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本发明提供一种改善功函数薄膜连续性的方法，在基底上形成隧穿氧化层；在隧穿氧化层上形成一层隔离层；在隔离层上形成一层功函数薄膜，功函数薄膜作为半浮栅器件中的浮栅用以存储电荷和传导电子；并且功函数薄膜的功函数为4.63～4.75eV；对硅基底上...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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