干刻蚀设备腔体气体侦测系统技术方案

本发明专利技术提供一种干刻蚀设备腔体气体侦测系统。该干刻蚀设备腔体气体侦测系统包括：腔体、设于所述腔体内的侦测传感器以及设于所述腔体外并与侦测传感器电性连接的监控设备；所述侦测传感器用于侦测腔体内干刻蚀气体的浓度，并反馈给监控设备；所述监控设备用于显示腔体内干刻蚀气体的浓度，方便作业人员确定腔体内干刻蚀气体的浓度，当腔体内干刻蚀气体的浓度低于一危险浓度，才可以打开腔体进行作业，防止腔体内的干刻蚀气体对作业人员产生危害，保证作业人员在确定干刻蚀气体的浓度合规的情况下进行作业，提高作业的安全系数。

Gas detection system for dry etching equipment chamber

The invention provides a gas detection system for a dry etching equipment chamber. The cavity gas detection system of the dry etching device comprises a cavity, a detection sensor located in the cavity and a monitoring device arranged outside the cavity and electrically connected with the detection sensor; the detection sensor is used for detecting the concentration of the dry etching gas in the cavity and feeding back to the monitoring device; and the monitoring device is used for detecting the concentration of the dry etching gas in the cavity. It is convenient for operators to determine the concentration of dry etching gas in the chamber by displaying the concentration of dry etching gas in the chamber. When the concentration of dry etching gas in the chamber is lower than a dangerous concentration, the chamber can be opened for operation to prevent the harm of dry etching gas in the chamber to the operators and ensure that the operators are in the process of determining dry etching. The operation of gas concentration and compliance will improve the safety factor of operation.

【技术实现步骤摘要】
干刻蚀设备腔体气体侦测系统
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种干刻蚀设备腔体气体侦测系统。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)是目前液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(ActiveMatrixOrganicLight-EmittingDiode，AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系平板显示装置的显示性能。薄膜晶体管具有多种结构，制备相应结构的薄膜晶体管的材料也具有多种，低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon，LTPS)材料是其中较为优选的一种，由于低温多晶硅的原子规则排列，载流子迁移率高，对电压驱动式的LCD而言，LTPSTFT由于其具有较高的迁移率，可以使用体积较小的TFT实现对液晶分子的偏转驱动，在很大程度上缩小了TFT所占的体积，增加透光面积，得到更高的亮度和解析度；对于电流驱动式的AMOLED而言，LTPSTFT可以更好的满足驱动电流的要求。在LTPS工艺中，氯气常常被用作多晶硅、栅极线(Gateline)和数据线(Dataline)的干蚀刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种干刻蚀设备腔体气体侦测系统，其特征在于，包括：腔体(10)、设于所述腔体(10)内的侦测传感器(20)以及设于所述腔体(10)外并与侦测传感器(20)电性连接的监控设备(30)；所述腔体(10)内具有干刻蚀气体(11)；所述侦测传感器(20)用于侦测腔体(10)内干刻蚀气体(11)的浓度，并反馈给监控设备(30)；所述监控设备(30)用于显示腔体(10)内干刻蚀气体(11)的浓度。

【技术特征摘要】
1.一种干刻蚀设备腔体气体侦测系统，其特征在于，包括：腔体(10)、设于所述腔体(10)内的侦测传感器(20)以及设于所述腔体(10)外并与侦测传感器(20)电性连接的监控设备(30)；所述腔体(10)内具有干刻蚀气体(11)；所述侦测传感器(20)用于侦测腔体(10)内干刻蚀气体(11)的浓度，并反馈给监控设备(30)；所述监控设备(30)用于显示腔体(10)内干刻蚀气体(11)的浓度。2.如权利要求1所述的干刻蚀设备腔体气体侦测系统，其特征在于，所述腔体(10)的一端设有至少一个抽气孔(12)；所述抽气孔(12)用于持续向腔体(10)外抽出位于腔体(10)内的干刻蚀气体(11)。3.如权利要求1所述的干刻蚀设备腔体气体侦测系统，其特征在于，所述腔体(10)的另一端设有至少一个进气孔(13)；所述进气孔(13)用于持续向腔体(10)内通入稀释气体(14)。4.如权利要求1所述的干刻蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟华，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42