In bottom-gate transistors using oxide semiconductors, the following configuration is provided: when a high gate voltage is applied to the gate electrode layer, the electric field concentration near the end of the drain layer (and near the end of the source layer) is eased and the deterioration of switching characteristics is suppressed, thereby improving reliability. The cross-section shape of the insulating layer overlapped on the channel forming region is set as a cone-shaped shape, and the thickness of the insulating layer overlapped on the channel forming region is less than 0.3 micron, preferably above 5 nm and below 0.1 micron. The taper angle theta of the lower end of the section shape of the insulating layer overlapped on the channel forming area is set below 60 degrees, preferably below 45 degrees, and preferably below 30 degrees.
【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法本申请是如下专利技术专利申请的分案申请:专利技术名称:半导体装置及其制造方法;申请日:2012年9月28日;申请号:201210368465.3。
本专利技术涉及一种使用氧化物半导体的半导体装置及其制造方法。另外,在本说明书中,半导体装置是指能够通过利用半导体特性起作用的所有类型的装置,如电光学装置、半导体电路及电子设备都是半导体装置。
技术介绍
近年来,已对半导体装置进行开发,将半导体装置用作LSI、CPU、存储器。CPU是包括从半导体圆片分开的半导体集成电路(至少包括晶体管及存储器)且形成有作为连接端子的电极的半导体元件的集合体。LSI、CPU、存储器等的半导体电路(IC芯片)安装在电路衬底例如印刷线路板上,并用作各种电子设备的部件之一。通过将氧化物半导体膜用于沟道形成区来制造晶体管等的技术引人注目。例如,可以举出作为氧化物半导体膜使用氧化锌(ZnO)的晶体管或者使用InGaO3(ZnO)m的晶体管。专利文献1及专利文献2公开了在具有透光性的衬底上形成上述使用氧化物半导体膜的晶体管并将该晶体管应用于图像显示装置的开关元件等的技术。[专利文献1]日本专利申请公开2007-123861号公报[专利文献2]日本专利申请公开2007-96055号公报。在氧化物半导体中形成沟道形成区的晶体管可以实现比使用非晶硅的晶体管更高的场效应迁移率。非晶硅的晶体管的场效应迁移率通常为0.5cm2/Vs左右,与此相比使用氧化物半导体的晶体管的场效应迁移率为10cm2/Vs至20cm2/Vs或更大的值。另外,氧化物半导体通过溅射法等可以形成活性层,不像使用 ...
【技术保护点】
1.一种半导体装置,包括:绝缘表面上的栅电极;所述栅电极上的栅极绝缘膜;在所述栅极绝缘膜上包括沟道形成区的氧化物半导体层;接触于所述氧化物半导体层的绝缘层;与所述氧化物半导体层电连接的源电极,所述源电极包括在所述绝缘层上的端部;以及与所述氧化物半导体层电连接的漏电极,所述漏电极包括在所述绝缘层上的端部,其中所述栅电极、所述源电极及所述漏电极的每一个包括铜,其中所述源电极的所述端部及所述漏电极的所述端部与所述沟道形成区重叠,其中所述绝缘层、所述源电极及所述漏电极与所述氧化物半导体层的相同表面直接接触,其中所述绝缘层的端部的侧面和所述绝缘表面形成的角度为60°以下,并且,其中所述绝缘层的厚度为0.3μm以下。
【技术特征摘要】
2011.09.29 JP 2011-2155991.一种半导体装置,包括:绝缘表面上的栅电极;所述栅电极上的栅极绝缘膜;在所述栅极绝缘膜上包括沟道形成区的氧化物半导体层;接触于所述氧化物半导体层的绝缘层;与所述氧化物半导体层电连接的源电极,所述源电极包括在所述绝缘层上的端部;以及与所述氧化物半导体层电连接的漏电极,所述漏电极包括在所述绝缘层上的端部,其中所述栅电极、所述源电极及所述漏电极的每一个包括铜,其中所述源电极的所述端部及所述漏电极的所述端部与所述沟道形成区重叠,其中所述绝缘层、所述源电极及所述漏电极与所述氧化物半导体层的相同表面直接接触,其中所述绝缘层的端部的侧面和所述绝缘表面形成的角度为60°以下,并且,其中所述绝缘层的厚度为0.3μm以下。2.一种半导体装置,包括:绝缘表面上的栅电极;所述栅电极上的栅极绝缘膜;在所述栅极绝缘膜上包括沟道形成区的氧化物半导体层;接触于所述氧化物半导体层的绝缘层;与所述氧化物半导体层电连接的源电极,所述源电极包括在所述绝缘层上的端部;以及与所述氧化物半导体层电连接的漏电极,所述漏电极包括在所述绝缘层上的端部,其中所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:山崎舜平,早川昌彦,筱原聪始,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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