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本发明提供了一种消除金属缺陷引起的器件短路的方法及半导体器件，所述消除金属缺陷引起的器件短路的方法包括：提供一晶圆，所述晶圆包括衬底、金属层和金属层间介质层，所述金属层和所述金属层间介质层位于所述衬底上，所述金属层间介质层覆盖所述金属层，所...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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