电子装置及其制造方法制造方法及图纸

本公开提供一种电子装置及其制造方法，所述电子装置包括承载基板、穿孔、晶种层结构、导电元件以及电路结构。承载基板在第一方向上具有第一厚度。穿孔贯穿承载基板。晶种层结构设置在承载基板上且延伸至穿孔中。导电元件设置在穿孔中。电路结构设置在导电元件上。晶种层结构包括多个晶种层。多个晶种层当中的第一晶种层包括在穿孔中相邻的两个区段。相邻的两个区段在承载基板的第一方向上具有第一间距，且第一间距与第一厚度的比例在0.01％到0.1％的范围中。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种电子装置及其制造方法，尤其涉及一种具有良好可靠度的电子装置及其制造方法。

技术介绍

1、在目前的半导体封装技术中，将不同功能的电子单元搭载于同一基板上是提升电子装置性能的手段之一。然而，随着电子装置的尺寸不断朝向轻、薄、短、小的方面开发以及使用者对于电子装置的性能要求也不断提升的情况下，搭载于上述基板的电子单元的密度也越来越多，从而让贯穿上述基板的导电通孔的深宽比(aspect ratio)也不断提升(例如深宽比可能高达9以上)，使得导电通孔在可靠度和/或工艺时间方面可能难以满足现今或是未来的要求。

技术实现思路

1、本公开提供一种电子装置，其中多个晶种层当中的第一晶种层包括彼此相邻且在穿孔中彼此间隔开来的两个区段，相邻的两个所述区段在承载基板的第一方向上彼此间隔开一间距，且所述间距与所述承载基板的厚度的比例在0.01％到0.1％的范围中，如此可使得形成于所述穿孔中的导电元件能够良好的填入所述穿孔中以改善因高深宽比而造成的缺陷(例如导电元件中存在对其电阻率造成负面影响的空隙，或是所述空隙过大而造本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电子装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述承载基板包括玻璃。

3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述承载基板的所述第一厚度在50μm到1000μm的范围中。

4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述缓冲层的厚度小于1μm。

6.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述缓冲层的损耗因数在10GHz下小于0.01。

7.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，还包括：p>

8.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种电子装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述承载基板包括玻璃。

3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述承载基板的所述第一厚度在50μm到1000μm的范围中。

4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述缓冲层的厚度小于1μm。

6.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述缓冲层的损...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾嘉平，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：