温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一介质层，以及位于所述第一介质层之上的若干彼此间隔设置的第一器件结构；在所述第一器件结构的侧壁上形成间隙壁；去除所述第一介质层的表面部分；在去除了所述表面部...
该专利属于中芯集成电路（宁波）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯集成电路（宁波）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。