等离子体刻蚀方法及等离子体刻蚀后处理方法技术

本发明专利技术提供等离子体刻蚀方法及等离子体刻蚀后处理方法，包括如下步骤：1）提供一待刻蚀目标材料层；2）于待刻蚀目标材料层的表面形成图形化掩膜层；3）依据图形化掩膜层对待刻蚀目标材料层进行干法刻蚀，以在待刻蚀目标材料层内形成凹槽，凹槽的内表面形成有第一损伤层；4）使用第一处理气体对第一损伤层进行第一次刻蚀后处理，第一次刻蚀后处理后凹槽的内表面形成有第二损伤层；5）使用第二处理气体对第二损伤层进行第二次刻蚀后处理，第二次刻蚀后处理后凹槽的内表面残留有第二损伤层残留层。本发明专利技术可以防止形成的半导体元器件的电器性能不良及物理性能不良，进而确保半导体元器件的可靠性。

Plasma etching method and plasma etching post-processing method

The invention provides a plasma etching method and a plasma etching post-processing method, including the following steps: 1) providing a target material layer to be etched; 2) forming a graphical mask layer on the surface of the target material layer to be etched; 3) dry etching of the etched target material layer according to the graphical mask layer to be etched in order to be etched. A groove is formed in the target material layer, and a first damage layer is formed on the inner surface of the groove; 4) The first damage layer is etched with the first treatment gas, and a second damage layer is formed on the inner surface of the groove after the first etching treatment; 5) The second treatment gas is used to etch the second damage layer after the second etching. After treatment, there were second residual layers in the inner surface of the groove after second etching. The invention can prevent the electrical and physical properties of the formed semiconductor components from being poor, thereby ensuring the reliability of the semiconductor components.

【技术实现步骤摘要】
等离子体刻蚀方法及等离子体刻蚀后处理方法
本专利技术属于半导体制造
，特别是涉及一种等离子体刻蚀方法及等离子体刻蚀后处理方法。
技术介绍
因小型化、多功能以及制造单价低廉等特性，半导体元器件在电子行业已得到广泛的应用。但随着电子行业的法阵，半导体元器件集成度日益提高，随之也引发诸多问题：譬如，采用薄膜沉积工艺及干法刻蚀工艺之后会在沉积的薄膜层表面形成等离子体损伤层及反应残留污染物，而半导体元器件的集成度提高，半导体元器件内的图形的线宽及间距减小，而与之相反的是图形的高度与深宽比增加，若半导体元器件内的薄膜层中存在等离子体损伤层及反应残留污染物，这将会对半导体元器件的电气性能及物理性能造成很大的不良影响，进而导致半导体元器件的可靠性下降。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种等离子体刻蚀方法及等离子体刻蚀后处理方法，用于解决现有技术中的半导体元器件中存在干法刻蚀后形成的等离子体损伤层及反应残留污染物而导致的半导体元器件电气性能及物理性能造成很大的不良影响，进而导致半导体元器件的可靠性下降的问题。为实现上述目的及其它相关目的，本专利技术提供一种刻蚀方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：1)提供一待刻蚀目标材料层；2)于所述待刻蚀目标材料层的表面形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层包括若干个暴露出所述待刻蚀目标材料层的开口；3)依据所述图形化掩膜层对所述待刻蚀目标材料层进行干法刻蚀，以在所述待刻蚀目标材料层内形成凹槽，所述凹槽的内表面形成有第一损伤层；4)使用第一处理气体对所述第一损伤层进行第一次刻蚀后处理，以去除所述第一损伤层，并且所述第一次刻蚀后处理后所述凹槽的内表面形成有第二损伤层，所述第二损伤层的组分不同于所述第一损伤层；5)使用第二处理气体对所述第二损伤层进行第二次刻蚀后处理，以去除所述第二损伤层，当所述第二次...

【技术特征摘要】
1.一种等离子刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：1)提供一待刻蚀目标材料层；2)于所述待刻蚀目标材料层的表面形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层包括若干个暴露出所述待刻蚀目标材料层的开口；3)依据所述图形化掩膜层对所述待刻蚀目标材料层进行干法刻蚀，以在所述待刻蚀目标材料层内形成凹槽，所述凹槽的内表面形成有第一损伤层；4)使用第一处理气体对所述第一损伤层进行第一次刻蚀后处理，以去除所述第一损伤层，并且所述第一次刻蚀后处理后所述凹槽的内表面形成有第二损伤层，所述第二损伤层的组分不同于所述第一损伤层；5)使用第二处理气体对所述第二损伤层进行第二次刻蚀后处理，以去除所述第二损伤层，当所述第二次刻蚀后处理后所述凹槽的内表面残留有第二损伤层残留层，所述第二损伤层残留层的组分相同于所述第二损伤层。2.根据权利要求1所述的等离子刻蚀方法，其特征在于，步骤5)之后还包括如下步骤：6)将步骤5)得到的结构进行清洗，以将所述第二损伤层残留层完全去除。3.根据权利要求2所述的等离子刻蚀方法，其特征在于，步骤3)包括将步骤2)得到的结构置于干法刻蚀腔室的工作台上的第一阶段、依据所述图形化掩膜层对所述待刻蚀目标材料层进行干法刻蚀的第二阶段及干法刻蚀过程中在刻蚀后的凹槽内表面形成所述第一损失层的第三阶段；步骤4)包括使用所述第一处理气体对所述第一损伤层进行第一次刻蚀后处理的第四阶段及对所述第一损伤层进行第一次刻蚀后处理的过程中在第一次刻蚀后处理后所述凹槽的内表面形成所述第二损伤层的第五阶段；步骤5)包括使用第二处理气体对所述第二损伤层进行第二次刻蚀后处理的第六阶段；步骤6)包括将步骤5)得到的结构进行清洗的第七阶段；其中，所述第一阶段至所述第六阶段在同一腔室内执行，所述第七阶段独立于所述第一阶段至所述第六阶段之外单独执行。4.根据权利要求2所述的等离子刻蚀方法，其特征在于，步骤6)中，将步骤5)得到的结构进行清洗包括如下步骤：6-1)将所述第二损伤层残留层进行灰化处理；6-2)对灰化处理后的所述第二损伤残留层进行湿法清洗，以将残留于所述凹槽的内表面的所述第二损伤残留层剥离。5.根据权利要求4所述的等离子刻蚀方法，其特征在于，步骤6)后还包括如下步骤：7)去除所述图形化掩膜层。6.根据权利要求1所述的等离子刻蚀方法，其特征在于，所述待刻蚀目标材料层包括绝缘材料层及导电材料层构成的群组之一；步骤2)中，所述开口为孔形开口或线性开口。7.根据权利要求1所述的等离子刻蚀方法，其特征在于，步骤3)中形成的所述第一损伤层包括第一等离子体损伤层及位于所述第一等离子体损伤层表面的第一反应残留物。8.根据权利要求7所述的等离子刻蚀方法，其特征在于，步骤4)中形成的所述第二损伤层包括第二等离子体损伤层及位于所述第二等离子体损伤层表面的第二反应残留物，所述第二等离子体损伤层的厚度小于所述第一等离子体损伤层的厚度。9.根据权利要求1所述的等离子刻蚀方法，其特征在于，步骤4)中使用的所述第一反应气体包括无碳气体。10.根据权利要求9所述的等离子刻蚀方法，其特征在于，所述第一反应气体还包括氯气。11.根据权利要求1所述的等离子刻蚀方法，其特征在于，步骤4)中对所述第一损伤层进行第一次刻蚀后处理的等离子体的能量小于步骤3)中对所述待刻蚀目标材料层进行干法刻蚀的等离子体的能量。12.根据权利要求1所述的等离子刻蚀方法，其特征在于，步骤4)中对所述第一损伤层进行第...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：睿力集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34