半导体存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式提供一种能够使电源通电时流动的贯通电流减少的半导体存储装置。一实施方式的半导体存储装置具备包含电源保护电路的芯片，该电源保护电路包含第1至第3焊盘、电阻、电容器、反相器、及第1及第2晶体管。第2及第3焊盘分别被供给第1及第2电压。电阻是将第1端连接于第2焊盘。电容器是将第1端连接于电阻的第2端。第1晶体管是将第1端连接于第2焊盘，将第2端连接于具有基于电容器的第1端的电压的值的信号的节点，将栅极连接于第1焊盘。反相器是将输入端连接于第1晶体管的第2端。第2晶体管连接于第2焊盘与第3焊盘之间，且将栅极连接于反相器的输出端。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置[相关申请案]本申请享有以日本专利申请2017-27350号(申请日：2017年2月16日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
实施方式涉及一种半导体存储装置。
技术介绍
已知有作为半导体存储装置的NAND(NotAnd，与非)型闪存。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供一种能够使电源通电时流动的贯通电流减少的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备包含电源保护电路的第1芯片。所述电源保护电路包含第1焊盘、第2焊盘、第3焊盘、电阻、电容器、第1晶体管、第2晶体管、及反相器。所述第2焊盘被供给第1电压。所述第3焊盘被供给低于所述第1电压的第2电压。所述电阻包含与所述第2焊盘电连接的第1端。所述电容器包含与所述电阻的第2端电连接的第1端。所述第1晶体管包含与所述第2焊盘电连接的第1端、与具有基于所述电容器的第1端的电压的值的信号的节点电连接的第2端、及与所述第1焊盘电连接的栅极。所述反相器包含与所述第1晶体管的第2端电连接的输入端。所述第2晶体管电连接于所述第2焊盘与所述第3焊盘之间，且包含与所述反相器的输出端电连接的栅极。附图说明图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体存储装置，其特征在于：具备包含电源保护电路的第1芯片，所述电源保护电路包含：第1焊盘；第2焊盘，被供给第1电压；第3焊盘，被供给低于所述第1电压的第2电压；电阻，包含与所述第2焊盘电连接的第1端；第1电容器，包含与所述电阻的第2端电连接的第1端；第1晶体管，包含与所述第2焊盘电连接的第1端、与具有基于所述第1电容器的第1端的电压的值的信号的节点电连接的第2端、及与所述第1焊盘电连接的栅极；第1反相器，包含与所述第1晶体管的第2端电连接的输入端；及第2晶体管，电连接于所述第2焊盘与所述第3焊盘之间，且包含与所述第1反相器的输出端电连接的栅极。

【技术特征摘要】
2017.02.16 JP 2017-0273501.一种半导体存储装置，其特征在于：具备包含电源保护电路的第1芯片，所述电源保护电路包含：第1焊盘；第2焊盘，被供给第1电压；第3焊盘，被供给低于所述第1电压的第2电压；电阻，包含与所述第2焊盘电连接的第1端；第1电容器，包含与所述电阻的第2端电连接的第1端；第1晶体管，包含与所述第2焊盘电连接的第1端、与具有基于所述第1电容器的第1端的电压的值的信号的节点电连接的第2端、及与所述第1焊盘电连接的栅极；第1反相器，包含与所述第1晶体管的第2端电连接的输入端；及第2晶体管，电连接于所述第2焊盘与所述第3焊盘之间，且包含与所述第1反相器的输出端电连接的栅极。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述电源保护电路更包含：第3晶体管，包含与所述第1焊盘电连接的第1端、与所述第3焊盘电连接的第2端、及与所述第2焊盘电连接的栅极；及第2电容器，包含与所述第1焊盘电连接的第1端、及与所述第3焊盘电连接的第2端。3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于：所述电源保护电路更包含第4晶体管，该第4晶体管包含与所述第2焊盘电连接的第1端、与所述第1电容器的第1端电连接的第2端、及与所述第1焊盘电连接的栅极。4.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第1芯片包含具备所述电源保护电路的多个电源保护电路，且多个所述电源保护电路分别共用所述第3晶体管及所述第2电容器。5.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于：更具备包含所述电源保护电路的第2芯片，所述第1芯片的所述第1焊盘被供给所述第1电压，所述第2芯片的所述第1焊盘自所述第1芯片的所述第1焊盘电分离。6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第1芯片及所述第2芯片设置在衬底的上方，且所述第2芯片设置在所述第1芯片的上方。7.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于：所述电源保护电路更包含第2反相器，该第2反相器包含与所述第1焊盘电连接的输入端、及与所述第1晶体管的栅极电连接的输出端。8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其特征在于：所述电源保护电路更包含：第3晶体管，包含与所述第1焊盘电连接的第1端、与所述第3焊盘电连接的第2端、及与所述第2焊盘电连接的栅极；及第2电容器，包含与所述第1焊盘电连接的第1端、及与所述第3焊盘电连接的第2端。9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其特征在于：所述电源保护电路更包含：第3反相器，包含与所述第1焊盘电连接的输入端；及第4晶体管，包含与所述第2焊盘电连接的第1端、与所述第1电容器的第1...

【专利技术属性】
技术研发人员：稻垣真野，小柳胜，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP