一种增加过流功能的功率半导体器件集成结构制造技术

技术编号:41431412 阅读:19 留言:0更新日期:2024-05-28 20:28
本技术实施例公开了一种增加过流功能的功率半导体器件集成结构,包括:铝基板、导电金属条以及功率半导体器件,所述功率半导体器件连接在所述铝基板上,所述铝基板上设有主线,所述导电金属条连接在所述主线,且所述功率半导体器件与所述主线连接。通过实施本技术实施例的结构可实现提升主线上的过流能力,从而提升产品的可靠性及效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体器件,尤其涉及一种增加过流功能的功率半导体器件集成结构


技术介绍

1、电力电子器件又称为功率半导体器件,主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件,通常指电流为数十至数千安培,电压为数百伏以上。

2、大功率半导体器件要完成的电能变换通常电流都比较大,一般为数十至数千安培,为了便于客户安装,功率半导体器件会做成模块化集成的方案,将多颗功率器件集成在一块铝基板上,为了增加主线上的过电流能力,通常需要增加铝基板上铜层的厚度,以减小主线上铜层的电阻,行业内以oz为计量单位,1oz铜厚为35微米,电流越大,需要增加的铜厚也越厚,此时铝基板的成本会急剧增加,这不利于产品的市场推广。

3、如图1所示,为一种6颗mos管组成的三相全桥mos管模块电路原理图,如图2所示,为一种12颗mos管组成的三相全桥mos管模块电路原理图;图1和图2中主线正极/主线负极中的电流是比较大的,通常在数十安培,如果铝基板的铜层厚度过薄,在铜层上将会产生比较大的损耗;以图3所示的实际产品为例,假如采用1oz铜厚的铝基板,主线正极和主线负极本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种增加过流功能的功率半导体器件集成结构,其特征在于,包括:铝基板、导电金属条以及功率半导体器件,所述功率半导体器件连接在所述铝基板上,所述铝基板上设有主线,所述导电金属条连接在所述主线,且所述功率半导体器件与所述主线连接。

2.根据权利要求1所述的一种增加过流功能的功率半导体器件集成结构,其特征在于,所述导电金属条包括铜条。

3.根据权利要求1所述的一种增加过流功能的功率半导体器件集成结构,其特征在于,所述主线上设有锡膏层;所述导电金属条贴在所述锡膏层上。

4.根据权利要求1所述的一种增加过流功能的功率半导体器件集成结构,其特征在于,所述导电金属...

【技术特征摘要】

1.一种增加过流功能的功率半导体器件集成结构,其特征在于,包括:铝基板、导电金属条以及功率半导体器件,所述功率半导体器件连接在所述铝基板上,所述铝基板上设有主线,所述导电金属条连接在所述主线,且所述功率半导体器件与所述主线连接。

2.根据权利要求1所述的一种增加过流功能的功率半导体器件集成结构,其特征在于,所述导电金属条包括铜条。

3.根据权利要求1所述的一种增加过流功能的功率半导体器件集成结构,其特征在于,所述主线上设有锡膏层;所述导电金属条贴在所述锡膏层上。

4.根据权利要求1所述的一种增加过流功能的功率半导体器件集成结构,其特征在于,所述导电金属条的宽度为4.5mm。

【专利技术属性】
技术研发人员:宋贵波黄泽军
申请(专利权)人:深圳市锐骏半导体股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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