【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅铸锭炉的晶体高度测量装置
本技术涉及一种多晶硅铸锭炉的晶体高度测量装置。
技术介绍
在多晶硅半熔铸锭工艺中，使用多晶硅碎片铺在坩埚底部作为籽晶，在熔化过程中控制硅料的熔化速度，在熔化结束步骤中保证底部剩余一定厚度的硅料，剩余的硅料作为长晶所需要的引晶材料，准确测量籽晶熔化程度成为决定硅锭质量的主要因素。现行的测量方法为，将石英棒插入融化的硅液中，随着石英棒的下降作为参照物的扎带随即向上移动，接触籽晶时随即提起石英棒，测量石英棒顶部到扎带的距离，从而间接计算出此时的籽晶剩余高度。但是玻璃棒提时会影响扎带的位置，进而影响测量的准确性。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是：提供一种快速、准确检测底部籽晶剩余高度的晶体高度测量装置。为解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案为：一种多晶硅铸锭炉的晶体高度测量装置，包括设置在炉体上的密封法兰，密封法兰中活动穿设有可以任意位置停留在密封法兰内的测量石英棒，炉体外侧上部设有测量支架，测量支架上设有测量刻度，测量支架上设有位置可上下调节的上限位装置，测量支架上设有上下位置可调的下限位装置，下限位装置到密封法兰上表面的距离为...
【技术保护点】
1.一种多晶硅铸锭炉的晶体高度测量装置，包括设置在炉体上的密封法兰，密封法兰中活动穿设有可以任意位置停留在密封法兰内的测量石英棒，炉体外侧上部设有测量支架，测量支架上设有测量刻度，测量支架上设有位置可上下调节的上限位装置，测量支架上设有上下位置可调的下限位装置，下限位装置到密封法兰上表面的距离为石英棒长度减去籽晶设定厚度表面到密封法兰上表面的距离，石英棒顶部设有限位板，限位板套设在测量支架上且位于上限位装置和下限位装置之间的部分上，上限位装置和下限位装置之间的距离值大于等于结晶后的籽晶上表面到顶部保温层顶面的距离值且小于石英棒的长度值。
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅铸锭炉的晶体高度测量装置，包括设置在炉体上的密封法兰，密封法兰中活动穿设有可以任意位置停留在密封法兰内的测量石英棒，炉体外侧上部设有测量支架，测量支架上设有测量刻度，测量支架上设有位置可上下调节的上限位装置，测量支架上设有上下位置可调的下限位装置，下限位装...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭宽新，黄金强，冯强，
申请(专利权)人：苏州晶樱光电科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32
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