【技术实现步骤摘要】
【】本申请涉及半导体，具体涉及一种半导体结构及其制作方法、三维存储器及存储器系统。
技术介绍
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技术介绍
1、晶体管是一些集成电路的组件，集成电路中的晶体管一般制作在衬底的有源区，有源区可以看作晶体管的源极、漏极和栅极覆盖的区域，通常，衬底中相邻的两个有源区通过浅槽隔离结构(shallow trench isolation，sti)实现电气隔离。
2、随着集成电路的集成度要求越来越高，为在有限尺寸的衬底上制作更多的晶体管，线宽(可以看作有源区的水平截面宽度)会越来越小，而一旦sti的深度加深，有源区容易出现弯曲或倒塌现象。
技术实现思路
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技术实现思路
1、本申请在于提供一种半导体结构及其制作方法、三维存储器及存储器系统，能避免有源区发生弯曲或倒塌现象。
2、一方面，本申请实施例提供了一种半导体结构的制作方法，包括：
3、在衬底内形成多个沿第一方向和第二方向间隔设置的第一沟槽，其中，所述第一沟槽沿第三方向穿透部分所述衬...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述支撑部包括多个，所述多个支撑部沿所述第一方向间隔设置。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述支撑部对应的所述第二沟槽在所述第一方向上的宽度，大于其他的所述第二沟槽在所述第一方向上的宽度。
5.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述支撑部对应的所述第二沟槽在所述第三方向上的第一深度，大于其他的所述第二...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述支撑部包括多个，所述多个支撑部沿所述第一方向间隔设置。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述支撑部对应的所述第二沟槽在所述第一方向上的宽度，大于其他的所述第二沟槽在所述第一方向上的宽度。
5.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述支撑部对应的所述第二沟槽在所述第三方向上的第一深度，大于其他的所述第二沟槽在所述第三方向上的第二深度。
6.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一深度和所述第二深度之间的差值至少大于50nm。
7.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在形成所述第三浅沟槽之后，还包括：
8.根据权利要求3-7中任一项所述的半导体结构的制作...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨康，罗兴安，周毅，刘力挽，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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