【技术实现步骤摘要】
水冷装置及单晶硅生长炉
本技术涉及一种水冷装置及单晶硅生长炉。
技术介绍
目前，生产单晶硅的方法主要有直拉法、悬浮区熔法、基座法和片状单晶生长法等，其中，由于直拉法生长单晶硅的设备和工艺较为简单，生产效率高，且容易控制单晶中的杂质浓度，因此，直拉法生长单晶硅应用较为广泛，单晶硅生长炉是直拉法制备单晶硅的主要设备。现有的单晶硅生长炉一般包括炉体和设于炉体上的炉盖，炉体内设有容纳硅溶液的坩埚，单晶硅棒可从坩埚内向上生长延伸。但是，在生产过程中，炉体内纵向温度梯度较小，导致单晶硅的生长速度难以提高，不以利于增加单晶硅的产量。在所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本技术的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种能提高单晶硅产量且易于拆装的水冷装置及单晶硅生长炉。本技术的额外方面和优点将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将从描述中变得显然，或者可以通过本技术的实践而习得。根据本技术的一个方面，一种水冷装置，用于单晶硅生长炉，所述单晶硅生长炉包括炉盖和炉体，所述水冷装置包括法兰盘...
【技术保护点】
1.一种水冷装置，用于单晶硅生长炉，所述单晶硅生长炉包括炉盖和炉体，其特征在于，所述水冷装置包括：法兰盘，设于所述炉体顶部，所述炉盖设于所述法兰盘上，所述法兰盘设有能与外界连通的第一进水口和第一出水口；第一管道，设于所述炉体内并沿竖直方向螺旋盘绕，以形成供单晶硅棒伸入的第一水套，所述第一管道的一端与所述第一进水口连通，另一端与所述第一出水口连通。
【技术特征摘要】
1.一种水冷装置，用于单晶硅生长炉，所述单晶硅生长炉包括炉盖和炉体，其特征在于，所述水冷装置包括：法兰盘，设于所述炉体顶部，所述炉盖设于所述法兰盘上，所述法兰盘设有能与外界连通的第一进水口和第一出水口；第一管道，设于所述炉体内并沿竖直方向螺旋盘绕，以形成供单晶硅棒伸入的第一水套，所述第一管道的一端与所述第一进水口连通，另一端与所述第一出水口连通。2.根据权利要求1所述的水冷装置，其特征在于，所述第一水套为向所述炉体底部逐渐缩小的锥筒形结构。3.根据权利要求1所述的水冷装置，其特征在于，所述第一管道沿竖直方向往复螺旋盘绕，以使所述第一水套包括内层管路和外层管路。4.根据权利要求1-3任一项所述的水冷装置，其特征在于，所述法兰盘设有能与外界连通的第二进水口和第二出水口，所述水冷装置还包括：第二管道，设于所述炉盖内并沿竖直方向螺旋盘绕，以形成单层的第二水套，所述第二管道的一端与所述第二进水口连通，另一端与所述第二出水口连通。5...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈家骏，邹凯，曾世铭，徐由兵，田栋东，
申请(专利权)人：包头市山晟新能源有限责任公司，
类型：新型
国别省市：内蒙古,15
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