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本发明公开了一种双大马士革工艺方法，包括步骤：步骤一、提供一形成有底层金属层的半导体衬底；步骤二、形成NDC层；步骤三、形成第一层间膜和沟槽刻蚀停止层；步骤四、形成第一光刻胶图形定义出通孔的形成区域并对沟槽刻蚀停止层进行不刻穿的第一次刻蚀并...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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