一种半导体的加工方法技术

本申请公开了一种半导体的加工方法，包括以下步骤：（1）晶圆处理制程，先将晶圆适当清洗，再进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入和金属溅镀，最后完成数层电路及元件加工与制作；（2）晶圆针测制程，用针测仪对晶圆的每个晶粒检测其电气特性；（3）构装，将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的引接线端与基座底部伸出的插脚连接，封胶，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死；（4）测试制程，将封装后的芯片置于测试装置的模拟环境下测试其电气特性，包括消耗功率、运行速度和耐压度，经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体的加工方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种半导体的加工方法。
技术介绍
半导体制造工艺是集成电路实现的手段，也是集成电路设计的基础。自从1948年晶体管专利技术以来，半导体器件工艺技术的发展经历了三个主要阶段：1950年采用合金法工艺，第一次生产出了实用化的合金结三极管；1955年扩散技术的采用是半导体器件制造技术的重大发展，为制造高频器件开辟了新途径；1960年平面工艺和外延技术的出现是半导体制造技术的重大变革，不但大幅度地提高了器件的频率、功率特性，改善了器件的稳定性和可靠性，而且也使半导体集成电路的工业化批量生产得以成为现实。目前平面工艺仍然是半导体器件和集成电路生产的主流工艺。晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999%。晶圆工艺是从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体的加工方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）晶圆处理制程，先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入和金属溅镀，最后在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作；（2）晶圆针测制程，用针测仪对晶圆的每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃；（3）构装，将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，封胶，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死；（4）测试制程，将封装后的芯...

【技术特征摘要】
1.一种半导体的加工方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）晶圆处理制程，先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入和金属溅镀，最后在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作；（2）晶圆针测制程，用针测仪对晶圆的每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃；（3）构装，将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，封胶，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死；（4）测试制程，将封装后的芯片置于测试装置的模拟环境下测试其电气特性，包括消耗功率、运行速度和耐压度，经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。2.根据权利要求1所述的半导体的加工方法，其特征在于：在进行化学气相沉积过程时，包含有被沉积材料之原子的气体，会被导入受到严密控制的制程反应室内，当这些原子在受热的晶圆表面上起化学反应时，会在晶圆表面产生一层固态薄膜。3.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：翁国权，
申请(专利权)人：广西桂芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广西,45