【技术实现步骤摘要】
一种采用电解工艺清除晶片表面磷硅-硼硅玻璃氧化层的夹具
本技术涉及处理晶片表面磷硅-硼硅玻璃氧化层的装置。
技术介绍
目前晶片(wafer)生产制造中，磷硅玻璃、硼硅玻璃氧化层的表面处理工艺主要有以下方法1:干式、湿式喷砂工艺：也是目前较为常用的去除磷硅玻璃、硼硅玻璃氧化层的工艺方法，该方法简单，成本较低，容易掌握，但是该工艺方法在去除磷硅玻璃、硼硅玻璃氧化层的同时，同时会在wafer的表面产生一层机械损伤层，降低wafer本身的强度，进而影响产品的后续良率，损伤程度与喷砂压力大小有着直接的关系，且会对后续产品的良率及隐形的crack有直接的影响；由于喷砂工艺在喷砂作业中，使用较大的气体和砂水压力，会产生较大的噪音污染，长时间处于此环境下，人体的听力会受到很大程度的影响，由于使用砂的大小均为几十微米的粉尘，很容易引起粉尘污染，对人体呼吸系统造成损害。2:混酸腐蚀工艺：利用不同的酸配比工艺，将wafer表面的磷硅玻璃、硼硅玻璃氧化层腐蚀剥离工艺，此方法的优势主要是不会对wafer的表面造成损伤，但是混酸腐蚀工艺并不能完全将表面完全去除干净，且在去除到氧化层的底层是会对wafer有一定的腐蚀，后续仍需要结合小压力的喷砂工艺将表面的残留氧化层去除干净。
技术实现思路
为解决喷砂工艺造成的晶片（wafer）表面机械损伤及混酸腐蚀无法彻底一次去除干净表面的磷硅玻璃、硼硅玻璃氧化层的问题,本专利技术提供一种采用电解工艺清除晶片表面磷硅-硼硅玻璃氧化层的夹具,夹具由面板和底板两块绝缘板构成，两块绝缘板用螺钉连接在一起能分离，面板和底板上对应地有定位槽，电极导电凹槽，圆形通孔...
【技术保护点】
1.一种采用电解工艺清除晶片表面磷硅‑硼硅玻璃氧化层的夹具，其特征在于，夹具由面板和底板两块绝缘板构成，两块绝缘板用螺钉连接在一起能分离，面板和底板上对应地有定位槽，电极导电凹槽，圆形通孔，圆形通孔内圆有导电的电极，在面板的圆形通孔和电极导电凹槽之间，有二根隐性导电极与圆形通孔内圆电极连通，在底板圆形通孔的上方有一段凸起平口。
【技术特征摘要】
1.一种采用电解工艺清除晶片表面磷硅-硼硅玻璃氧化层的夹具，其特征在于，夹具由面板和底板两块绝缘板构成，两块绝缘板用螺钉连接在一起能分离，面板和底板上对应地有定位槽，电极导电凹槽，圆形通孔，圆形通孔内圆有导电的电极，在面板的圆形通孔和电极导电凹槽之间，有二根隐性导电极与圆形通孔内圆电极连通，在底板圆...
【专利技术属性】
技术研发人员：马兆国，蔡荣华，黄建勋，
申请(专利权)人：上海旭福电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31
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