掩模板制造技术

本发明专利技术实施例提供一种掩模板，其中该掩模板包括掩模板本体，所述掩模板本体上设置有开孔，所述开孔用于通过蒸镀工艺在待蒸镀基板上形成预设蒸镀设计图形，其中所述开孔的尺寸大于所述预设蒸镀设计图形的尺寸。该掩模板通过调整掩模板本体上所设置开孔的尺寸，使设置于掩模板本体上的开孔相对于待蒸镀基板上形成预设蒸镀设计图形的位置，能够适应蒸镀过程中掩模板的变形，能够有效减小显示面板四周的外阴影outer shadow效应的差异，保证显示面板的四周膜层边界尺寸的一致性。

【技术实现步骤摘要】
掩模板
本专利技术涉及显示装置制造
，尤其是指一种掩模板。
技术介绍
在有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)制造过程中，通常需要采用蒸镀工艺制成OLED器件。蒸镀工艺实际是物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，PVD)工艺其中的一种，是指物质受热蒸发，在不涉及化学反应的前提下，实现原子或分子从源物质到薄膜的可控转移的薄膜制备方法。具体地，参阅图1所示，蒸镀工艺过程中，在高真空度的腔室环境中通过蒸发源1将物质加热，形成蒸发材料，所蒸发出的蒸镀材料穿过掩模板2上对应的开孔沉积在基板3上，在基板3上制成与掩模板2上开孔对应的薄膜图形。上述的蒸镀工艺的设置结构中，在真空腔室内，掩模板2需要与基板3相贴合，以使掩模板2上所制成的薄膜图形与基板3上的开孔相一致。然而，实际蒸镀过程中，受蒸发源1的蒸镀角大小、开孔的边缘状态、腔室温度、掩模板2的下垂量和基板3与掩模板2的贴合状态等的影响，在蒸镀完成后不可避免会出现扩张区域A，也即产生外阴影outershadow效应，形成为图2所示在基板3上蒸镀图形31相较于基板3上的实际的开孔区域32向外扩张的现象。进一步地，图2所示基板3上蒸镀图形31向外扩张的现象中，蒸镀图形31的各边界与开孔区域32相应的边界之间的间隔相等，也即各蒸镀图形31相较于实际的开孔区域32均匀向外扩张，然而其也仅为蒸镀工艺产生outershadow的理想形式，实际蒸镀过程中受上述各种因素的影响，基板3上蒸镀图形31的不同边界相较于开孔区域32向外扩张的范围不同，如图3所示，从而导致所制成显示面板的四周出现膜层边界尺寸差异。
技术实现思路
本专利技术技术方案的目的是提供一种掩模板，用于解决现有技术进行材料蒸镀时，由于产生外阴影outershadow效应，基板上蒸镀图形的不同边界相较于掩模板的开孔区域向外扩张的范围不同，导致所制成显示面板的四周出现膜层边界尺寸差异的问题。本专利技术实施例提供一种掩模板，其中，包括：掩模板本体，所述掩模板本体上设置有开孔，所述开孔用于通过蒸镀工艺在待蒸镀基板上形成预设蒸镀设计图形，其中所述开孔的尺寸大于所述预设蒸镀设计图形的尺寸。可选地，所述的掩模板，其中，所述掩模板本体与所述待蒸镀基板贴合时，所述预设蒸镀设计图形在所述掩模板本体上形成正投影图形，所述正投影图形位于所述开孔之内。可选地，所述的掩模板，其中，所述开孔的边缘轮廓形成为所述正投影图形的边缘各位置分别等间隔向外扩张的等间隔扩张轮廓。可选地，所述的掩模板，其中，所述掩模板还包括：框体，所述掩模板本体包括固定于所述框体上的初始状态和被拉伸后固定于所述框体上的固定状态；其中在所述固定状态，所述开孔的边缘轮廓为所述正投影图形的等间隔扩张轮廓；在所述初始状态，所述开孔的边缘轮廓为所述正投影图形的边缘各位置不等间隔向外扩张的非等间隔扩张轮廓。可选地，所述的掩模板，其中，所述开孔的边缘轮廓为所述正投影图形的边缘各位置不等间隔向外扩张的非等间隔扩张轮廓。可选地，所述的掩模板，其中，所述开孔的边缘轮廓为所述正投影图形的边缘各位置不等间隔向外扩张的非等间隔扩张轮廓时，所述开孔位于所述掩模板本体的竖直中心线的一侧，所述开孔包括平行于所述竖直中心线的第一边缘与第二边缘，其中所述第一边缘与所述竖直中心线之间的距离小于所述第二边缘与所述竖直中心线的距离，所述第一边缘到所述正投影图形上对应所述第一边缘的相应边缘之间具有第一间隔距离，所述第二边缘到所述正投影图形上对应所述第二边缘的相应边缘之间具有第二间隔距离，其中所述第一间隔距离大于所述第二间隔距离。可选地，所述的掩模板，其中，所述开孔的边缘轮廓为所述正投影图形的边缘各位置不等间隔向外扩张的非等间隔扩张轮廓时，所述开孔位于所述掩模板的水平中心线的一侧，所述开孔包括平行于所述水平中心线的第三边缘与第四边缘，其中所述第三边缘与所述水平中心线之间的距离小于所述第四边缘与所述水平中心线之间的距离，所述第三边缘到所述正投影图形上对应所述第三边缘的相应边缘之间具有第三间隔距离，所述第四边缘到所述正投影图形上对应所述第四边缘的相应边缘之间具有第四间隔距离，其中所述第三间隔距离大于所述第四间隔距离。可选地，所述的掩模板，其中，所述掩模板本体的竖直中心线的一侧设置多个形状与尺寸相同的所述开孔，其中多个所述开孔中的第一开孔与所述竖直中心线的距离大于多个所述开孔中的第二开孔与所述竖直中心线的距离时，所述第一开孔的第一边缘到相应的所述正投影图形上的相应边缘的距离，大于所述第二开孔的第一边缘到相应的所述正投影图形上的相应边缘的距离。可选地，所述的掩模板，其中，所述掩模板本体的水平中心线的一侧设置多个形状与尺寸相同的所述开孔，其中多个所述开孔中的第三开孔与所述水平中心线的距离大于多个所述开孔中的第四开孔与所述水平中心线的距离时，所述第三开孔的第三边缘到相应的所述正投影图形上的相应边缘的距离，大于所述第四开孔的第三边缘到相应的所述正投影图形上的相应边缘的距离。可选地，所述的掩模板，其中，所述掩模板本体上设置有第一开孔和第二开孔，其中所述第一开孔的边缘轮廓形成为所述正投影图形的边缘各位置分别等间隔向外扩张的等间隔扩张轮廓；所述第二开孔的边缘轮廓形成为所述正投影图形的边缘各位置不等间隔向外扩张的非等间隔扩张轮廓。本专利技术具体实施例上述技术方案中的至少一个具有以下有益效果：本专利技术实施例所述掩模板，通过调整掩模板本体上所设置开孔的尺寸，使设置于掩模板本体上的开孔相对于待蒸镀基板上形成预设蒸镀设计图形的位置，能够适应蒸镀过程中掩模板的变形，以有效减小显示面板四周的外阴影outershadow效应的差异，从而保证显示面板的四周膜层边界尺寸的一致性。附图说明图1为采用掩模板进行材料蒸镀的原理示意图；图2为材料蒸镀过程中形成外阴影outershadow效应的原理示意图；图3为材料蒸镀过程中蒸镀图形的四周出现膜层边界尺寸差异的示意图；图4为本专利技术实施例所述掩模板的第一实施结构的示意图；图5为说明掩模板下垂对外阴影outershadow区域的影响的示意图；图6为说明材料蒸镀过程中，由于掩模板变形导致蒸镀后实际图形相较于预设蒸镀设计图形的尺寸差异的示意图；图7为本专利技术实施例所述掩模板的第二实施结构的示意图；图8为本专利技术实施例所述掩模板的第三实施结构的示意图。具体实施方式为使本专利技术要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。为了解决在蒸镀过程中，由于产生外阴影outershadow效应，基板上蒸镀图形的不同边界相较于掩模板的开孔区域向外扩张的范围不同，导致所制成显示面板的四周出现膜层边界尺寸差异的问题，本专利技术实施例所述掩模板，通过使掩模板本体上所设置开孔的尺寸大于待蒸镀基板上所形成预设蒸镀设计图形的尺寸，以调整对应所制成显示面板的四周的膜层边界尺寸。如图4所示，本专利技术实施例所述掩模板包括：掩模板本体100，该掩模板本体100上设置有开孔110，该开孔110用于通过蒸镀工艺在待蒸镀基板200上形成预设蒸镀设计图形，其中该开孔110的尺寸大于预设蒸镀设计图形的尺寸。具体地，如图4所示，本专利技术实施例中，掩模板本体100与待蒸镀基板200贴合时，预本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩模板，其特征在于，包括：掩模板本体，所述掩模板本体上设置有开孔，所述开孔用于通过蒸镀工艺在待蒸镀基板上形成预设蒸镀设计图形，其中所述开孔的尺寸大于所述预设蒸镀设计图形的尺寸。

【技术特征摘要】
1.一种掩模板，其特征在于，包括：掩模板本体，所述掩模板本体上设置有开孔，所述开孔用于通过蒸镀工艺在待蒸镀基板上形成预设蒸镀设计图形，其中所述开孔的尺寸大于所述预设蒸镀设计图形的尺寸。2.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述掩模板本体与所述待蒸镀基板贴合时，所述预设蒸镀设计图形在所述掩模板本体上形成正投影图形，所述正投影图形位于所述开孔之内。3.根据权利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述开孔的边缘轮廓形成为所述正投影图形的边缘各位置分别等间隔向外扩张的等间隔扩张轮廓。4.根据权利要求3所述的掩模板，其特征在于，所述掩模板还包括：框体，所述掩模板本体包括固定于所述框体上的初始状态和被拉伸后固定于所述框体上的固定状态；其中在所述固定状态，所述开孔的边缘轮廓为所述正投影图形的等间隔扩张轮廓；在所述初始状态，所述开孔的边缘轮廓为所述正投影图形的边缘各位置不等间隔向外扩张的非等间隔扩张轮廓。5.根据权利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述开孔的边缘轮廓为所述正投影图形的边缘各位置不等间隔向外扩张的非等间隔扩张轮廓。6.根据权利要求4或5所述的掩模板，其特征在于，所述开孔的边缘轮廓为所述正投影图形的边缘各位置不等间隔向外扩张的非等间隔扩张轮廓时，所述开孔位于所述掩模板本体的竖直中心线的一侧，所述开孔包括平行于所述竖直中心线的第一边缘与第二边缘，其中所述第一边缘与所述竖直中心线之间的距离小于所述第二边缘与所述竖直中心线的距离，所述第一边缘到所述正投影图形上对应所述第一边缘的相应边缘之间具有第一间隔距离，所述第二边缘到所述正投影图形上对应所述第二边缘的相应边缘之间具有第二间隔距离，其中所述第一间隔距离大于所述第二间隔距离。7.根据权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓江涛，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11