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本发明提供一种多功函数层的制备方法，具有凹口的第一至第n晶体管栅极；在凹口内形成阻挡层；沉积第一功函数层，去除第一至第n‑1晶体管栅极上的第一功函数层；沉积第二功函数层；去除第一至第n‑2晶体管栅极上的第二功函数层；第二功函数层的厚度小于第...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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