阵列基板制造技术

一种阵列基板，包括沟道层、源极层和漏极层，沟道层分别与源极层和漏极层连接，源极层与漏极层之间设有多个导电线路,各导电线路相互并联设置。本实用新型专利技术的阵列基板的源极层与漏极层之间具有多条导电路径，降低了单方向沟道被损坏的风险，提高了电路驱动均一性。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板
本技术涉及显示
，特别是关于一种阵列基板。
技术介绍
随着显示技术的进步，电子显示产品的屏幕越来越向着窄边框甚至是无边框发展，尤其是OLED(有机发光二极管)显示装置。OLED显示装置的驱动电路TFT结构包括沟道层、栅介质层和栅极层，其中沟道层通过重掺杂和轻掺杂形成源、漏电极和导电沟道。由于导电沟道的一般为一维的直线形或者曲线形，导电路径只有一条，当OLED显示装置发生弯折时，尤其是垂直于沟道层的方向弯折，容易导致导电沟道发生裂纹或者断裂，一旦发生裂纹或者断裂，驱动TFT将无法再正常工作，从而造成OLED显示装置显示不良。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供了一种阵列基板，源极层与漏极层之间具有多条导电路径，降低了单方向沟道被损坏的风险，提高了电路驱动均一性。一种阵列基板，包括沟道层、源极层和漏极层，沟道层分别与源极层和漏极层连接，源极层与漏极层之间设有多个导电线路,各导电线路相互并联设置。在本技术的较佳实施例中，上述沟道层包括第一主导电层、第二主导电层和多个副导电层，多个导电线路包括该多个副导电层，各该副导电层连接于该第一主导电层与该第二主导电层之间，该源极层与该第一主导电层连接，该漏极层与该第二主导电层连接。在本技术的较佳实施例中，上述多个副导电层包括第一副导电层和第二副导电层，该第一副导电层与该第二副导电层的首尾相连形成第一环形导电层，该第一主导电层和该第二主导电层的一端分别连接于该第一环形导电层。在本技术的较佳实施例中，上述多个副导电层包括第一副导电层、第二副导电层、第三副导电层和第四副导电层，该第一副导电层与该第二副导电层的首尾相连形成第一环形导电层，该第三副导电层与该第四副导电层的首尾相连形成第二环形导电层，该第一主导电层与该第二环形导电层相互连接，该第一主导电层的一端连接于该第一环形导电层，该第二主导电层的一端连接于该第二环形导电层。在本技术的较佳实施例中，上述多个副导电层包括第一副导电层、第二副导电层、第三副导电层、第四副导电层、第五副导电层和第六副导电层，该第一副导电层与该第二副导电层的首尾相连形成第一环形导电层，该第三副导电层与该第四副导电层的首尾相连形成第二环形导电层，该第五副导电层与该第六副导电层的首尾相连形成第三环形导电层，该第一主导电层、该第二环形导电层、该第三环形导电层相互连接，该第一主导电层的一端连接于该第一环形导电层，该第二主导电层的一端连接于该第三环形导电层。在本技术的较佳实施例中，上述多个副导电层包括第一副导电层、第二副导电层、第三副导电层、第四副导电层、第五副导电层、第六副导电层、第七副导电层和第八副导电层，该第一副导电层与该第二副导电层的首尾相连形成第一环形导电层，该第三副导电层与该第四副导电层的首尾相连形成第二环形导电层，该第五副导电层与该第六副导电层的首尾相连形成第三环形导电层，该第七副导电层与该第八副导电层的首尾相连形成第四环形导电层，该第一主导电层、该第二环形导电层、该第三环形导电层、该第四环形导电层相互连接，该第一主导电层的一端连接于该第一环形导电层，该第二主导电层的一端连接于该第四环形导电层。在本技术的较佳实施例中，上述阵列基板还包括基板、保护层、绝缘层和栅极，该保护层设置在该基板上，该沟道层、该源极层和该漏极层设置在该保护层上，该绝缘层覆盖该沟道层、该源极层和该漏极层，该栅极设置在该绝缘层上，且该栅极位于该保护层上的投影覆盖该沟道层。一种阵列基板，包括多个沟道层、源极层和漏极层，该源极层包括多个源极支路，各该沟道层分别与该源极层和该漏极层连接，该源极层与该漏极层之间设有多个导电线路,各该导电线路相互并联设置。在本技术的较佳实施例中，上述源极层包括多个源极支路，多个源极支路包括第一源极支路和第二源极支路；该漏极层包括多个漏极支路，多个漏极支路包括第一漏极支路和第二漏极支路，多个导电线路包括该多个源极支路和该多个漏极支路；多个沟道层包括第一沟道层和第二沟道层，该第一源极支路与该第一沟道层连接，该第二源极支路与该第二沟道层连接；该第一漏极支路与该第一沟道层连接，该第二漏极支路与该第二沟道层连接。在本技术的较佳实施例中，上述源极层包括多个源极支路，多个源极支路包括第一源极支路、第二源极支路、第三源极支路和第四源极支路；该阵列基板包括两个漏极层，两个漏极层包括第一漏极层和第二漏极层，该第一漏极层包括第一漏极支路和第二漏极支路，该第二漏极层包括第三漏极支路和第四漏极支路，多个导电线路包括该多个源极支路和该漏极层的各漏极支路；多个沟道层包括第一沟道层、第二沟道层、第三沟道层和第四沟道层，该第一源极支路、该第二源极支路、该第三源极支路和该第四源极支路分别与该第一沟道层、该第二沟道层、该第三沟道层和该第四沟道层连接；该第一漏极支路、该第二漏极支路、该第三漏极支路和该第四漏极支路分别与该第一沟道层、该第二沟道层、该第三沟道层和该第四沟道层连接。本技术的阵列基板的沟道层分别与源极层和漏极层连接，源极层与漏极层之间设有多个导电线路,各导电线路相互并联设置。因此，源极层与漏极层之间具有多条导电路径，当阵列基板因弯折造成任何一个副导电层断裂时，不会造成TFT开关失效，降低了单方向沟道被损坏的风险，提高了电路驱动均一性。附图说明图1是本技术第一实施例的阵列基板的局部平面结构示意图。图2是本技术第一实施例的阵列基板的剖视结构示意图。图3是本技术第二实施例的阵列基板的局部平面结构示意图。图4是本技术第三实施例的阵列基板的局部平面结构示意图。图5是本技术第四实施例的阵列基板的局部平面结构示意图。图6是本技术第五实施例的阵列基板的局部平面结构示意图。图7是本技术第六实施例的阵列基板的局部平面结构示意图。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术的实施方式作进一步地描述。第一实施例图1是本技术第一实施例的阵列基板的局部平面结构示意图。图2是本技术第一实施例的阵列基板的剖视结构示意图。如图1和图2所示，阵列基板10包括基板11、保护层12、沟道层13、源极层14、漏极层15、绝缘层16和栅极17。基板11可进行弯折，基板11由柔性材料制成。保护层12设置在基板11上，沟道层13、源极层14和漏极层15位于同一层，沟道层13分别与源极层14和漏极层15连接，沟道层13、源极层14和漏极层15设置在保护层12上。绝缘层16覆盖沟道层13、源极层14和漏极层15，栅极17设置在绝缘层16上，且栅极17位于保护层12上的投影覆盖沟道层13。沟道层13、源极层14、漏极层15、绝缘层16和栅极17组合驱动电路的TFT开关。沟道层13、源极层14和漏极层15是由多晶硅通过重掺杂、轻掺杂以及蚀刻形成，关于沟道层13、源极层14和漏极层15制作工艺可参照现有技术，此处不再赘述。在本实施例中,阵列基板10是可弯折的柔性阵列基板。值得一提的是，由于沟道层13、源极层14和漏极层15是采用同一层材料通过重、轻掺杂形成，使得沟道层13、源极层14和漏极层15位于阵列基板10的同一层中，该种结构能减少刻蚀工艺的步骤，能有效降低生产成本(相较于沟道层13、源极层14本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括沟道层、源极层和漏极层，该沟道层分别与该源极层和该漏极层连接，该源极层与该漏极层之间设有多个导电线路,各该导电线路相互并联设置。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括沟道层、源极层和漏极层，该沟道层分别与该源极层和该漏极层连接，该源极层与该漏极层之间设有多个导电线路,各该导电线路相互并联设置。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，该沟道层包括第一主导电层、第二主导电层和多个副导电层，多个导电线路包括该多个副导电层，各该副导电层连接于该第一主导电层与该第二主导电层之间，该源极层与该第一主导电层连接，该漏极层与该第二主导电层连接。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，多个副导电层包括第一副导电层和第二副导电层，该第一副导电层与该第二副导电层的首尾相连形成第一环形导电层，该第一主导电层和该第二主导电层的一端分别连接于该第一环形导电层。4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，多个副导电层包括第一副导电层、第二副导电层、第三副导电层和第四副导电层，该第一副导电层与该第二副导电层的首尾相连形成第一环形导电层，该第三副导电层与该第四副导电层的首尾相连形成第二环形导电层，该第一主导电层与该第二环形导电层相互连接，该第一主导电层的一端连接于该第一环形导电层，该第二主导电层的一端连接于该第二环形导电层。5.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，多个副导电层包括第一副导电层、第二副导电层、第三副导电层、第四副导电层、第五副导电层和第六副导电层，该第一副导电层与该第二副导电层的首尾相连形成第一环形导电层，该第三副导电层与该第四副导电层的首尾相连形成第二环形导电层，该第五副导电层与该第六副导电层的首尾相连形成第三环形导电层，该第一主导电层、该第二环形导电层、该第三环形导电层相互连接，该第一主导电层的一端连接于该第一环形导电层，该第二主导电层的一端连接于该第三环形导电层。6.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，多个副导电层包括第一副导电层、第二副导电层、第三副导电层、第四副导电层、第五副导电层、第六副导电层、第七副导电层和第八副导电层，该第一副导电层与该第二副导电层的首尾相连形成第一环形导电层，该第三副导电层与该第四副导电层的首尾相连形成第二环形导电层，该第五副导电层与该第六副导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：周茂清，陈红，张德强，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32