一种半导体器件的制作方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一介质层，以及位于所述第一介质层之上的若干彼此间隔设置的第一器件结构；在所述第一器件结构的侧壁上形成间隙壁；去除所述第一介质层的表面部分；在去除了所述表面部分之后的第一介质层表面形成修复层，所述修复层的致密度大于被去除的表面部分的致密度；在所述第一介质层上形成图形化的掩膜层，并以所述图形化的掩膜层为掩膜刻蚀去除部分所述第一介质层位。该制作方法可以克服高压器件制作中湿法刻蚀先前形成的第一介质层时存在光刻胶层漂移和横向刻蚀大的问题。

A method of making semiconductor devices

The invention provides a method for making semiconductor devices, including: providing a semiconductor substrate, forming a first medium layer on the semiconductor substrate, and a number of first device structures arranged at intervals above the first medium layer; forming a gap wall on the side wall of the first device structure; removal of the gap wall; The surface portion of the first medium layer is described; a repair layer is formed on the surface of the first medium layer after the removal of the surface part, the densification of the repair layer is greater than the density of the removed surface part; a graphical mask is formed on the first medium layer, and the patterned mask is used to remove the mask for etching. The first media layer described in part. This method can overcome the problems of drift of photoresist layer and large transverse etching when wet etching the first dielectric layer formed before.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制作方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件的制作方法。
技术介绍
一般高压器件在栅氧生长之前，有源区已经生长了很厚的二氧化硅(即由于高压器件中部分区域需要较厚的氧化层，因此整个区域上都生长了很厚的二氧化硅)。为了后续器件的制作，需要用湿法刻蚀掉某些区域之前生长的厚二氧化硅。然而，在湿法刻蚀中出现了光刻胶层漂移和横向刻蚀大的问题。因此有必要提出一种半导体器件的制作方法，以解决上述问题。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提出一种半导体器件的制作方法，可以克服高压器件制作中湿法刻蚀先前形成的氧化层时存在光刻胶层漂移和横向刻蚀大的问题。为了克服目前存在的问题，本专利技术一方面提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一介质层，以及位于所述第一介质层之上的若干彼此间隔设置的第一器件结构；在所述第一器件结构的侧壁上形成间隙壁；去除所述第一介质层的表面部分；在去除了所述表面部分之后的第一介质层表面形成修复层，所述修复层的致密度大于被去除的表面部分的致密度；在所述第一介质层上形成图形化的掩膜层，并以所述图形化的掩膜层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一介质层，以及位于所述第一介质层之上的若干彼此间隔设置的第一器件结构；在所述第一器件结构的侧壁上形成间隙壁；去除所述第一介质层的表面部分；在去除了所述表面部分之后的第一介质层表面形成修复层，所述修复层的致密度大于被去除的表面部分的致密度；在所述第一介质层上形成图形化的掩膜层，并以所述图形化的掩膜层为掩膜刻蚀去除部分所述第一介质层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一介质层，以及位于所述第一介质层之上的若干彼此间隔设置的第一器件结构；在所述第一器件结构的侧壁上形成间隙壁；去除所述第一介质层的表面部分；在去除了所述表面部分之后的第一介质层表面形成修复层，所述修复层的致密度大于被去除的表面部分的致密度；在所述第一介质层上形成图形化的掩膜层，并以所述图形化的掩膜层为掩膜刻蚀去除部分所述第一介质层。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一介质层为热氧化工艺形成的氧化层；通过热处理工艺对形成所述修复层。3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述氧化层为硅氧化层。4.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述热处理的工艺温度为800℃～1000℃。5.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一介质层通过沉积工艺形成；通过热处理工艺或利用沉积工艺形成所述修复层。6.根据权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述修复层的材料与去除的所述第一介质层表面部分的材料相同。7.根据权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述修复层为氮化硅层，且利用沉积工艺形...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘孟彬，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33