双大马士革工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种双大马士革工艺方法，包括步骤：步骤一、提供一形成有底层金属层的半导体衬底；步骤二、形成NDC层；步骤三、形成第一层间膜和沟槽刻蚀停止层；步骤四、形成第一光刻胶图形定义出通孔的形成区域并对沟槽刻蚀停止层进行不刻穿的第一次刻蚀并形成第一凹槽；步骤五、去除第一光刻胶图形并形成第二层间膜；步骤六、形成第二光刻胶图形定义出顶层金属层沟槽的形成区域，进行第二次刻蚀得到顶层金属层沟槽；步骤七、将第一凹槽的底部的刻穿接着对第一凹槽底部的第一层间膜和NDC层进行刻蚀形成通孔。本发明专利技术能简化工艺流程，节省工艺成本和工艺时间；能消除光刻胶的光刻和刻蚀所带来的篱笆缺陷。

Double Damascus process

The invention discloses a double Damascus process method, which comprises the following steps: step 1, providing a semiconductor substrate with a bottom metal layer; step 2, forming a NDC layer; step 3, forming a first interlayer film and a groove etching stop layer; step 4, forming a first photoresist pattern, defining the forming area of the through hole and forming the through hole. The groove stopping layer is etched for the first time without penetration and forms the first groove; Step 5. Remove the first photoresist pattern and form the second interlayer film; Step 6. Form the second photoresist pattern to define the forming area of the top metal layer groove, and carry out the second etching to get the top metal layer groove; Step 7. The etching of the bottom of the first groove is followed by etching the first interlayer film and the NDC layer at the bottom of the first groove to form a through hole. The invention can simplify the process flow, save the process cost and process time, and eliminate the fence defects caused by photoresist lithography and etching.

【技术实现步骤摘要】
双大马士革工艺方法
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种双大马士革(DualDamsecene,DD)工艺方法。
技术介绍
如图1A至图1F所示，是现有方法各步骤中的器件结构图，现有双大马士革工艺方法包括如下步骤：步骤一、如图1A所示，提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有底层金属层101，所述底层金属层101之间隔离有底层介质膜102。所述半导体衬底为硅衬底。所述底层金属层101的材料为铜。所述底层介质膜102的材料能根据需要选择氧化层或氮化层或其它低介电常数介质。步骤二、如图1A所示，形成氮掺杂碳化硅(NDopedSiC，NDC)层103，所述NDC层103作为所述底层金属层101向上扩散的阻挡层，通常厚度设置为步骤三、如图1A所示，在所述NDC层103的表面依次形成第一层间膜104、沟槽刻蚀停止层105、第二层间膜106和DARC层107。通常，所述第一层间膜104的材料为氧化膜。所述第一层间膜104采用PECVD工艺形成。所述第二层间膜106的材料为氧化膜。所述第二层间膜106采用PECVD工艺形成。所述沟槽刻蚀停止层105的材料为氮化硅。所述沟槽刻蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双大马士革工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有底层金属层，所述底层金属层之间隔离有底层介质膜；步骤二、形成NDC层；步骤三、在所述NDC层的表面依次形成第一层间膜和沟槽刻蚀停止层；步骤四、进行第一次光刻工艺形成第一光刻胶图形，所述第一光刻胶图形定义出通孔的形成区域，以所述第一光刻胶图形为掩膜对所述沟槽刻蚀停止层进行不刻穿所述沟槽刻蚀停止层的第一次刻蚀并形成位于所述沟槽刻蚀停止层中的第一凹槽；步骤五、去除所述第一光刻胶图形，在形成由所述第一凹槽的的所述沟槽刻蚀停止层表面形成第二层间膜；步骤六、进行第二次光刻工艺形成第二光刻胶图形，所述第二...

【技术特征摘要】
1.一种双大马士革工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有底层金属层，所述底层金属层之间隔离有底层介质膜；步骤二、形成NDC层；步骤三、在所述NDC层的表面依次形成第一层间膜和沟槽刻蚀停止层；步骤四、进行第一次光刻工艺形成第一光刻胶图形，所述第一光刻胶图形定义出通孔的形成区域，以所述第一光刻胶图形为掩膜对所述沟槽刻蚀停止层进行不刻穿所述沟槽刻蚀停止层的第一次刻蚀并形成位于所述沟槽刻蚀停止层中的第一凹槽；步骤五、去除所述第一光刻胶图形，在形成由所述第一凹槽的的所述沟槽刻蚀停止层表面形成第二层间膜；步骤六、进行第二次光刻工艺形成第二光刻胶图形，所述第二光刻胶图形定义出所述顶层金属层沟槽的形成区域，以所述第二光刻胶图形为掩膜以及以所述沟槽刻蚀停止层为停止层对所述第二层间膜进行第二次刻蚀得到所述顶层金属层沟槽；步骤七、进行所述沟槽刻蚀停止层的刻蚀将所述第一凹槽的底部的所述沟槽刻蚀停止层的去除，接着对所述第一凹槽底部的所述第一层间膜和所述NDC层进行刻蚀形成露出所述底层金属层表面的所述通孔，之后去除所述第二光刻胶图形并形成由所述通孔和所述顶层金属层沟槽叠加而成的双大马士革结构。2.如权利要求1所述的双大马士革工艺方法，其特征在于：所述半导体衬底为硅衬底。3.如权利要求1所述的双大马士革工艺方法，其特征在于：所述底层金属层的材料为铜。4.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李镇全，吴信德，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31