【技术实现步骤摘要】
半导体基片处理微腔室机械支撑装置
本专利技术涉及半导体晶圆或相似工件的表面处理领域,特别设计一种用于化学处理半导体晶圆表面,以及清洁、蚀刻及其它类似处理的装置。
技术介绍
在利用晶圆生产集成电路的过程中,需要经过多次的清洗、蚀刻等处理,上述处理的方法主要可以分为干法和湿法两类,其中湿法处理是现有技术中应用最广泛的方法,现有的湿法工艺主要包括化学溶液浸没以及喷射法两种。2012年10月17日公开的公告号为CN102737955A的本案申请人申请的专利文本中,公开了一种利用微处理腔室对晶圆进行湿法处理的方法。在微处理腔室中,半导体晶圆被紧密接纳及处理。由上腔室及下腔室组成的微处理腔室可处于打开位置中以装载或移除半导体晶圆或处于闭合位置中以将化学试剂或其它流体引入至腔室中以用于半导体晶圆的处理。可通过上可移动零件与下可移动零件的相对移动实现上述打开或闭合位置。通过四个支柱自下可移动零件的底板的各角部分向上延伸至上可移动零件的顶板将设备的上可移动零件及下可移动零件固持在一起,可移动零件可沿着四个支柱升高或降低以设定微处理腔室使其处于打开位置或闭合位置中。然而,存在相关联于 ...
【技术保护点】
1.半导体基片处理微腔室机械支撑装置,包括:第一支撑单元、可移动单元、第二支撑单元、第三支撑单元及多根支柱;其特征在于:所述第一支撑单元包括:水平设置的第一支撑板,及固定设置在第一支撑板上方的支撑环;所述可移动单元通过所述第一支撑单元支撑,包括:驱动装置;移动座:所述移动座呈圆柱状,移动座的上部和下部分别设有环状的上凹环及下凹环,所述移动座的下凹环与所述支撑环互相可滑动地套合,形成一个套合空间,所述驱动装置设置在所述套合空间内,且分别与所述移动座的下方以及第一支撑板的上方固定连接;所述移动座、支撑环、以及移动座的上凹环和下凹环的圆心同轴;以及下腔室:所述下腔室设置在移动座的 ...
【技术特征摘要】
1.半导体基片处理微腔室机械支撑装置,包括:第一支撑单元、可移动单元、第二支撑单元、第三支撑单元及多根支柱;其特征在于:所述第一支撑单元包括:水平设置的第一支撑板,及固定设置在第一支撑板上方的支撑环;所述可移动单元通过所述第一支撑单元支撑,包括:驱动装置;移动座:所述移动座呈圆柱状,移动座的上部和下部分别设有环状的上凹环及下凹环,所述移动座的下凹环与所述支撑环互相可滑动地套合,形成一个套合空间,所述驱动装置设置在所述套合空间内,且分别与所述移动座的下方以及第一支撑板的上方固定连接;所述移动座、支撑环、以及移动座的上凹环和下凹环的圆心同轴;以及下腔室:所述下腔室设置在移动座的上凹环内;所述第二支撑单元包括:水平设置的第二支撑板,所述第二支撑板与第一支撑板之间通过所述多根支柱固定连接;及上腔室,所述上腔室通过开设在第二支撑板上的穿孔定位且由第二支撑板支撑,所述上腔室的位置与下腔室对应,两者结构上经过合理设计,上腔室与下腔室接触时形成处理半导体晶圆的微处理腔;所述第三支撑单元经结构设计以施加压力至所述上腔室以水平且良好地定位上腔室,包括:第三支撑板,所述第三支撑板通过所述多根支柱固定连接,且具有施加压力至所述上腔室的多个螺钉、加强结构或可移动零件。2.根据权利要求1所述的一种半导体基片处理微腔室机械支撑装置,其特征在于:所述第一支撑单元还包括多个第一支撑梁,所述第二支撑单元还包括多个第二支撑梁,所述第三支撑单元还包括多个第三支撑梁。3.根据权利要求2所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:温子瑛,王吉,王致凯,
申请(专利权)人:无锡华瑛微电子技术有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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