和氢气的反应气体形成包含所述纳米硅颗粒的第二遮光层薄膜;对所述第二遮光层薄膜进行构图工艺以形成包含所述纳米硅颗粒的所述第二遮光层。例如,在本公开至少一实施例提供的制备方法中,通过至少包括氮气、甲烷、硅烷和氢气的反应气体形成所述第二遮光层薄膜时,所述螺旋波等离子体化学气相沉积的工艺条件为:温度范围在650~750摄氏度、功率在400~600瓦、压力低压可达1.33帕、磁感强度在90~130Gs。例如,在本公开至少一实施例提供的制备方法中,所述螺旋波等离子体化学气相沉积的工艺条件可以为:温度700摄氏度;压力1.33帕,功率500瓦;磁感强度110Gs;氢气、甲烷和硅烷的体积比例为1:2:40。例如,在本公开至少一实施例提供的制备方法中,所述光可以为蓝光,所述蓝光的波长范围包括420~480纳米。例如,在本公开至少一实施例提供的制备方法中,在所述衬底基板上形成包含第一遮光层和第二遮光层的叠层可以包括:在衬底基板上形成所述第一遮光层,在所述第二遮光层上形成所述第二遮光层。例如,在本公开至少一实施例提供的制备方法中,所述叠层与所述薄膜晶体管中的有源层可以同步制备,该方法包括:在所述衬底基板上依次形成所述叠层的薄膜和所述有源层的薄膜之后,两者经一次掩膜工艺形成所述叠层和所述有源层。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本专利技术的一些实施例,而非对本专利技术的限制。图1为本公开一实施例提供的一种显示基板的横截面结构示意图;图2为本公开一实施例提供的另一种显示基板的横截面结构示意图;图3a为本公开一实施例提供的另一种显示基板的横截面结构示意图;图3b为本公开一实施例提供的另一种显示基板的横截面结构示意图;图4a~图4i为本公开一实施例提供的一种显示基板制备方法的过程图;图5a~图5g为本公开一实施例提供的另一种显示基板制备方法的过程图。附图标记:1-过孔;100-衬底基板;200-第一遮光层;210-第一遮光层薄膜;300-第二遮光层;300-第二遮光层薄膜;400-缓冲层;410-缓冲层薄膜;500-有源层;510-有源层薄膜;600-栅绝缘层;700-栅电极;800-绝缘层;900-源漏电极层;910-源电极;920-漏电极;1000-钝化层;1010-第一电极层;1020-发光层;1030-第二电极层;1100-像素界定层。具体实施方式为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。传统工艺一般使用金属例如钼作为遮光层的材料从而对薄膜晶体管中的有源层进行遮光,但是金属材料导致的寄生电容会比较大,所以可使用例如非晶硅代替金属钼以制备遮光层。非晶硅为半导体材料,在薄膜晶体管中的寄生电容较小,可以提高显示良率。例如,该遮光层可以遮挡或吸收来自背光的部分光线,其它部分的光线例如部分蓝光仍可能透过遮光层,加厚遮光层会使得遮光层的吸收峰蓝移并且减少其本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板,包括:衬底基板;设置于所述衬底基板上的薄膜晶体管;设置于所述衬底基板上的包含第一遮光层和第二遮光层的叠层;其中,所述薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述叠层在所述衬底基板上的正投影之内,所述第二遮光层包括纳米颗粒以吸收特定波长范围内的光。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板,包括:衬底基板;设置于所述衬底基板上的薄膜晶体管;设置于所述衬底基板上的包含第一遮光层和第二遮光层的叠层;其中,所述薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述叠层在所述衬底基板上的正投影之内,所述第二遮光层包括纳米颗粒以吸收特定波长范围内的光。2.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述第一遮光层的材料包括单晶硅、多晶硅或非晶硅。3.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述第二遮光层的材料还包括氮化硅或碳化硅。4.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述第一遮光层的厚度范围包括所述第二遮光层的厚度范围包括5.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述纳米颗粒为纳米硅颗粒。6.根据权利要求5所述的显示基板,其中,所述纳米硅颗粒的粒径范围包括3~5纳米。7.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述光为蓝光,所述蓝光的波长范围包括420~480纳米。8.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述第一遮光层设置于所述第二遮光层的远离所述衬底基板的一侧;或者所述第二遮光层设置于所述第一遮光层的远离所述衬底基板的一侧。9.根据权利要求1-8任一所述的显示基板,其中,所述薄膜晶体管包括顶栅型结构或底栅型结构的薄膜晶体管。10.根据权利要求9所述的显示基板,其中,在所述薄膜晶体管为底栅型结构时,所述第一遮光层和所述第二遮光层的叠层设置于所述有源层的远离所述衬底基板的一侧;或者在所述薄膜晶体管为顶栅型结构时,所述第一遮光层和所述第二遮光层的叠层设置于所述衬底基板和所述有源层之间。11.一种显示装置,包括权利要求1-10中任一项所述的显示基板。12.一种显示基板的制备方法,包括:提供衬底基板;在所述衬底基板上形成薄膜晶体管;在所述衬底基板上形成包括第一遮光层和第二遮光层的...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙雪菲李正亮张斌詹裕程刘建宏
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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