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本发明提供等离子体刻蚀方法及等离子体刻蚀后处理方法，包括如下步骤：1）提供一待刻蚀目标材料层；2）于待刻蚀目标材料层的表面形成图形化掩膜层；3）依据图形化掩膜层对待刻蚀目标材料层进行干法刻蚀，以在待刻蚀目标材料层内形成凹槽，凹槽的内表面形成...
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