薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置制造方法及图纸

本公开涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，属于显示技术领域。该薄膜晶体管包括：衬底；有源层，设置在所述衬底上；栅极绝缘层，设置在所述有源层上；栅极层，设置在所述栅极绝缘层上；层间绝缘层，设置在所述衬底、所述有源层以及所述栅极层上；源漏金属层，设置在所述层间绝缘层上；第一过渡层，设置于所述有源层与所述源漏金属层之间；第二过渡层，设置于所述栅极层的侧面。本公开的技术方案能够减小寄生电阻，减小信号延迟。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
本公开涉及显示
，具体而言，涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置。
技术介绍
与传统的硅基薄膜晶体管(Si-TFTs)相比，以IGZOTFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)为代表的金属氧化物薄膜晶体管以其迁移率高、均匀性好、制备工艺简单等优点而得到快速发展。在较高分辨率的OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)显示的技术方案中，一般采用顶栅自对准结构的薄膜晶体管。然而，这种技术方案中的TFT，由于有源层与源漏电极之间的接触电阻较大，需要进行有源层导体化的工艺过程，使制备这种TFT的工艺变得复杂。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或者多个问题。根据本公开实施例的第一方面，提供了一种薄膜晶体管，包括：衬底；有源层，设置在所述衬底上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；有源层，设置在所述衬底上；栅极绝缘层，设置在所述有源层上；栅极层，设置在所述栅极绝缘层上；层间绝缘层，设置在所述衬底、所述有源层以及所述栅极层上；源漏金属层，设置在所述层间绝缘层上；第一过渡层，设置于所述有源层与所述源漏金属层之间；以及第二过渡层，设置于所述栅极层的侧面。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；有源层，设置在所述衬底上；栅极绝缘层，设置在所述有源层上；栅极层，设置在所述栅极绝缘层上；层间绝缘层，设置在所述衬底、所述有源层以及所述栅极层上；源漏金属层，设置在所述层间绝缘层上；第一过渡层，设置于所述有源层与所述源漏金属层之间；以及第二过渡层，设置于所述栅极层的侧面。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源漏金属层包括源极和漏极，所述第一过渡层包括第一部分和第二部分，所述第一部分设于所述有源层与所述源极之间，所述第二部分设于所述有源层与所述漏极之间。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一过渡层和/或所述第二过渡层采用金属材料或透明导电氧化物材料。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一过渡层和/或所述第二过渡层采用金属材料与透明导电氧化物材料形成的堆栈结构。5.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王国英，宋振，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11