半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式提供一种导电层中所包含的元素向柱状部的扩散阻挡性优异的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：基底层；积层体，设置在所述基底层上，且具有隔着绝缘体而积层的多个导电层；半导体主体，在所述积层体内沿所述积层体的积层方向延伸；电荷储存部，设置在所述半导体主体与所述导电层之间；氧化硅膜，设置在所述电荷储存部与所述导电层之间；以及氮化硅膜，设置在所述氧化硅膜与所述导电层之间。

Semiconductor device

An embodiment of the present invention provides a semiconductor device with excellent diffusion resistance to a cylindrical portion of elements contained in a conductive layer. The semiconductor device of the embodiment comprises: a substrate layer; an accumulator arranged on the substrate layer and having a plurality of conductive layers accumulated across the insulator; a semiconductor body extending in the accumulator direction along the accumulator direction of the accumulator; and a charge storage section arranged between the semiconductor body and the conductive layer. A silicon oxide film is arranged between the charge storage part and the conductive layer, and a silicon nitride film is arranged between the silicon oxide film and the conductive layer.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置[相关申请]本申请享有以日本专利申请2017-29651号(申请日：2017年2月21日)为基础申请的优先权。本申请是通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
实施方式涉及一种半导体装置。
技术介绍
关于作为三维存储器装置的控制栅极发挥功能的电极层的形成方法，提出了将形成在绝缘层之间的牺牲层去除而形成空隙，并在该空隙形成金属层的方法。
技术实现思路
实施方式提供一种导电层中所包含的元素向柱状部的扩散阻挡性优异的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：基底层；积层体，设置在所述基底层上，且具有隔着绝缘体而积层的多个导电层；半导体主体，在所述积层体内沿所述积层体的积层方向延伸；电荷储存部，设置在所述半导体主体与所述导电层之间；氧化硅膜，设置在所述电荷储存部与所述导电层之间；以及氮化硅膜，设置在所述氧化硅膜与所述导电层之间。附图说明图1是实施方式的半导体装置的示意立体图。图2是实施方式的半导体装置的示意剖视图。图3(a)是图2中的A部的放大图。图3(b)是图2中的A部的放大图。图3(c)是图2中的A部的放大图。图4～14、15(a)～(c)、16(a)～(c)是表示实施方式的半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于具备：基底层：积层体，设置在所述基底层上，且具有隔着绝缘体而积层的多个导电层；半导体主体，在所述积层体内沿所述积层体的积层方向延伸；电荷储存部，设置在所述半导体主体与所述导电层之间；氧化硅膜，设置在所述电荷储存部与所述导电层之间；以及氮化硅膜，设置在所述氧化硅膜与所述导电层之间。

【技术特征摘要】
2017.02.21 JP 2017-0296511.一种半导体装置，其特征在于具备：基底层：积层体，设置在所述基底层上，且具有隔着绝缘体而积层的多个导电层；半导体主体，在所述积层体内沿所述积层体的积层方向延伸；电荷储存部，设置在所述半导体主体与所述导电层之间；氧化硅膜，设置在所述电荷储存部与所述导电层之间；以及氮化硅膜，设置在所述氧化硅膜与所述导电层之间。2.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：森井胜巳，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP