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文档序号:18660730
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在使用氧化物半导体的底栅型的晶体管中,提供如下结构,即:对栅电极层施加较高的栅电压的情况下,缓和在漏电极层的端部近旁(及源电极层的端部近旁)会发生的电场集中且抑制开关特性的劣化,而提高可靠性。将重叠于沟道形成区上的绝缘层的截面形状设定为锥形...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。
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