用于硅基异质结太阳电池透明电极制备的掩膜模具制造技术

本实用新型专利技术属于模具技术领域，公开了一种用于硅基异质结太阳电池透明电极制备的掩膜模具。其主要技术特征为：包括上盖和底托，上盖中部设置有至少一个镂空槽，镂空槽的边沿设置有突出上盖的刀口，上盖的边沿设置有限位凸环，底托中部设置有大小、数量与镂空槽相匹配的底槽，底槽的边沿设置有与刀口相匹配的刀槽，底托的边沿设置有与限位凸环相匹配的限位槽。本实用新型专利技术所提供的用于硅基异质结太阳电池透明电极制备的掩膜模具，解决了漏电问题,节省了刻蚀工艺步骤，消除了工艺不稳定因素。

【技术实现步骤摘要】
用于硅基异质结太阳电池透明电极制备的掩膜模具
本技术属于模具
，尤其涉及一种用于硅基异质结太阳电池透明电极制备的掩膜模具。
技术介绍
近年来，太阳能光伏产业发展迅猛，传统晶体硅太阳电池产能过剩，同质化竞争问题日渐突显，开发高效硅异质结太阳电池是解决这一问题的有效途径。磁控溅射设备是生产硅异质结太阳能电池的关键设备，用于制备透明导电膜。现有太阳能电池正反两面制备完透明导电膜后由于边缘也会溅射上导电膜，正电极和负电极很容易通过边缘导电膜而导通，从而会发生边缘漏电的问题，为解决此问题，需增加一道刻蚀膏印刷刻蚀掉边缘导电膜，但是带来的工艺不稳定性大大增加。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题就是提供一种能解决漏电问题,节省刻蚀工艺步骤，消除工艺不稳定因素的用于硅基异质结太阳电池透明电极制备的掩膜模具。为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为：包括上盖和底托，上盖中部设置有至少一个镂空槽，镂空槽的边沿设置有突出上盖的刀口，上盖的边沿设置有限位凸环，底托中部设置有大小、数量与镂空槽相匹配的底槽，底槽的边沿设置有与刀口相匹配的刀槽，底托的边沿设置有与限位凸环相匹配的限位槽。其附加技术特征为：所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于硅基异质结太阳电池透明电极制备的掩膜模具，其特征在于：包括上盖和底托，上盖中部设置有至少一个镂空槽，镂空槽的边沿设置有突出上盖的刀口，上盖的边沿设置有限位凸环，底托中部设置有大小、数量与镂空槽相匹配的底槽，底槽的边沿设置有与刀口相匹配的刀槽，底托的边沿设置有与限位凸环相匹配的限位槽。

【技术特征摘要】
1.用于硅基异质结太阳电池透明电极制备的掩膜模具，其特征在于：包括上盖和底托，上盖中部设置有至少一个镂空槽，镂空槽的边沿设置有突出上盖的刀口，上盖的边沿设置有限位凸环，底托中部设置有大小、数量与镂空槽相匹配的底槽，底槽的边沿设置有与刀口相匹配的刀槽，底托的边沿设置有与限位凸环相匹配的限位槽。2.根据权利要求1所述的用于硅基异质结太阳电池透明电极制备的掩膜模具，其特征在于：所述的刀口突出上盖0.3-0.5mm，刀口...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜国杰，薛俊明，高建军，王占英，王燕增，李建杰，代杰，
申请(专利权)人：河北汉盛光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：河北,13