一种多功函数层的制备方法技术

本发明专利技术提供一种多功函数层的制备方法，具有凹口的第一至第n晶体管栅极；在凹口内形成阻挡层；沉积第一功函数层，去除第一至第n‑1晶体管栅极上的第一功函数层；沉积第二功函数层；去除第一至第n‑2晶体管栅极上的第二功函数层；第二功函数层的厚度小于第一功函数层的厚度；在第一至第n‑2晶体管栅极上的阻挡层及第n‑1、第n晶体管栅极上的第二功函数层上沉积第三功函数层；去除第一至第n‑3晶体管栅极上的第三功函数层；第三功函数层的厚度小于第二功函数层的厚度；依次类推沉积第三至第(n‑1)功函数层，直到剩最后一个晶体管栅极上只有阻挡层为止；并且第三至第(n‑1)功函数层的厚度依次逐渐减小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种多功函数层的制备方法。

技术介绍

1、当工艺节点进入14nm以下，多功函数层晶体管栅的制作成为必要选择之一。现有技术中制作多功函数层晶体管栅的方案存在缺陷，容易导致部分多功函数层材料被损伤的问题，进而最终导致导致电性的漂移和良率的损失。举例说明，现有技术在形成四种不同功函数(mwf)的晶体管栅极的方法如下：提供p通道场效晶体管(pfet)及n通道场效晶体管(nfet)形成于基板上，该p通道场效晶体管与该n通道场效晶体管各具有凹口形成于其中，在各凹口内形成高k层与阻挡层，通过ald沉积形成四种以上不同厚度的tin层从而实现具有不同功函数的晶体管栅，具体地：1)先沉积形成一层厚度较厚的tin1层，进而通过第一层pmg1光罩定义打开需要去除的区域，其他区域用光阻pr和底部抗反射层barc保护，再经过刻蚀去除打开区域的tin1层；2)再沉积形成厚度较薄的tin2层，进而通过第二层pmg2光罩定义打开需要去除的区域，其他区域用pr和barc保护，再经过刻蚀去除掉打开的区域；3)最后形成厚度最薄的tin3层，进而通过第二层pmg3光本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多功函数层的制备方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的多功函数层的制备方法，其特征在于：步骤一中的所述n个不同功函数的晶体管包括pFET和nFET。

3.根据权利要求1所述的多功函数层的制备方法，其特征在于：步骤一中的所述阻挡层为TiNO层和位于所述TiNO层上的TaN层。

4.根据权利要求1所述的多功函数层的制备方法，其特征在于：步骤二中经光刻、刻蚀去除所述第一至第n-1晶体管栅极上方的所述第一功函数层，保留所述第n晶体管栅极上方的所述第一功函数层的方法包括：在所述第一功函数层上旋涂光刻胶，之后利用第一光罩经曝光、显影暴露所述...

【技术特征摘要】

1.一种多功函数层的制备方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的多功函数层的制备方法，其特征在于：步骤一中的所述n个不同功函数的晶体管包括pfet和nfet。

3.根据权利要求1所述的多功函数层的制备方法，其特征在于：步骤一中的所述阻挡层为tino层和位于所述tino层上的tan层。

4.根据权利要求1所述的多功函数层的制备方法，其特征在于：步骤二中经光刻、刻蚀去除所述第一至第n-1晶体管栅极上方的所述第一功函数层，保留所述第n晶体管栅极上方的所述第一功函数层的方法包括：在所述第一功函数层上旋涂光刻胶，之后利用第一光罩经曝光、显影暴露所述第一至第n-1晶体管栅极上方的所述第一功函数层；最后刻蚀去除被暴露出的所述第一功函数层，而所述第n晶体管栅极上方的所述第一功函数层以光刻胶为阻挡层不被刻蚀。

5.根据权利要求1所述的多功函数层的制备方法，其特征在于：步骤二中沉积所述第一功函数层的方法为原子层沉积法。

6.根据权利要求1所述的多功函数层的制备方法，其特征在于：步骤三中沉积所述第二功函数层的方法为原子层沉积法。

7.根据权利要求1所述的多功函数层的制备方法，其特征在于：步骤一所述n个不同功函数的晶体管为四个不同功函数的晶体管，所述四个不同功函数的晶体管栅极依次分别为第一至第四晶体管栅极；所述第一至第四晶体管栅极上均形成有凹口；在所述凹口内依次形成hk层和位于所述hk层上的阻挡层。

8.根据权利要求7所述的多功函数层的制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑鸿柱，王剑，戴韫青，周文湛，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：