一种改善功函数薄膜连续性的方法技术

本发明专利技术提供一种改善功函数薄膜连续性的方法，在基底上形成隧穿氧化层；在隧穿氧化层上形成一层隔离层；在隔离层上形成一层功函数薄膜，功函数薄膜作为半浮栅器件中的浮栅用以存储电荷和传导电子；并且功函数薄膜的功函数为4.63～4.75eV；对硅基底上的隧穿氧化层、隔离层以及功函数层进行热处理；在热处理过程中，隔离层一方面与隧穿氧化层表面反应形成致密阻止层；另一方面隔离层与隧穿氧化层中的O反应形成新的隧穿氧化层，热处理持续至隔离层完成被消耗完为止；反应后剩余的功函数薄膜均匀覆盖在致密阻止层上表面。隔离层既可以阻止氧原子向功函数薄膜的扩散，又可以在后续工艺中得以去除而不影响最终的器件构造和电学性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种改善功函数薄膜连续性的方法。

技术介绍

1、氮化钛(tin)材料由于具有好的热稳定性、合适的功函数(4.63-4.75ev)常被用作金属栅极储存电荷和传导电子。现有的半浮栅器件采用炉管tin作为浮栅，sio2作为隧道氧化层，即氧化硅与tin的叠层结构。但是tem结果发现tin沉积后tin是连续的，但是在经过热处理并到达tin湿法刻蚀后，tin连续性变差；为了验证tin不连续机理，线上进行了tin不连续的实验，实现结果表明氧化硅与tin不经过热处理是连续的，经过热处理之后tin会不连续且变厚。tin容易被氧化，高温下隧道氧化层中的o元素进入tin晶格代替n元素的位置，造成了tin膜的不连续和变厚。这种不连续的tin在后续器件中会引起器件的漏电。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种改善功函数薄膜连续性的方法，用于解决现有技术中栅极中的功函数层经过热处理后其连续性变差，导致器件漏电的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本专本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种改善功函数薄膜连续性的方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的改善功函数薄膜连续性的方法，其特征在于：步骤一中的所述隧穿氧化层为SiO2。

3.根据权利要求1所述的改善功函数薄膜连续性的方法，其特征在于：步骤二中采用生长的方式在所述隧穿氧化层上形成所述隔离层。

4.根据权利要求2所述的改善功函数薄膜连续性的方法，其特征在于：步骤二中的所述隔离层为非晶硅。

5.根据权利要求1所述的改善功函数薄膜连续性的方法，其特征在于：步骤三中采用生长沉积的方法形成所述功函数薄膜。

6.根据权利要求4所述的改善功函数薄膜连续...

【技术特征摘要】

1.一种改善功函数薄膜连续性的方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的改善功函数薄膜连续性的方法，其特征在于：步骤一中的所述隧穿氧化层为sio2。

3.根据权利要求1所述的改善功函数薄膜连续性的方法，其特征在于：步骤二中采用生长的方式在所述隧穿氧化层上形成所述隔离层。

4.根据权利要求2所述的改善功函数薄膜连续性的方法，其特征在于：步骤二中的所述隔离层为非晶硅。

5.根据权利要求1所述的改善功函数薄膜连续性的方法，其特征在于：步骤三中采用生长沉积的方法形成所述功函数薄膜。

6.根据权利要求4所述的改善功函数薄膜连续性的方法，其特征在于：步骤三中的所述功函数薄膜为tin。

7.根据权利要求1所述的改善功函数薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝燕霞，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：