半导体器件及其制造方法技术

本申请提供了一种半导体装置以及一种制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：位于衬底上的栅绝缘层、位于栅绝缘层上的第一功函数调整层、在第一功函数调整层上且与第一功函数调整层接触的下阻挡导电层以及在下阻挡导电层上且与下阻挡导电层接触的上阻挡导电层。上阻挡导电层和下阻挡导电层包括共同的材料，例如，它们可以各自包括氮化钛(TiN)层。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年3月7日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0028654的优先权，其公开内容通过引用的方式合并于此。
本专利技术构思涉及半导体器件及其制造方法。
技术介绍
随着信息媒体的迅速普及，半导体器件的性能也急剧发展。最近的半导体器件需要高度集成来实现低成本和高质量以提高竞争力。为了高度集成，半导体器件不断缩小。正在进行研究以提高半导体器件的操作速度和集成度。半导体器件具有诸如MOS晶体管的分立器件。随着半导体器件高度集成化，MOS晶体管的栅极越来越小，栅极下方的沟道区也越来越窄。
技术实现思路
本专利技术构思的方面提供了一种能够通过执行膜处理来降低功函数调整层的电阻从而改善操作性能和可靠性的半导体器件。本专利技术构思的方面还提供一种用于制造半导体器件的方法，其通过执行膜处理来降低功函数调整层的电阻从而改善操作性能和可靠性。应该注意，本专利技术构思的目的不限于上述目的，并且根据以下描述，本专利技术构思的其它目的对于本领域技术人员来说将是显而易见的。根据本专利技术构思的一个方面，提供了一种半导体装置，包括：位于衬底上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：栅绝缘层，其在衬底上；第一功函数调整层，其在所述栅绝缘层上；下阻挡导电层，其在所述第一功函数调整层上且与所述第一功函数调整层接触；以及上阻挡导电层，其在所述下阻挡导电层上且与所述下阻挡导电层接触，其中，所述上阻挡导电层和所述下阻挡导电层包括共同的材料。

【技术特征摘要】
2017.03.07 KR 10-2017-00286541.一种半导体装置，包括：栅绝缘层，其在衬底上；第一功函数调整层，其在所述栅绝缘层上；下阻挡导电层，其在所述第一功函数调整层上且与所述第一功函数调整层接触；以及上阻挡导电层，其在所述下阻挡导电层上且与所述下阻挡导电层接触，其中，所述上阻挡导电层和所述下阻挡导电层包括共同的材料。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述下阻挡导电层和所述上阻挡导电层各自包括氮化钛层。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一功函数调整层包括n型功函数调整层。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第一功函数调整层包括碳化钛铝层。5.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括第二功函数调整层，其在所述第一功函数调整层和所述栅绝缘层之间。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第二功函数调整层包括氮化钛层。7.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括下氮化钛层和蚀刻停止导电层，其堆叠在所述栅绝缘层上并且在所述栅绝缘层和所述第一功函数调整层之间。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第一功函数调整层与所述蚀刻停止导电层接触。9.根据权利要求7所述的半导体装置，还包括第二功函数调整层，其在所述蚀刻停止导电层和所述第一功函数调整层之间。10.一种半导体装置，包括：层间绝缘层，其在衬底上并且限定第一沟槽和第二沟槽；n型第一功函数调整层，其沿所述第一沟槽的侧壁和底表面延伸；第一下阻挡导电层，其在所述n型第一功函数调整层上且与所述n型第一功函数调整层接触；第一上阻挡导电层，其在所述第一下阻挡导电层上且与所述第一下阻挡导电层接触，其中，所述第一上阻挡导电层和所述第一下阻挡导电层包括共同的第一材料；第二功函数调整层，其沿所述第二沟槽的侧壁和底表面延伸，其中，所述第二功函数调整层和所述n型第一功函数调整层包括共同的第二材料；以及第二阻挡导电层，其在所述第二功函数调整层上，其中，所述第二阻挡导电层和所述第一下阻挡导电层包括共同的第三材料，其中，所述第二阻挡导电层的厚度大于所述第一下阻挡导电层的厚度并且大于所述第一上阻挡导电层的厚度。11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述第二阻挡导电层的厚度实质上等于所述第一下阻挡导电层的厚度与所述第一上阻挡导电层的厚度之和。12.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：李炳训，金贤陈，罗勋奏，徐圣仁，李灿珩，李厚容，郑圣勋，玄尚镇，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR