The invention proposes a thin film transistor and its manufacturing method, an array substrate, a display panel and a display device. The thin film transistor comprises a substrate; a part of the transmissive layer is disposed on one side of the substrate; a first gate electrode is disposed on the side of the partial transmissive layer away from the substrate; a second gate insulating layer is disposed on the side of the first gate electrode away from the substrate; an active layer is disposed on the side of the second gate insulating layer away from the substrate, and a part of the transmissive layer is disposed on the side of the second gate insulating layer away from The orthographic projection on the substrate covers the orthographic projection of the active layer on the substrate. The thin film transistor provided by the invention can effectively improve the light stability of the thin film transistor by adding a partial light transmission layer between the substrate and the gate electrode.
【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制作方法和应用
本专利技术涉及显示
，具体的，本专利技术涉及薄膜晶体管及其制作方法和应用。更具体的，本专利技术涉及薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板和显示装置。
技术介绍
近年来随着社会的进步，显示器件的研究制造已经进入人类社会文化活动的中心，并且在技术和商业上取得了辉煌的成就。伴随着阴极射线显像管(CRT)市场的萎缩，各类平板显示技术相互竞争，并被广泛地应用于电视机、手机、电脑等各种通讯设备，使得平板显示产业迅速崛起。平板显示技术中的核心器件便是薄膜晶体管，且其作为开关控制元件或周边驱动电路的集成元件，其性能的优劣直接影响平板显示的效果。而随着显示面板分辨率的提高，像素尺寸的减小，器件的集成度越来越高，为了提高生产效率和降低生产成本，必须从工艺上进行优化。此外，氧化物(Oxide)本身对光照比较敏感，在光照下含有Oxide的有源层(Active)薄膜晶体管(TFT)的电学特性会发生变化。而且，采用顶栅(Topgate)结构的OxideTFT，由于缺少了底栅对Active的遮挡作用，TFT的阈值电压容易发生较大漂移。从而应用在有机发光二...
【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；部分透光层，所述部分透光层设置在所述衬底的一侧；第一栅电极，所述第一栅电极设置在所述部分透光层远离所述衬底的一侧；第二栅绝缘层，所述第二栅绝缘层设置在所述第一栅电极远离所述衬底的一侧；有源层，所述有源层设置在所述第二栅绝缘层远离所述衬底的一侧，且所述部分透光层在所述衬底上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底上的正投影。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；部分透光层，所述部分透光层设置在所述衬底的一侧；第一栅电极，所述第一栅电极设置在所述部分透光层远离所述衬底的一侧；第二栅绝缘层，所述第二栅绝缘层设置在所述第一栅电极远离所述衬底的一侧；有源层，所述有源层设置在所述第二栅绝缘层远离所述衬底的一侧，且所述部分透光层在所述衬底上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底上的正投影。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层由氧化物半导体材料形成。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述部分透光层在所述衬底上的正投影覆盖所述第一栅电极在所述衬底上的正投影，且所述部分透光层在所述衬底上的正投影面积小于所述衬底的面积。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层在所述衬底上的正投影与所述第一栅电极在所述衬底上的正投影重合；其中，所述第一栅电极为不透光的，所述衬底、所述第二栅绝缘层和所述有源层都为透光的，用于以所述部分透光层和所述第一栅电极为自对准掩膜板从背面曝光形成光刻胶层的图案。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，进一步包括：第二栅电极，所述第二栅电极设置在所述有源层远离所述衬底的一侧；第一栅绝缘层，所述第一栅绝缘层设置在所述第二栅电极与所述有源层之间；并且，所述第二栅电极和所述第一栅绝缘层在所述衬底上的正投影都与所述第一栅电极在所述衬底上的正投影重合；而且，所述第一栅绝缘层和所述第二栅电极都为透光的，用于以所述部分透光层和所述第一栅电极为自对准掩膜板从背面曝光形成光刻胶层的图案。6.根据权利要求4或5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述部分透光层由绝缘材料形成的。7.根据权利要求4或5所述的薄膜晶体管，其特征在于，进一步包括：导电层，所述导电层与所述有源层同层设置，且设置在所述有源层相对的两侧，并且，所述导电层的材料是所述有源层的材料通过导体化处理获得的，而且所述导电层和所述有源层在所述衬底上的正投影之和与所述部分透光层在所述衬底上的正投影重合。8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述部分透光层由非晶硅形成。9.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，形成所述第二栅电极的材料包括选自氧化铟锡、铝掺杂的氧化锌、氧化铟锌和4,4’-偶氮-1H-1,2,4-三唑-5-酮铵盐中的至少一种。10.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，形成所述有源层的材料包括氧化铟镓锌。11.一种制作薄膜晶体管的方法，其特征在于，包括：在衬底的一侧依次形成部分透光层和第一栅电极；在所述第一栅电极远离所述衬底的一侧依次形成第...
【专利技术属性】
技术研发人员：王国英，宋振，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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