The invention provides a method for eliminating device short circuit caused by metal defect and a semiconductor device. The method for eliminating device short circuit caused by metal defect includes providing a wafer comprising a substrate, a metal layer and a metal interlayer dielectric layer located on the substrate. On the bottom, the metal interlayer dielectric layer covers the metal layer, the metal layer has a hill defect, the metal interlayer dielectric layer is flattened, and a cover layer is formed on the metal interlayer dielectric layer after the flattening process. In the method of eliminating short circuit caused by metal defect and semiconductor device provided by the invention, when hill defect occurs in the metal layer, a covering layer is formed after being treated by a flattening process, and the short circuit caused by mountain defect can be prevented in the follow-up process by the covering layer, thereby improving the yield of the product.
【技术实现步骤摘要】
消除金属缺陷引起的器件短路的方法及半导体结构
本专利技术涉及半导体
,特别涉及一种消除金属缺陷引起的器件短路的方法及半导体结构。
技术介绍
在半导体
中,随着技术的不断发展,对于半导体器件的要求也越来越高。尤其当关键尺寸越来越低的情况下,在半导体器件的后段制程中,当金属层出现山丘(hillock)等缺陷时,在层间绝缘层比较薄的情况下,后续的工艺中,容易导致金属间发生桥接(bridge)缺陷或造成其它不良影响。因此,如何解决金属缺陷引起的器件短路的问题是本领域技术人员努力的方向。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种消除金属缺陷引起的器件短路的方法及半导体结构,以解决金属缺陷引起的器件短路的问题。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种消除金属缺陷引起的器件短路的方法,所述消除金属缺陷引起的器件短路的方法包括:提供一晶圆,所述晶圆包括衬底、金属层和金属层间介质层,所述金属层和所述金属层间介质层位于所述衬底上,所述金属层间介质层覆盖所述金属层,所述金属层具有山丘缺陷;对所述金属层间介质层进行平坦化工艺;在所述平坦化工艺后的所述金属层间介质层上形成覆盖层。可选的,在所述消除金属缺陷引起的器件短路的方法中,所述覆盖层的材料包括富硅氧化层,所述富硅氧化层的厚度为可选的,在所述消除金属缺陷引起的器件短路的方法中,所述富硅氧化层采用化学气相沉积工艺形成。可选的,在所述消除金属缺陷引起的器件短路的方法中,所述覆盖层的材料还包括含氟硅层或未掺杂硅层,握权这含氟硅层或所述未掺杂硅层的厚度为可选的,在所述消除金属缺陷引起的器件短路的方法中,所述含氟硅层或所述未掺杂硅 ...
【技术保护点】
1.一种消除金属缺陷引起的器件短路的方法,其特征在于,所述消除金属缺陷引起的器件短路的方法包括:提供一晶圆,所述晶圆包括衬底、金属层和金属层间介质层,所述金属层和所述金属层间介质层位于所述衬底上,所述金属层间介质层覆盖所述金属层,所述金属层具有山丘缺陷;对所述金属层间介质层进行平坦化工艺;在所述平坦化工艺后的所述金属层间介质层上形成覆盖层。
【技术特征摘要】
1.一种消除金属缺陷引起的器件短路的方法,其特征在于,所述消除金属缺陷引起的器件短路的方法包括:提供一晶圆,所述晶圆包括衬底、金属层和金属层间介质层,所述金属层和所述金属层间介质层位于所述衬底上,所述金属层间介质层覆盖所述金属层,所述金属层具有山丘缺陷;对所述金属层间介质层进行平坦化工艺;在所述平坦化工艺后的所述金属层间介质层上形成覆盖层。2.根据权利要求1所述消除金属缺陷引起的器件短路的方法,所述覆盖层的材料包括富硅氧化层,所述富硅氧化层的厚度为3.根据权利要求2所述消除金属缺陷引起的器件短路的方法,所述富硅氧化层采用化学气相沉积工艺形成。4.根据权利要求2所述消除金属缺陷引起的器件短路的方法,所述覆盖层的材料还包括含氟硅层或未掺杂硅层,所述含氟硅层或所述未掺杂硅层的厚度为5...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴建荣,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。