导体结构以及面板装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种导体结构以及面板装置，该导体结构包括第一金属层、第二金属层以及控制层。第二金属层配置于第一金属层上，其中第一金属层的材质与第二金属层的材质包括至少一种相同的金属元素。控制层配置于第一金属层与第二金属层之间，其中控制层的厚度小于第一金属层的厚度及第二金属层的厚度。

【技术实现步骤摘要】
导体结构以及面板装置
本专利技术涉及一种导体结构以及面板装置。
技术介绍
随着面板装置的尺寸越做越大，伴随的是因金属导线阻值不够低所产生的RC延迟效应，藉此导致信号在传输的过程中产生扭曲失真。通过增加金属导线的厚度，可有效降低阻值以减少RC延迟效应的发生。然而，在制作厚度增加的金属导线的过程中，在蚀刻制程后金属导线的侧壁轮廓上容易产生凸角，进而使得后续堆叠的膜层易产生断裂的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种导体结构及包括导体结构的面板装置，其中导体结构的侧壁轮廓不易产生凸角。本专利技术的导体结构包括第一金属层、第二金属层以及控制层。第二金属层配置于第一金属层上，其中第一金属层的材质与第二金属层的材质包括至少一种相同的金属元素。控制层配置于第一金属层与第二金属层之间，其中控制层的厚度小于第一金属层的厚度及第二金属层的厚度。本专利技术的面板装置包括第一基板以及第二基板。第二基板与第一基板相对设置，其中第一基板与第二基板中的至少一者包括导体结构。导体结构包括第一金属层、第二金属层以及控制层。第二金属层配置于第一金属层上，其中第一金属层的材质与第二金属层的材质包括至少一种相同的金属元素。控制层配置于第一金属层与第二金属层之间，其中控制层的厚度小于第一金属层的厚度及第二金属层的厚度。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施方式，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1是本专利技术的一实施方式的导体结构的剖面示意图。图2是本专利技术的一实施方式的导体结构配置于基板上的剖面示意图。图3是本专利技术的一实施方式的显示面板装置的剖面示意图。图4是本专利技术的另一实施方式的感测面板装置的剖面示意图。附图标记说明100：导体结构102：底导体层104：第一金属层106：控制层108：第二金属层110：顶导体层200：基板300：显示面板装置310、410：下基板312、412：第一基板320、420：上基板322、422：第二基板330：显示介质400：感测面板装置430：感测元件层Y：距离314、324、414、412：元件层具体实施方式在本文中，只要有可能，相同或相似元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。在本文中，在一结构上方或在一结构上形成另一结构的描述可包括所述结构与所述另一结构形成为直接接触的实施方式，且也可包括所述结构与所述另一结构之间可形成有额外结构使得所述结构与所述另一结构可不直接接触的实施方式。图1是本揭示的一实施方式的导体结构的剖面示意图。请参照图1，在本实施方式中，导体结构100包括第一金属层104、第二金属层108以及控制层106。详细而言，在本实施方式中，第二金属层108配置于第一金属层104上，且控制层106配置于第一金属层104与第二金属层108之间。也就是说，在本实施方式中，第一金属层104、第二金属层108以及控制层106依序堆叠成一三明治结构。在本实施方式中，第一金属层104的材质与第二金属层108的材质包括至少一种相同的金属元素。举例而言，在一实施方式中，若第一金属层104的材质为纯铝，则第二金属层108的材质可为纯铝或含铝合金，例如铝钕合金。举另一例而言，在一实施方式中，若第一金属层104的材质为纯铜，则第二金属层108的材质可为纯铜或含铜合金，例如铜钛合金。具体而言，在本实施方式中，第一金属层104的材质例如包括(但不限于)：纯铝、纯铜、含铝合金、含铜合金，其中含铝合金例如是(但不限于)：铝钕合金，含铜合金例如是(但不限于)：铜钛合金；第二金属层108的材质例如包括(但不限于)：纯铝、纯铜、含铝合金、含铜合金，其中含铝合金例如是(但不限于)：铝钕合金，含铜合金例如是(但不限于)：铜钛合金。另外，在本实施方式中，第一金属层104与第二金属层108的厚度差例如是以下。也就是说，在本实施方式中，第一金属层104的厚度可与第二金属层108的厚度相同或不同。具体而言，在本实施方式中，第一金属层104的厚度例如是介于至之间，第二金属层108的厚度例如是介于至之间。值得一提的是，当第一金属层104的厚度介于至之间，且第二金属层108的厚度介于至之间时，导体结构100即属于高膜厚的导体结构。在本实施方式中，控制层106的厚度小于第一金属层104的厚度及第二金属层108的厚度。具体而言，在本实施方式中，控制层106的厚度例如是介于至之间，较佳是介于至之间。另外，在本实施方式中，控制层106的材质例如是选自由氮化物、氧化物、氮氧化物及铝钕合金所组成的族群。在本实施方式中，所述氮化物例如是包括氮化钼等的金属氮化物，但本揭示并不限于此。在本实施方式中，所述氧化物例如是包括氧化钼等的金属氧化物，但本揭示并不限于此。在本实施方式中，所述氮氧化物例如是包括氮氧化钼等的金属氮氧化物，但本揭示并不限于此。在本实施方式中，为了增强导体结构100与承载导体结构100的基材间的附着力，或者为了避免第一金属层104或第二金属层108中的金属原子扩散至其他膜层，导体结构100可还包括底导体层102。详细而言，在本实施方式中，第一金属层104是介于底导体层102与控制层106之间。也就是说，在本实施方式中，底导体层102是配置在第一金属层104下方。另外，在本实施方式中，底导体层102的边缘突出于第一金属层104的边缘。也就是说，部分的底导体层102未被第一金属层104所覆盖。具体而言，底导体层102的边缘与第一金属层104的边缘之间会相距一距离Y，其中距离Y例如是大于0至1μm。另外，在本实施方式中，底导体层102的材质例如包括(但不限于)：氮化钼、钼或钛。在本实施方式中，底导体层102的厚度例如是介于至之间。在本实施方式中，为了避免第二金属层108中的金属原子沿着晶粒边界扩散而导致形成凸起缺陷(hillock)，或者为了避免第一金属层104或第二金属层108中的金属原子扩散至其他膜层，导体结构100可还包括顶导体层110。详细而言，在本实施方式中，第二金属层108是介于控制层106及顶导体层110之间。也就是说，在本实施方式中，顶导体层110是配置在第二金属层108上方。另外，在本实施方式中，顶导体层110的材质例如包括(但不限于)：氮化钼、钼或钛。在本实施方式中，顶导体层110的厚度例如是介于至之间。值得一提的是，在本实施方式中，导体结构100通过包括依序堆叠的第一金属层104、控制层106及第二金属层108，其中第一金属层104的材质与第二金属层108的材质包括至少一种相同的金属元素，以及控制层106的厚度小于第一金属层104的厚度及第二金属层108的厚度，藉此在制作导体结构100的过程中，通过调整蚀刻制程的条件，可使得导体结构100的侧壁轮廓不易产生凸角或者导体结构100的侧壁具有良好的倾斜轮廓(taperprofile)。举例而言，在一实施方式中，蚀刻制程具有以下蚀刻条件：蚀刻剂对顶导体层110的蚀刻速率＞蚀刻剂对第二金属层108的蚀刻速率＞蚀刻剂对控制层106的蚀刻速率＞蚀刻剂对第一金属层104的蚀刻速率＞蚀刻剂对底导体层102的蚀刻速率。需注意的是，所谓导体结构100的侧壁具有倾斜轮廓，表示导体结构100的侧壁与承载导体结构100的基材的上表面之间具有小于90度的底角。进一步而言，在本实施方式中，导体结构10本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导体结构，其特征在于，包括：第一金属层；第二金属层，配置于所述第一金属层上，其中所述第一金属层的材质与所述第二金属层的材质包括至少一种相同的金属元素；以及控制层，配置于所述第一金属层与所述第二金属层之间，其中所述控制层的厚度小于所述第一金属层的厚度及所述第二金属层的厚度。

【技术特征摘要】
1.一种导体结构，其特征在于，包括：第一金属层；第二金属层，配置于所述第一金属层上，其中所述第一金属层的材质与所述第二金属层的材质包括至少一种相同的金属元素；以及控制层，配置于所述第一金属层与所述第二金属层之间，其中所述控制层的厚度小于所述第一金属层的厚度及所述第二金属层的厚度。2.根据权利要求1所述的导体结构，其中所述第一金属层与所述第二金属层的厚度差为以下。3.根据权利要求1所述的导体结构，其中所述控制层的材质选自由氮化物、氧化物及氮氧化物所组成的族群。4.根据权利要求1所述的导体结构，还包括：底导体层；以及顶导体层，与所述底导体层相对设置，其中所述第一金属层介于所述底导体层与所述控制层之间，所述第二金属层介于所述控制层及所述顶导体层之间。5.根据权利要求4所述的导体结构，其中所述底导体层的边缘突出于所述第一金属层的边缘。6.一种面板装置，其特征在于，包括：第一基板；第二基板，与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈明俊，黄旭闵，杨士贤，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71