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本发明的实施方式提供一种导电层中所包含的元素向柱状部的扩散阻挡性优异的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：基底层；积层体，设置在所述基底层上，且具有隔着绝缘体而积层的多个导电层；半导体主体，在所述积层体内沿所述积层体的积层方向延伸；电荷储...
该专利属于东芝存储器株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东芝存储器株式会社授权不得商用。

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