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本申请提供一种半导体结构及其制作方法、三维存储器及存储器系统，该方法包括：在衬底内形成多个沿第一方向和第二方向间隔设置的第一沟槽，第一沟槽沿第三方向穿透部分衬底，在第一方向上相邻的两个第一沟槽之间的衬底形成支撑部，在第二方向上相邻的两个第一...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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